Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 18

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.29
960En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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Hoja de datos

960En existencias

S/11.29

S/5.57

S/5.02

S/3.89

S/3.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

170 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.78
4,487En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R950CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R950CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

4,487En existencias

Cinta cortada

S/3.78

S/1.74

S/1.54

S/1.18

Envase tipo carrete

S/0.895

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

6.6 A

2.25 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

10.5 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R500CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.61
20,000En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R500CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R500CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

20,000En existencias

Cinta cortada

S/5.61

S/3.53

S/2.34

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.48

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R190CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/11.64
2,500En existencias
2,000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R190CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R190CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

2,500En existencias

2,000Se espera el 15/10/2026

S/11.64

S/5.92

S/5.18

S/4.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

47.2 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R280CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.02
12,968En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R280CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R280CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

12,968En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/3.85

S/3.44

S/2.73

Envase tipo carrete

S/2.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

32.6 nC

- 55 C

+ 150 C

119 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/5.22
1,501En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R800CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

1,501En existencias

S/5.22

S/2.43

S/2.16

S/1.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

720 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/5.10
996En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R950CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R950CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

996En existencias

S/5.10

S/2.38

S/2.11

S/1.85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

550 V

6.6 A

2.22 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

25.7 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/7.28
3,890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R280CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R280CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,890En existencias

S/7.28

S/3.47

S/3.25

S/2.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18.1 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32.6 nC

- 40 C

+ 150 C

30.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/5.88
922En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R500CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R500CEXKSA2

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

922En existencias

S/5.88

S/2.79

S/2.48

S/1.94

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

11.1 A

1.17 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

18.7 nC

- 40 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R380CE
Infineon Technologies
1: S/6.89
658En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R380CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

658En existencias

S/6.89

S/4.32

S/2.83

S/2.24

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 40 C

+ 150 C

29.2 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R380CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/7.24
1,475En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R380CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,475En existencias

S/7.24

S/5.33

S/3.40

S/2.27

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

340 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

24.8 nC

- 40 C

+ 150 C

29.2 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.92
2,632En existencias
6,000Se espera el 26/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R2K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

2,632En existencias

6,000Se espera el 26/11/2026

Cinta cortada

S/2.92

S/1.33

S/1.17

S/0.887

Envase tipo carrete

S/0.681

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

500 V

2.4 A

4.68 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CE
Infineon Technologies
1: S/11.33
500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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Hoja de datos

500En existencias

S/11.33

S/7.32

S/5.02

S/4.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R800CE
Infineon Technologies
1: S/5.92
239En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R800CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CE

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

239En existencias

S/5.92

S/3.66

S/2.41

S/1.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

7.6 A

720 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

12.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.4 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R380CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
2,257En existencias
2,500Se espera el 4/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R380CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R380CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

2,257En existencias

2,500Se espera el 4/09/2026

Cinta cortada

S/6.54

S/3.10

S/2.76

S/2.17

Envase tipo carrete

S/1.77

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

14.1 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24.8 nC

- 55 C

+ 150 C

98 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R1K4CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.19
3,034En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R1K4CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

3,034En existencias

Cinta cortada

S/3.19

S/1.50

S/1.33

S/1.01

Envase tipo carrete

S/0.779

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

500 V

3.1 A

3.28 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8.2 nC

- 40 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.62
67En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R2K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R2K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

67En existencias

Cinta cortada

S/3.62

S/2.17

S/1.53

S/1.10

S/0.965

Envase tipo carrete

S/0.775

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3.6 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R3K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/2.88
2,272En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R3K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R3K0CEAUMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

2,272En existencias

Cinta cortada

S/2.88

S/1.77

S/1.14

S/0.872

Envase tipo carrete

S/0.685

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

2.6 A

3 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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