DMG1013UW/DMG1016UDW Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMG1013UW/DMG1016UDW Enhancement Mode MOSFETs were designed to minimize the on-state resistance RDS(on) and yet maintain superior switching performance, making them ideal for high-efficiency power management applications. The DMG1013UW/DMG1016UDW Enhancement Mode MOSFETs from Diodes Incorporated feature low On-Resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speed, and low input/output leakage.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
Hoja de datos
244En existencias
168,000En pedido
Cinta cortada
S/2.18
S/1.49
S/0.942
S/0.592
S/0.514
Envase tipo carrete
S/0.455
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 845 mA, 1.066 A 450 mOhms, 750 mOhms 6 V 500 mV 736.6 nC, 622.4 pC - 55 C + 150 C 330 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet
Hoja de datos
274,278En pedido
Cinta cortada
S/1.28
S/0.747
S/0.584
S/0.471
Envase tipo carrete
S/0.257
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 820 mA 750 mOhms 6 V 500 mV 622.4 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
Hoja de datos
118,515En pedido
Cinta cortada
S/1.60
S/0.923
S/0.654
S/0.553
Envase tipo carrete
S/0.304
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 820 mA 1.5 Ohms 6 V 1 V 622.4 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel