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NTH4L028N170M1

Name: onsemi NTH4L028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L028N170M1
Price: 140.4 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTH4L028N170M1

Fabricante N.º:

NTH4L028N170M1

Fabricante:

onsemi

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	S/140.40	S/140.40
	S/109.34	S/1,093.40

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.7 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	81 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	40 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.3 V
Qg - Carga de puerta:	200 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	535 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	KR
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	31 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	18 ns
Serie:	NTH4L028N170M1
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	121 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	47 ns