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Automotive Products

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 40V 10A 37mohm SOP-8

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1: S/13.58
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RJF0412JSP-00#J0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 40V 10A 37mohm SOP-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER TRS1 CAR POWER THERMAL SOP-8J THEM

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1: S/18.92
980En existencias

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968-RJF0606JPE-01#J3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER TRS1 CAR POWER THERMAL SOP-8J THEM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 30A 30mohm TO-252 / DPAK

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1: S/14.05
2,980En existencias

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 30A 30mohm TO-252 / DPAK

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 30A 30mohm TO-263 / D2PAK

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1: S/16.85
1,000En existencias

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968-RJF0611JPE-00#J3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 50A 10mohm TO-263 / D2PAK

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Renesas Electronics
1: S/31.72
675En existencias

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968-RJF0612JPE-01#J3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 50A 10mohm TO-263 / D2PAK

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S/21.25

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S/15.18

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 1.5A 250mohm SOP-8

RJF0614JSP-00#J0
Renesas Electronics
1: S/13.97
2,278En existencias

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RJF0614JSP-00#J0

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968-RJF0614JSP-00J0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 1.5A 250mohm SOP-8

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S/6.38

S/5.37

S/4.98

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S/4.63

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 40A 19mohm TO-263 / D2PAK

RJF0618JPE-01#J3
Renesas Electronics
1: S/20.36
904En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RJF0618JPE-01#J3

N.º de artículo de Mouser
968-RJF0618JPE-01#J3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 40A 19mohm TO-263 / D2PAK

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S/20.36

S/13.35

S/9.96

S/8.33

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S/7.24

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 30A 30mohm TO-252 / DPAK

RJF0619JPD-00#J3
Renesas Electronics
1: S/13.97
2,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RJF0619JPD-00#J3

N.º de artículo de Mouser
968-RJF0619JPD-00#J3

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 30A 30mohm TO-252 / DPAK

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S/6.38

S/5.33

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S/4.63

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Reguladores de voltaje de conmutación DL CH 2 25MHZ 2 0 A & 1 7ASYNCHG 4X3 1

ISL78322ARZ
Renesas / Intersil
1: S/27.33
856En existencias

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ISL78322ARZ

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968-ISL78322ARZ

Renesas / Intersil

Reguladores de voltaje de conmutación DL CH 2 25MHZ 2 0 A & 1 7ASYNCHG 4X3 1

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S/27.33

S/20.94

S/19.35

S/17.56

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 100V 250A 2.4mohm TO-263-7 / D2PAK-7

RBA250N10CHPF-4UA02#GB0
Renesas Electronics
1: S/29.62
459En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RBA250N10CHPF-4UA02#GB0

N.º de artículo de Mouser
968-250N10CHPF4UA2GB

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S/29.62

S/19.81

S/15.92

S/12.57

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S/12.57

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 160A 1.25mohm TO-263-7 / D2PAK-7

RBA160N04AHPF-4UA01#GB0
Renesas Electronics
1: S/22.38
795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RBA160N04AHPF-4UA01#GB0

N.º de artículo de Mouser
968-6N04AHPF4UA01GB0

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 160A 1.25mohm TO-263-7 / D2PAK-7

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S/22.38

S/14.91

S/10.70

S/9.03

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S/9.03

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 100A 3.25mohm TO-263 / D2PAK

NP100N055PUK-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/15.88
1,493En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP100N055PUK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP100N055PUKE1AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 55V 100A 3.25mohm TO-263 / D2PAK

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S/15.88

S/10.43

S/7.32

S/5.68

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S/5.68

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: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -40V -100A 3.7mohm TO-263 / D2PAK

NP100P04PLG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/25.50
539En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP100P04PLG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP100P04PLGE1AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -40V -100A 3.7mohm TO-263 / D2PAK

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S/25.50

S/17.09

S/12.34

S/10.74

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S/10.74

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -100A 6mohm TO-263 / D2PAK

NP100P06PDG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/25.65
1,039En existencias
800Se espera el 5/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
NP100P06PDG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP100P06PDGE1AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -100A 6mohm TO-263 / D2PAK

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S/25.65

S/17.20

S/12.42

S/10.82

Envase tipo carrete

S/10.82

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: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -15A 70mohm TO-252 / DPAK

NP15P06SLG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/8.84
2,371En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP15P06SLG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP15P06SLG-E1-AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -15A 70mohm TO-252 / DPAK

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S/8.84

S/5.68

S/3.83

S/3.05

S/2.80

Envase tipo carrete

S/2.55

Min.: 1
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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -40V -20A 25mohm TO-252 / DPAK

NP20P04SLG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/9.50
2,383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP20P04SLG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP20P04SLG-E1-AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -40V -20A 25mohm TO-252 / DPAK

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S/9.50

S/6.11

S/4.16

S/3.32

S/3.05

Envase tipo carrete

S/2.82

Min.: 1
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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -20A 48mohm TO-252 / DPAK

NP20P06SLG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/9.50
3,124En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP20P06SLG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP20P06SLG-E1-AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -20A 48mohm TO-252 / DPAK

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S/9.50

S/6.11

S/4.16

S/3.32

S/3.05

Envase tipo carrete

S/2.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -20A 47mohm SON-8 5x6

NP20P06YLG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/9.15
3,918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP20P06YLG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP20P06YLGE1AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -20A 47mohm SON-8 5x6

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S/9.15

S/5.88

S/4.01

S/3.17

S/2.92

Envase tipo carrete

S/2.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 23A 27mohm SON-8 5x6

NP23N06YDG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/8.56
2,457En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP23N06YDG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP23N06YDG-E1-AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 60V 23A 27mohm SON-8 5x6

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Cinta cortada

S/8.56

S/5.49

S/3.70

S/2.94

S/2.70

Envase tipo carrete

S/2.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW VOLTAGE POWER MOSFET

NP29N04QUK-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/12.34
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP29N04QUK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP29N04QUK-E1-AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW VOLTAGE POWER MOSFET

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Cinta cortada

S/12.34

S/8.02

S/5.53

S/4.48

S/4.32

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER TR2 AUTOMOTIVE MOS DUAL N-CH

NP29N06QDK-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/12.34
2,445En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP29N06QDK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP29N06QDK-E1-AY

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER TR2 AUTOMOTIVE MOS DUAL N-CH

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Cinta cortada

S/12.34

S/8.02

S/5.53

S/4.48

Envase tipo carrete

S/4.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

NP29N06QUK-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/12.34
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP29N06QUK-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP29N06QUK-E1-AY

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Cinta cortada

S/12.34

S/8.02

S/5.53

S/4.48

S/4.32

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 35A 9.7mohm SON-8 5x6

NP35N04YLG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/10.32
2,495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP35N04YLG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP35N04YLG-E1-AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Power MOSFET 40V 35A 9.7mohm SON-8 5x6

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Cinta cortada

S/10.32

S/6.66

S/4.55

S/3.65

Envase tipo carrete

S/3.31

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -40V -36A 17mohm TO-252 / DPAK

NP36P04SDG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/10.47
2,897En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP36P04SDG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP36P04SDG-E1-AY

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Cinta cortada

S/10.47

S/6.77

S/4.63

S/3.71

S/3.43

Envase tipo carrete

S/3.22

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -36A 30mohm TO-252 / DPAK

NP36P06SLG-E1-AY
Renesas Electronics
1: S/10.32
2,287En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NP36P06SLG-E1-AY

N.º de artículo de Mouser
968-NP36P06SLG-E1-AY

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch Power MOSFET -60V -36A 30mohm TO-252 / DPAK

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S/10.32

S/6.66

S/4.55

S/3.65

S/3.37

Envase tipo carrete

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