Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 18

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.43
4,669En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R950CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R950CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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4,669En existencias

Cinta cortada

S/3.43

S/2.04

S/1.39

S/1.06

Envase tipo carrete

S/0.74

Ver

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

6.6 A

2.25 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.75
8,768En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R280CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R280CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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8,768En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.32

S/2.63

Envase tipo carrete

S/2.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32.6 nC

- 55 C

+ 150 C

119 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R380CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.34
3,722En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R380CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R380CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,722En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.01

S/2.67

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

500 V

14.1 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24.8 nC

- 55 C

+ 150 C

98 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.84
12,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R2K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

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12,369En existencias

Cinta cortada

S/2.84

S/1.76

S/1.13

S/0.856

Envase tipo carrete

S/0.654

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-223-3

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1 Channel

500 V

2.4 A

4.68 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/10.90
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R190CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R190CEXKSA2

Infineon Technologies

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2,000En existencias

S/10.90

S/5.37

S/4.83

S/3.83

S/3.39

Min.: 1
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24.8 A

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R800CE
Infineon Technologies
1: S/4.75
339En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R800CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CE

Infineon Technologies

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339En existencias

S/4.75

S/2.97

S/1.96

S/1.55

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Min.: 1
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TO-220-3

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720 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/5.06
1,550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R800CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CEXKSA2

Infineon Technologies

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S/5.06

S/2.35

S/2.09

S/1.81

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TO-220-3

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1 Channel

500 V

7.6 A

720 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.00
5,040En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R1K4CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

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5,040En existencias

Cinta cortada

S/3.00

S/1.99

S/1.28

S/0.965

Envase tipo carrete

S/0.755

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

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500 V

3.1 A

3.28 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.2 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/5.72
942En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R500CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R500CEXKSA2

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

942En existencias

S/5.72

S/2.69

S/2.40

S/1.88

Ver

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

11.1 A

1.17 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

18.7 nC

- 40 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R380CE
Infineon Technologies
1: S/6.15
693En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R380CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CE

Infineon Technologies

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693En existencias

S/6.15

S/3.89

S/2.60

S/2.13

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 40 C

+ 150 C

29.2 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R380CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/6.89
1,635En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R380CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,635En existencias

S/6.89

S/3.75

S/2.84

S/2.24

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 40 C

+ 150 C

29.2 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/4.94
998En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R950CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R950CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

998En existencias

S/4.94

S/2.30

S/2.04

S/1.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

550 V

6.6 A

2.22 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

25.7 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.11
328En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R2K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R2K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

328En existencias

Cinta cortada

S/3.11

S/1.92

S/1.24

S/0.946

Envase tipo carrete

S/0.743

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3.6 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R3K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/2.80
1,073En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R3K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R3K0CEAUMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

1,073En existencias

Cinta cortada

S/2.80

S/1.84

S/1.19

S/0.903

Envase tipo carrete

S/0.708

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

2.6 A

3 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/7.05
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R280CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R280CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

4,000En pedido

S/7.05

S/3.36

S/2.99

S/2.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32.6 nC

- 40 C

+ 150 C

30.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R500CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.41
27,180En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R500CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R500CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

27,180En pedido

Cinta cortada

S/5.41

S/3.26

S/2.26

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CE
Infineon Technologies
1: S/10.16
500Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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Hoja de datos

500Se espera el 11/06/2026

S/10.16

S/6.54

S/4.67

S/3.89

S/3.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.86
995Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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Hoja de datos

995Se espera el 11/06/2026

S/10.86

S/5.37

S/4.75

S/3.88

S/3.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

170 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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