Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

OptiMOS™ 7 Optimized 40V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 Optimized 40V N-Channel Power MOSFETs are optimized motor drivers that offer tailored solutions for efficient power conversion in drives, power, and gardening tools. The Infineon 40V portfolio offers additional voltage nodes and low on-state resistance [RDS(on)] with standard package options, including PG-TDSON (PQFN 5mm x 6mm), PG-TSDSON (PQFN 3.3mm x 3.3mm), and PG-WSON-8 (PQFN 5mm x 6mm dual-side cooled). Target applications include motor control, battery management systems (BMS), cordless vacuum cleaners, gardening tools, and power tools.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 10

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.

ISCH57N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.71
1,064En existencias
8,000Se espera el 6/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH57N04NM7VSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH57N04NM7VSCA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Obtenga más información

Hoja de datos

1,064En existencias

8,000Se espera el 6/08/2026

Cinta cortada

S/20.71

S/13.58

S/10.12

S/8.49

Ver

Envase tipo carrete

S/6.66

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

443 A

520 uOhms

20 V

3.2 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

ISCH75N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.60
2,347En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH75N04NM7VSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH75N04NM7VSCA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Obtenga más información

Hoja de datos

2,347En existencias

Cinta cortada

S/14.60

S/9.50

S/6.66

S/5.57

Ver

Envase tipo carrete

S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

339 A

650 uOhms

20 V

3.2 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

ISCH92N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.34
2,779En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH92N04NM7VSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH92N04NM7VSCA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Obtenga más información

Hoja de datos

2,779En existencias

Cinta cortada

S/12.34

S/8.02

S/5.53

S/4.59

Ver

Envase tipo carrete

S/3.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

289 A

820 uOhms

20 V

3.2 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC011N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.12
4,636En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC011N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC011N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,636En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/6.50

S/4.44

S/3.76

Ver

Envase tipo carrete

S/2.99

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

256 A

1.05 mOhms

20 V

3.15 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISCH54N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.95
4,328En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH54N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH54N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

Obtenga más información

Hoja de datos

4,328En existencias

Cinta cortada

S/14.95

S/9.77

S/7.08

S/5.96

Ver

Envase tipo carrete

S/5.18

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

458 A

500 uOhms

20 V

3.15 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISCH69N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.85
2,579En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH69N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH69N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

Obtenga más información

Hoja de datos

2,579En existencias

Cinta cortada

S/12.85

S/8.29

S/5.68

S/4.59

Ver

Envase tipo carrete

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

357 A

650 uOhms

20 V

3.15 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISCH99N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.09
3,913En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH99N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH99N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,913En existencias

Cinta cortada

S/11.09

S/7.16

S/4.90

S/3.97

Ver

Envase tipo carrete

S/3.47

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

284 A

900 uOhms

20 V

3.15 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC012N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.07
16En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC012N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC012N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

Obtenga más información

Hoja de datos

16En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/5.76

S/3.85

S/3.15

Ver

Envase tipo carrete

S/2.51

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

219 A

1.15 mOhms

20 V

3.15 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC016N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.85
298En existencias
10,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC016N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC016N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

Obtenga más información

Hoja de datos

298En existencias

10,000En pedido

Cinta cortada

S/6.85

S/4.32

S/2.87

S/2.25

Ver

Envase tipo carrete

S/1.74

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

174 A

1.49 mOhms

20 V

3.15 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISZ015N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.64
243En existencias
10,000Se espera el 6/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISZ015N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ015N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

Obtenga más información

Hoja de datos

243En existencias

10,000Se espera el 6/08/2026

Cinta cortada

S/8.64

S/5.49

S/3.64

S/2.86

Ver

Envase tipo carrete

S/2.18

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

177 A

1.4 mOhms

20 V

3.15 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

OptiMOS™ 7 Optimized 40V Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte