Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Dual N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor Dual N-Channel Power MOSFETs feature low drain-source on-state resistance, minimizing conductive losses. The devices enable a low gate charge for fast switching. Taiwan Semiconductor Dual N-Channel Power MOSFETs are ideal for BLDC motor control, battery power management, and DC-DC converter applications.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSM110NB04DCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/6.93
4,705En existencias

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TSM110NB04DCR RLG

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821-TSM110NB04DCRRLG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET

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S/4.40

S/2.95

S/2.33

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SMD/SMT

PDFN-56-8

N-Channel

2 Channel

40 V

48 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSM110NB04LDCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.67
4,804En existencias

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TSM110NB04LDCR RLG

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821-TSM110NB04LDCRLG

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Cinta cortada

S/4.67

S/3.86

S/2.95

S/2.33

Envase tipo carrete

S/1.92

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SMD/SMT

PDFN-56

N-Channel

2 Channel

40 V

48 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSM250NB06DCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/5.37
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TSM250NB06DCR RLG

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821-TSM250NB06DCRRLG

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Cinta cortada

S/5.37

S/4.32

S/2.91

S/2.33

Envase tipo carrete

S/1.85

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PDFN-56-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 24A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSM300NB06LDCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/5.41
4,490En existencias

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TSM300NB06LDCR RLG

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821-SM300NB06LDCRRLG

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S/5.41

S/3.69

S/2.66

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.71

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 38A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSM150NB04DCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.13
4,964En existencias

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TSM150NB04DCR RLG

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821-TSM150NB04DCRRLG

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S/4.13

S/3.38

S/2.40

S/2.12

Envase tipo carrete

S/1.66

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN-56-8

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2 Channel

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38 A

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- 20 V, 20 V

4 V

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+ 150 C

40 W

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 37A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSM150NB04LDCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.13
2,652En existencias

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TSM150NB04LDCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM150NB04LDCRLG

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S/4.13

S/3.38

S/2.46

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.64

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN-56

N-Channel

2 Channel

40 V

37 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 29A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSM250NB06LDCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.79
2,021En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM250NB06LDCR RLG

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821-TSM250NB06LDCRLG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 29A, Dual N-Channel Power MOSFET

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S/2.33

Envase tipo carrete

S/1.92

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SMD/SMT

PDFN-56

N-Channel

2 Channel

60 V

29 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSM300NB06DCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.48
7,326En existencias

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TSM300NB06DCR RLG

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821-TSM300NB06DCRRLG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET

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S/1.64

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SMD/SMT

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N-Channel

2 Channel

60 V

25 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

17 nC

- 55 C

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Reel, Cut Tape

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