SGT350R70GTK

STMicroelectronics
511-SGT350R70GTK
SGT350R70GTK

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
DPAK-3
700 V
6 A
350 mOhms
- 1.4 V, + 7 V
2.5 V
1.5 nC
- 55 C
+ 150 C
47 W
Enhancement
GaN
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 6.1 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Producto: FET
Tipo de producto: GaN FETs
Tiempo de subida: 3.5 ns
Serie: SGT
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo: PowerGaN Transistor
Tiempo de retardo de apagado típico: 1.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 0.9 ns
Peso de la unidad: 300 mg
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors

STMicroelectronics PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.

SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN Transistor is a high-performance enhancement-mode PowerGaN transistor optimized for efficient power conversion in demanding applications. With a drain-source voltage rating of 700V and a maximum on-resistance of 350mΩ, the STMicroelectronics SGT350R70GTK delivers low conduction losses and fast switching capabilities thanks to Gallium Nitride (GaN) technology. Packaged in a thermally enhanced DPAK format, the device supports high current handling and improved heat dissipation, suitable for high-density power designs. A low gate charge and output capacitance enable high-frequency operation, ideal for use in power factor correction (PFC), resonant converters, and other advanced power topologies in industrial, telecom, and consumer electronics sectors.

En existencias: 521

Existencias:
521
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2,500
Se espera el 18/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
20
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
S/ 9.30 S/ 9.30
S/ 4.55 S/ 45.50
S/ 4.24 S/ 424.00
S/ 3.43 S/ 1,715.00
S/ 3.15 S/ 3,150.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
S/ 2.69 S/ 6,725.00
S/ 2.42 S/ 12,100.00
† S/ 23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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