Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Dual N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor Dual N-Channel Power MOSFETs feature low drain-source on-state resistance, minimizing conductive losses. The devices enable a low gate charge for fast switching. Taiwan Semiconductor Dual N-Channel Power MOSFETs are ideal for BLDC motor control, battery power management, and DC-DC converter applications.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSM250NB06DCR RLG
Taiwan Semiconductor
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SMD/SMT

PDFN-56-8

N-Channel

2 Channel

60 V

30 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

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2 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 38A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSM150NB04DCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/6.73
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S/2.85

S/2.28

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S/1.85

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SMD/SMT

PDFN-56-8

N-Channel

2 Channel

40 V

38 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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TSM300NB06LDCR RLG
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S/4.28

S/2.85

S/2.24

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SMD/SMT

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2 Channel

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24 A

30 mOhms

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 37A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSM150NB04LDCR RLG
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S/4.28

S/2.85

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S/1.83

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: 2,500

SMD/SMT

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N-Channel

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40 V

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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TSM250NB06LDCR RLG
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S/4.71

S/3.16

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Envase tipo carrete

S/2.14

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2 Channel

60 V

29 A

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1 V

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+ 150 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 48A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSM110NB04DCR RLG
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TSM110NB04DCR RLG

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821-TSM110NB04DCRRLG

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S/4.71

S/3.16

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.05

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN-56-8

N-Channel

2 Channel

40 V

48 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSM300NB06DCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/6.73
4,676En existencias

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TSM300NB06DCR RLG

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821-TSM300NB06DCRRLG

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S/4.28

S/2.85

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.83

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: 2,500

SMD/SMT

PDFN-56-8

N-Channel

2 Channel

60 V

25 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

17 nC

- 55 C

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TSM110NB04LDCR RLG
Taiwan Semiconductor
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TSM110NB04LDCR RLG

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48 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

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+ 150 C

48 W

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