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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 30A 30mohm TO-263 / D2PAK

RJF0611JPE-00#J3
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1: S/15.76
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RJF0611JPE-00#J3

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968-RJF0611JPE-00#J3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 30A 30mohm TO-263 / D2PAK

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S/5.76

S/5.22

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 50A 10mohm TO-263 / D2PAK

RJF0612JPE-01#J3
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1: S/28.84
790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RJF0612JPE-01#J3

N.º de artículo de Mouser
968-RJF0612JPE-01#J3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 50A 10mohm TO-263 / D2PAK

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S/28.84

S/21.53

S/17.24

S/15.49

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 1.5A 250mohm SOP-8

RJF0614JSP-00#J0
Renesas Electronics
1: S/13.20
2,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RJF0614JSP-00#J0

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968-RJF0614JSP-00J0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 1.5A 250mohm SOP-8

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S/6.97

S/5.68

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 40A 19mohm TO-263 / D2PAK

RJF0618JPE-01#J3
Renesas Electronics
1: S/18.18
924En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RJF0618JPE-01#J3

N.º de artículo de Mouser
968-RJF0618JPE-01#J3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 40A 19mohm TO-263 / D2PAK

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 30A 30mohm TO-252 / DPAK

RJF0619JPD-00#J3
Renesas Electronics
1: S/13.08
2,978En existencias

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RJF0619JPD-00#J3

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968-RJF0619JPD-00#J3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 30A 30mohm TO-252 / DPAK

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S/8.52

S/6.50

S/5.53

S/5.06

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S/4.01

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Interfaz con sensor ISL76682AROZ Pb-Free Low Power Digital Output Light Sensor -

ISL76682AROZ-T7
Renesas / Intersil
1: S/8.56
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N.º de artículo del Fabricante
ISL76682AROZ-T7

N.º de artículo de Mouser
968-ISL76682AROZ-T7

Renesas / Intersil

Interfaz con sensor ISL76682AROZ Pb-Free Low Power Digital Output Light Sensor -

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S/8.56

S/8.17

S/7.40

S/7.08

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S/6.23

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 250A 2.4mohm TO-263-7 / D2PAK-7

RBA250N10CHPF-4UA02#GB0
Renesas Electronics
1: S/26.82
569En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RBA250N10CHPF-4UA02#GB0

N.º de artículo de Mouser
968-250N10CHPF4UA2GB

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 250A 2.4mohm TO-263-7 / D2PAK-7

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S/26.82

S/18.10

S/13.43

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 160A 1.25mohm TO-263-7 / D2PAK-7

RBA160N04AHPF-4UA01#GB0
Renesas Electronics
1: S/19.66
795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RBA160N04AHPF-4UA01#GB0

N.º de artículo de Mouser
968-6N04AHPF4UA01GB0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 160A 1.25mohm TO-263-7 / D2PAK-7

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S/13.94

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S/10.00

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 100A 3.25mohm TO-263 / D2PAK

NP100N055PUK-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/14.21
1,505En existencias

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NP100N055PUK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP100N055PUKE1AY

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S/14.21

S/9.69

S/9.65

S/6.85

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -40V -100A 3.5mohm TO-263 / D2PAK

NP100P04PDG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/23.55
917En existencias

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NP100P04PDG-E1-AY

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968-NP100P04PDGE1AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -40V -100A 3.5mohm TO-263 / D2PAK

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S/23.55

S/16.11

S/12.96

S/11.64

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S/9.42

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -40V -100A 3.7mohm TO-263 / D2PAK

NP100P04PLG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/23.43
539En existencias

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NP100P04PLG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP100P04PLGE1AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -40V -100A 3.7mohm TO-263 / D2PAK

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S/23.43

S/16.00

S/15.96

S/11.52

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S/9.34

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -100A 6mohm TO-263 / D2PAK

NP100P06PDG-E1-AY
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1: S/23.98
1,332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP100P06PDG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP100P06PDGE1AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -100A 6mohm TO-263 / D2PAK

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S/23.98

S/16.08

S/11.64

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S/9.42

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 110A 1.75mohm TO-263 / D2PAK

NP109N04PUK-E1-AY
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1: S/19.07
800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP109N04PUK-E1-AY

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968-NP109N04PUKE1AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 110A 1.75mohm TO-263 / D2PAK

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S/19.07

S/13.08

S/9.38

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S/7.24

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 110A 1.4mohm TO-263 / D2PAK

NP110N04PUK-E1-AY
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1: S/22.03
670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP110N04PUK-E1-AY

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968-NP110N04PUKE1AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 110A 1.4mohm TO-263 / D2PAK

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S/22.03

S/17.83

S/14.44

S/14.32

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S/10.08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -15A 70mohm TO-252 / DPAK

NP15P06SLG-E1-AY
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1: S/7.86
2,627En existencias

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NP15P06SLG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP15P06SLG-E1-AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -15A 70mohm TO-252 / DPAK

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S/7.86

S/5.29

S/3.58

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.36

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -40V -20A 25mohm TO-252 / DPAK

NP20P04SLG-E1-AY
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1: S/8.45
2,388En existencias

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NP20P04SLG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP20P04SLG-E1-AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -40V -20A 25mohm TO-252 / DPAK

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S/8.45

S/5.68

S/3.86

S/3.83

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S/2.45

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -20A 48mohm TO-252 / DPAK

NP20P06SLG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/8.45
3,423En existencias

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NP20P06SLG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP20P06SLG-E1-AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -20A 48mohm TO-252 / DPAK

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S/8.45

S/5.68

S/3.86

S/3.83

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S/2.45

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -20A 47mohm SON-8 5x6

NP20P06YLG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/8.56
4,728En existencias

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NP20P06YLG-E1-AY

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968-NP20P06YLGE1AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -20A 47mohm SON-8 5x6

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S/8.56

S/5.49

S/3.72

S/2.97

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.32

Min.: 1
Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 23A 27mohm SON-8 5x6

NP23N06YDG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/7.75
2,460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP23N06YDG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP23N06YDG-E1-AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 23A 27mohm SON-8 5x6

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Cinta cortada

S/7.75

S/5.10

S/3.46

S/2.75

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.12

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW VOLTAGE POWER MOSFET

NP29N04QUK-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/10.90
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP29N04QUK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP29N04QUK-E1-AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW VOLTAGE POWER MOSFET

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S/10.90

S/7.43

S/5.18

S/4.32

Envase tipo carrete

S/3.64

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Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER TR2 AUTOMOTIVE MOS DUAL N-CH

NP29N06QDK-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/8.56
2,457En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP29N06QDK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP29N06QDK-E1-AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER TR2 AUTOMOTIVE MOS DUAL N-CH

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S/8.56

S/7.16

S/5.33

S/5.29

Envase tipo carrete

S/3.69

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

NP29N06QUK-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/10.94
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP29N06QUK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP29N06QUK-E1-AY

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S/10.94

S/7.43

S/5.18

S/4.32

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S/3.64

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 30A 8mohm SON-8 5x6

NP30N04QUK-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/13.16
2,266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP30N04QUK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP30N04QUKE1AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 30A 8mohm SON-8 5x6

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Cinta cortada

S/13.16

S/8.95

S/6.27

S/5.10

S/4.75

Envase tipo carrete

S/4.44

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 35A 9.7mohm SON-8 5x6

NP35N04YLG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/6.66
2,495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP35N04YLG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP35N04YLG-E1-AY

Renesas Electronics

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S/6.66

S/5.57

S/4.28

S/3.44

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S/2.84

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -40V -36A 17mohm TO-252 / DPAK

NP36P04SDG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/9.23
3,004En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP36P04SDG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP36P04SDG-E1-AY

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S/4.32

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