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Renesas Electronics Automotive Products offer reliability, affordability, and cutting-edge technology to meet the demands of the automotive market. Renesas Electronics Automotive Products are a range of automotive products designed to deliver exceptional performance and stay ahead of current trends in the industry. Renesas strongly focuses on quality and is backed by dedicated customer support. The devices offer a remarkable product life cycle that ensures long-lasting solutions.

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N.° de pieza

Controladores de puertas 86V Boot, 4A Peak, Half-Bridge Drv with ADTC. ISL78420AVEZ c

ISL78444AVEZ-T
Renesas / Intersil
2,500: S/9.30
7,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
ISL78444AVEZ-T

N.º de artículo de Mouser
968-ISL78444AVEZ-T

Renesas / Intersil

Controladores de puertas 86V Boot, 4A Peak, Half-Bridge Drv with ADTC. ISL78420AVEZ c

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Envase tipo carrete

S/9.30

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Herramientas de desarrollo de administración de IC ISL78236DUAL EVALUA TION BOARD 1 - 24

ISL78236DUALEVAL1Z
Renesas / Intersil
1: S/393.96
1Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
ISL78236DUALEVAL1Z

N.º de artículo de Mouser
968-ISL78236DUALEVAL

Renesas / Intersil

Herramientas de desarrollo de administración de IC ISL78236DUAL EVALUA TION BOARD 1 - 24

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S/393.96

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 250A 0.85mohm TO-263-7 / D2PAK-7

RBA250N04AHPF-4UA01#GB0
Renesas Electronics
800: S/9.77
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N.º de artículo del Fabricante
RBA250N04AHPF-4UA01#GB0

N.º de artículo de Mouser
968-0N04AHPF4UA01GB0

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 250A 0.85mohm TO-263-7 / D2PAK-7

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S/9.77

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Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) HOPE IPD 2mohm

RAJ2800024H11HPF#GB0
Renesas Electronics
800: S/11.05
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RAJ2800024H11HPF#GB0

N.º de artículo de Mouser
968-2800024H11HPFGB0

Renesas Electronics

Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) HOPE IPD 2mohm

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S/11.05

S/10.94

Presupuesto

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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HOPE IPD 2mohm

RAJ2800024H12HPF#GB0
Renesas Electronics
1: S/20.24
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N.º de artículo del Fabricante
RAJ2800024H12HPF#GB0

N.º de artículo de Mouser
968-2800024H12HPFGB0

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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HOPE IPD 2mohm

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S/20.24

S/15.45

S/14.25

S/12.96

Envase tipo carrete

S/10.82

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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HOPE IPD 3mohm

RAJ2800034H12HPF#GB0
Renesas Electronics
1: S/16.89
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N.º de artículo del Fabricante
RAJ2800034H12HPF#GB0

N.º de artículo de Mouser
968-2800034H12HPFGB0

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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HOPE IPD 3mohm

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Cinta cortada

S/16.89

S/12.81

S/11.79

S/10.67

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S/9.07

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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HOPE IPD 4.6mohm

RAJ2800044H12HPF#GB0
Renesas Electronics
800: S/9.19
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RAJ2800044H12HPF#GB0

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968-2800044H12HPFGB0

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Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HOPE IPD 4.6mohm

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S/9.19

S/8.95

S/8.91

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Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) POWER TRS MP-3ZK HIGHT SIDE IPD

RAA2900014H12HPD#GB0
Renesas Electronics
2,500: S/3.40
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
RAA2900014H12HPD#GB0

N.º de artículo de Mouser
968-2900014H12HPDGB0

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Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) POWER TRS MP-3ZK HIGHT SIDE IPD

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S/3.39

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Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) POWER TRS MP-3ZK HIGHT SIDE IPD

RAA2900024H12HPD#GB0
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2,500: S/3.80
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RAA2900024H12HPD#GB0

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968-2900024H12HPDGB0

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Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) POWER TRS MP-3ZK HIGHT SIDE IPD

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Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) POWER TRS MP-3ZK HIGHT SIDE IPD

RAA2900034H12HPD#GB0
Renesas Electronics
2,500: S/4.75
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N.º de artículo del Fabricante
RAA2900034H12HPD#GB0

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968-2900034H12HPDGB0

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Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) POWER TRS MP-3ZK HIGHT SIDE IPD

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S/4.75

S/4.63

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 110A 2.2mohm TO-263 / D2PAK

NP109N055PUK-E1-AY
Renesas Electronics
800: S/6.19
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NP109N055PUK-E1-AY

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968-NP109N055PUKE1AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 110A 2.2mohm TO-263 / D2PAK

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S/6.19

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 160A 2.1mohm TO-263 / D2PAK

NP160N055TUK-E1-AY
Renesas Electronics
800: S/7.79
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

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NP160N055TUK-E1-AY

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968-NP160N055TUKE1AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 160A 2.1mohm TO-263 / D2PAK

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S/7.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 16A 39mohm SON-8 5x6

NP16N06QLK-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/10.82
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

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NP16N06QLK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP16N06QLKE1AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 16A 39mohm SON-8 5x6

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S/10.82

S/7.12

S/4.94

S/4.09

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S/3.32

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 180A 1.25mohm TO-263 / D2PAK

NP179N04TUK-E1-AY
Renesas Electronics
800: S/9.38
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NP179N04TUK-E1-AY

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968-NP179N04TUK-E1AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 180A 1.25mohm TO-263 / D2PAK

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S/9.38

S/9.30

S/9.23

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 180A 1.75mohm TO-263 / D2PAK

NP179N055TUK-E1-AY
Renesas Electronics
800: S/7.40
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NP179N055TUK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP179N055TUKE1AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 180A 1.75mohm TO-263 / D2PAK

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S/7.40

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 180A 1.4mohm TO-263 / D2PAK

NP180N055TUK-E1-AY
Renesas Electronics
800: S/8.84
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NP180N055TUK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP180N055TUKE1AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 180A 1.4mohm TO-263 / D2PAK

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S/8.84

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 30A 14mohm SON-8 5x6

NP30N06QDK-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/12.38
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

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NP30N06QDK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP30N06QDKE1AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 30A 14mohm SON-8 5x6

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S/12.38

S/8.06

S/5.61

S/5.57

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S/3.86

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Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 33A 14mohm SON-8 5x6

NP33N06YDG-E1-AY
Renesas Electronics
2,500: S/2.64
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NP33N06YDG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP33N06YDG-E1-AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 33A 14mohm SON-8 5x6

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S/2.64

S/2.52

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 35A 10mohm SON-8 5x6

NP35N04YUG-E1-AY
Renesas Electronics
2,500: S/2.72
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NP35N04YUG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP35N04YUG-E1-AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 35A 10mohm SON-8 5x6

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S/2.72

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 35A 6.7mohm SON-8 5x6

NP35N055YUK-E1-AY
Renesas Electronics
2,500: S/2.61
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NP35N055YUK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP35N055YUKE1AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 35A 6.7mohm SON-8 5x6

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Envase tipo carrete

S/2.61

S/2.60

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 60A 3.85mohm TO-252 / DPAK

NP60N04VDK-E1-AY
Renesas Electronics
2,500: S/2.68
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NP60N04VDK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP60N04VDK-E1-AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 60A 3.85mohm TO-252 / DPAK

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Envase tipo carrete

S/2.68

S/2.57

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 60A 3.9mohm TO-252 / DPAK

NP60N04VLK-E1-AY
Renesas Electronics
2,500: S/2.73
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NP60N04VLK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP60N04VLK-E1-AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 60A 3.9mohm TO-252 / DPAK

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Envase tipo carrete

S/2.73

S/2.63

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 60A 3.85mohm TO-252 / DPAK

NP60N04VUK-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/8.72
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NP60N04VUK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP60N04VUK-E1-AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 60A 3.85mohm TO-252 / DPAK

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Cinta cortada

S/8.72

S/5.80

S/4.05

S/3.22

Envase tipo carrete

S/2.67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 60A 7.9mohm TO-252 / DPAK

NP60N06PDK-E1-AY
Renesas Electronics
800: S/3.71
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NP60N06PDK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP60N06PDK-E1-AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 60A 7.9mohm TO-252 / DPAK

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Envase tipo carrete

S/3.71

S/3.55

Min.: 800
Mult.: 800

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 75A 5.5mohm SON-8 5x6

NP74N04YUG-E1-AY
Renesas Electronics
2,500: S/3.01
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NP74N04YUG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP74N04YUG-E1-AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 75A 5.5mohm SON-8 5x6

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Envase tipo carrete

S/3.01

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500