Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
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BSC360N15NS3 G

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726-BSC360N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB027N10N3 G
Infineon Technologies
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5,063En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB027N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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S/19.31

S/14.13

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S/10.16

Envase tipo carrete

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Presupuesto

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ440N10NS3 G
Infineon Technologies
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BSZ440N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Cinta cortada

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BSC118N10NS G
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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S/23.00

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Infineon Technologies
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726-IPB025N08N3G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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S/19.81

S/14.25

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Infineon Technologies
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S/3.68

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB072N15N3 G
Infineon Technologies
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IPB072N15N3 G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC109N10NS3 G
Infineon Technologies
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3,717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC109N10NS3 G

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3

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S/8.17

S/5.25

S/3.53

S/2.81

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC520N15NS3 G
Infineon Technologies
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7,781En existencias
10,000Se espera el 26/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC520N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC520N15NS3GXT

Infineon Technologies

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7,781En existencias

10,000Se espera el 26/11/2026

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S/5.80

S/3.78

S/2.59

S/2.10

S/1.93

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S/1.62

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB108N15N3 G
Infineon Technologies
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2,683En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB108N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IP726-B108N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3

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2,683En existencias

Cinta cortada

S/15.18

S/10.08

S/7.24

S/6.58

Envase tipo carrete

S/5.45

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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150 V

83 A

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
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16,231En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC060N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

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16,231En existencias

Cinta cortada

S/10.59

S/6.77

S/4.63

S/3.84

Envase tipo carrete

S/3.10

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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TDSON-8

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1 Channel

100 V

90 A

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC057N08NS3 G
Infineon Technologies
1: S/10.12
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N.º de artículo del Fabricante
BSC057N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC057N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

11,626En existencias

Cinta cortada

S/10.12

S/6.54

S/4.67

S/3.93

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.08

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

80 V

100 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC190N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/11.13
4,303En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC190N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC190N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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4,303En existencias

Cinta cortada

S/11.13

S/7.20

S/5.14

S/4.32

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Envase tipo carrete

S/3.38

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

50 A

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125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSF G
Infineon Technologies
1: S/6.81
1,599En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC252N10NSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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Hoja de datos

1,599En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.32

S/2.88

S/2.36

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Envase tipo carrete

S/1.70

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

100 V

40 A

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- 20 V, 20 V

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+ 150 C

78 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC340N08NS3 G
Infineon Technologies
1: S/4.90
36,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC340N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC340N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3

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36,500En existencias

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S/4.90

S/3.11

S/2.06

S/1.69

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Envase tipo carrete

S/1.15

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

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1 Channel

80 V

23 A

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- 20 V, 20 V

2 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ123N08NS3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
BSZ123N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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9,330En existencias

Cinta cortada

S/7.79

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S/3.30

S/2.70

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S/1.95

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

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BSZ900N15NS3 G

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

2,025En existencias

Cinta cortada

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S/4.83

S/3.20

S/2.62

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Envase tipo carrete

S/1.94

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB042N10N3 G
Infineon Technologies
1: S/10.59
967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB042N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

967En existencias

Cinta cortada

S/10.59

S/6.81

S/4.87

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.49

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ160N10NS3 G
Infineon Technologies
1: S/8.25
1,065En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ160N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ160N10NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

1,065En existencias

Cinta cortada

S/8.25

S/5.29

S/3.65

S/3.09

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Envase tipo carrete

S/2.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
3.7 mOhms
4.2 mOhms
4.7 mOhms
5.3 mOhms
7.2 mOhms
10.3 mOhms
10.8 mOhms
10.9 mOhms
11.8 mOhms
14 mOhms
16 mOhms
19.5 mOhms
20 mOhms
27 mOhms
27.5 mOhms
36 mOhms
38 mOhms