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NTH4L028N170M1

Name: onsemi NTH4L028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L028N170M1
Price: 144.06 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTH4L028N170M1

Fabricante N.º:

NTH4L028N170M1

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, TO-247-4L

Hoja de datos:

NTH4L028N170M1 Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/144.06	S/144.06
	S/109.34	S/1,093.40

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.7 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	81 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	40 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Qg - Carga de puerta:	200 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	535 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	31 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	18 ns
Serie:	NTH4L028N170M1
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	121 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	47 ns

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Hoja de datos

NTH4L028N170M1 Hoja de datos

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

MOSFET EliteSiC NTH4L028N170M1de 1700 V

El MOSFET EliteSiC NTH4L028N170M1 1700 V de Onsemi ofrece un rendimiento confiable y de alta eficiencia para aplicaciones de infraestructura de energía y unidades industriales. El MOSFET EliteSiC de Onsemi cuenta con tecnología planar que funciona de manera confiable con controladores de voltaje de compuerta negativa y desactiva los picos en la compuerta. Este dispositivo tiene un rendimiento óptimo cuando se controla con un controlador de puerta de 20 V, pero también funciona bien con un controlador de puerta de 18 V.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.