Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 10

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.

ISCH57N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.95
1,400En existencias
4,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH57N04NM7VSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH57N04NM7VSCA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Obtenga más información

Hoja de datos

1,400En existencias

4,000En pedido

Cinta cortada

S/14.95

S/9.73

S/7.43

S/6.23

Ver

Envase tipo carrete

S/5.37

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

443 A

520 uOhms

20 V

3.2 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

ISCH75N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.12
2,800En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH75N04NM7VSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH75N04NM7VSCA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Obtenga más información

Hoja de datos

2,800En existencias

Cinta cortada

S/13.12

S/8.45

S/6.03

S/5.06

Ver

Envase tipo carrete

S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

339 A

650 uOhms

20 V

3.2 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

ISCH92N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.52
2,800En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH92N04NM7VSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH92N04NM7VSCA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Obtenga más información

Hoja de datos

2,800En existencias

Cinta cortada

S/11.52

S/7.36

S/5.02

S/4.16

Ver

Envase tipo carrete

S/3.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

289 A

820 uOhms

20 V

3.2 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC011N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.30
4,636En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC011N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC011N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,636En existencias

Cinta cortada

S/9.30

S/5.99

S/4.09

S/3.23

Ver

Envase tipo carrete

S/2.72

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

256 A

1.05 mOhms

20 V

3.15 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISCH54N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.35
3,692En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH54N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH54N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,692En existencias

Cinta cortada

S/13.35

S/8.72

S/6.07

S/5.18

Ver

Envase tipo carrete

S/4.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

458 A

500 uOhms

20 V

3.15 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISCH69N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.07
3,447En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH69N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH69N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,447En existencias

Cinta cortada

S/12.07

S/7.82

S/5.41

S/4.36

Ver

Envase tipo carrete

S/3.88

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

357 A

650 uOhms

20 V

3.15 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISCH99N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.35
4,133En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH99N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH99N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,133En existencias

Cinta cortada

S/10.35

S/6.70

S/4.59

S/3.66

Ver

Envase tipo carrete

S/3.15

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

284 A

900 uOhms

20 V

3.15 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISZ015N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
4,301En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISZ015N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ015N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,301En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.02

S/3.36

S/2.66

S/2.30

Envase tipo carrete

S/2.15

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

177 A

1.4 mOhms

20 V

3.15 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC016N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.66
3,115En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC016N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC016N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,115En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/4.24

S/2.81

S/2.21

Ver

Envase tipo carrete

S/1.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

174 A

1.49 mOhms

20 V

3.15 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC012N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.37
31En existencias
10,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC012N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC012N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

Obtenga más información

Hoja de datos

31En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/8.37

S/5.25

S/3.54

S/2.87

Ver

Envase tipo carrete

S/2.30

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

219 A

1.15 mOhms

20 V

3.15 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte