Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.43
4,737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R950CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R950CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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4,737En existencias

Cinta cortada

S/3.43

S/2.14

S/1.39

S/1.06

Envase tipo carrete

S/0.751

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

6.6 A

2.25 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.77
8,883En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R280CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R280CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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8,883En existencias

Cinta cortada

S/6.77

S/4.63

S/3.11

S/2.46

Envase tipo carrete

S/1.96

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32.6 nC

- 55 C

+ 150 C

119 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R380CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.49
4,603En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R380CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R380CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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4,603En existencias

Cinta cortada

S/5.49

S/3.55

S/2.44

S/1.96

S/1.79

Envase tipo carrete

S/1.40

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

500 V

14.1 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24.8 nC

- 55 C

+ 150 C

98 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R500CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/2.30
8,838En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R500CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R500CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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8,838En existencias

Cinta cortada

S/2.30

S/2.28

S/1.99

S/1.62

Envase tipo carrete

S/1.29

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.32
1,489En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R650CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/4.32

S/2.71

S/1.79

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

500 V

9 A

1.54 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R800CE
Infineon Technologies
1: S/4.75
339En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R800CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CE

Infineon Technologies

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339En existencias

S/4.75

S/2.97

S/1.96

S/1.55

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TO-220-3

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1 Channel

500 V

7.6 A

720 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/4.59
1,595En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R800CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CEXKSA2

Infineon Technologies

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1,595En existencias

S/4.59

S/2.10

S/1.89

S/1.55

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Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

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1 Channel

500 V

7.6 A

720 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

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+ 150 C

26.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/1.40
5,306En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R1K4CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/1.40

S/1.04

S/0.852

S/0.775

Envase tipo carrete

S/0.627

Ver

MouseReel Disponible

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SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

500 V

3.1 A

3.28 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.2 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/1.71
3,909En existencias
9,000Se espera el 2/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R2K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

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3,909En existencias

9,000Se espera el 2/04/2026

Cinta cortada

S/1.71

S/1.13

S/0.794

S/0.743

Envase tipo carrete

S/0.537

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

500 V

2.4 A

4.68 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CE
Infineon Technologies
1: S/8.10
249En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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249En existencias

S/8.10

S/5.84

S/4.63

S/3.89

Ver

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TO-220-3

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1 Channel

500 V

24.8 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.89
793En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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Hoja de datos

793En existencias

S/9.89

S/4.87

S/4.40

S/3.59

Ver

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TO-220-3

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1 Channel

500 V

24.8 A

170 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 32.4A TO220-3

IPP50R380CE
Infineon Technologies
1: S/4.59
684En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R380CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R380CE

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 32.4A TO220-3

Hoja de datos

684En existencias

S/4.59

S/3.22

S/2.51

S/2.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

350 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 55 C

+ 150 C

98 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/7.01
1,393En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R280CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R280CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,393En existencias

S/7.01

S/3.14

S/3.00

S/2.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32.6 nC

- 40 C

+ 150 C

30.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R380CE
Infineon Technologies
1: S/6.15
918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R380CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

918En existencias

S/6.15

S/3.89

S/2.60

S/2.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 40 C

+ 150 C

29.2 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R380CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/6.31
935En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R380CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

935En existencias

S/6.31

S/3.40

S/2.72

S/2.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 40 C

+ 150 C

29.2 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/5.53
952En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R500CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R500CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

952En existencias

S/5.53

S/2.61

S/2.32

S/1.82

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

11.1 A

1.17 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

18.7 nC

- 40 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/4.48
1,048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R950CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R950CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,048En existencias

S/4.48

S/2.09

S/1.85

S/1.55

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

550 V

6.6 A

2.22 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

25.7 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/2.10
338En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R2K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R2K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

338En existencias

Cinta cortada

S/2.10

S/1.21

S/1.16

S/0.856

Envase tipo carrete

S/0.658

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3.6 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R3K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/1.71
1,475En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R3K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R3K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,475En existencias

Cinta cortada

S/1.71

S/1.19

S/0.751

S/0.747

Envase tipo carrete

S/0.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

2.6 A

3 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 32.4A TO220-3

IPP50R380CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/5.84
198En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R380CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R380CEXKSA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 32.4A TO220-3

Hoja de datos

198En existencias

S/5.84

S/2.77

S/2.58

S/2.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

350 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 55 C

+ 150 C

98 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/9.93
888Se espera el 9/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R190CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R190CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

888Se espera el 9/04/2026

S/9.93

S/4.44

S/4.36

S/3.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

47.2 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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