Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/9.50
5,548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC360N15NS3 G

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726-BSC360N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

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S/9.50

S/6.07

S/4.13

S/3.44

S/3.19

Envase tipo carrete

S/2.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

33 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB027N10N3 G
Infineon Technologies
1: S/19.35
5,059En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB027N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Cinta cortada

S/19.35

S/14.17

S/11.48

S/10.20

Envase tipo carrete

S/9.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC118N10NS G
Infineon Technologies
1: S/7.75
4,333En existencias
NRND

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BSC118N10NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC118N10NSG

NRND

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S/7.75

S/4.90

S/3.33

S/2.64

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Envase tipo carrete

S/2.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

11 A

11.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB020NE7N3 G
Infineon Technologies
1: S/28.18
1,971En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB020NE7N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB020NE7N3GXT

NRND

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S/28.18

S/18.45

S/13.62

S/12.11

Envase tipo carrete

S/10.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

155 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ440N10NS3 G
Infineon Technologies
1: S/4.55
77,283En existencias

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BSZ440N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ440N10NS3G

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S/4.55

S/2.85

S/1.88

S/1.49

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S/1.21

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

18 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB025N08N3 G
Infineon Technologies
1: S/23.67
5,578En existencias
NRND

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IPB025N08N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB025N08N3G

NRND

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S/23.67

S/15.49

S/11.41

S/10.16

Envase tipo carrete

S/8.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC060N10NS3 G
Infineon Technologies
1: S/10.59
16,192En existencias
NRND

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BSC060N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G

NRND

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S/10.59

S/6.77

S/4.63

S/3.84

S/3.56

Envase tipo carrete

S/3.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSC265N10LSF G
Infineon Technologies
1: S/5.84
2,155En existencias
NRND

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BSC265N10LSF G

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726-BSC265N10LSFG

NRND

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S/5.84

S/3.68

S/2.44

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S/1.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC042NE7NS3 G
Infineon Technologies
1: S/12.46
3,510En existencias

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BSC042NE7NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC042NE7NS3GXT

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S/12.46

S/8.14

S/6.23

S/5.22

S/4.67

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S/4.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

75 V

100 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB072N15N3 G
Infineon Technologies
1: S/15.80
1,756En existencias

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IPB072N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB072N15N3G

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S/15.80

S/10.32

S/8.10

S/7.05

Envase tipo carrete

S/5.96

S/5.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

100 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC520N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/6.81
16,247En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC520N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC520N15NS3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3

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S/6.81

S/4.32

S/2.88

S/2.27

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S/1.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

21 A

52 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

8.7 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ900N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/7.55
2,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ900N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ900N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Cinta cortada

S/7.55

S/4.83

S/3.20

S/2.62

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Envase tipo carrete

S/2.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

13 A

74 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB108N15N3 G
Infineon Technologies
1: S/17.48
2,659En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB108N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IP726-B108N15N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3

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2,659En existencias

Cinta cortada

S/17.48

S/10.32

S/8.14

S/6.70

Envase tipo carrete

S/6.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

83 A

10.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC109N10NS3 G
Infineon Technologies
1: S/8.17
986En existencias
8,900Se espera el 24/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC109N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC109N10NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

986En existencias

8,900Se espera el 24/04/2026

Cinta cortada

S/8.17

S/5.25

S/3.53

S/2.81

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Envase tipo carrete

S/2.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

63 A

10.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC252N10NSF G
Infineon Technologies
1: S/6.81
449En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC252N10NSF G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC252N10NSFG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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449En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.32

S/2.88

S/2.36

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Envase tipo carrete

S/1.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC340N08NS3 G
Infineon Technologies
1: S/4.94
27,193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC340N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC340N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

27,193En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/3.11

S/2.06

S/1.69

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Envase tipo carrete

S/1.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

23 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB042N10N3 G
Infineon Technologies
1: S/10.59
960En existencias
1,000Se espera el 15/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPB042N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB042N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

960En existencias

1,000Se espera el 15/04/2027

Cinta cortada

S/10.59

S/6.81

S/4.87

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

88 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC190N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/11.13
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC190N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC190N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

30En existencias

Cinta cortada

S/11.13

S/7.20

S/5.14

S/4.32

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

50 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ340N08NS3 G
Infineon Technologies
1: S/5.02
1,876En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ340N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ340N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

1,876En existencias

Cinta cortada

S/5.02

S/3.12

S/2.04

S/1.57

Envase tipo carrete

S/1.15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

23 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.1 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC057N08NS3 G
Infineon Technologies
1: S/10.12
606Se espera el 18/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BSC057N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC057N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

606Se espera el 18/02/2027

Cinta cortada

S/10.12

S/6.54

S/4.67

S/3.93

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

4.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ123N08NS3 G
Infineon Technologies
5,000: S/2.15
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSZ123N08NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ123N08NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.15

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

10.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

66 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ160N10NS3 G
Infineon Technologies
5,000: S/2.46
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSZ160N10NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ160N10NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.46

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
3.7 mOhms
4.2 mOhms
4.7 mOhms
5.3 mOhms
7.2 mOhms
10.3 mOhms
10.8 mOhms
10.9 mOhms
11.8 mOhms
14 mOhms
16 mOhms
19.5 mOhms
20 mOhms
27 mOhms
27.5 mOhms
36 mOhms
38 mOhms