Medium Power MOSFETs

ROHM Medium Power MOSFETs are low ON-resistance devices useful for a wide range of applications. These MOSFETs feature a broad lineup with compact, high-power, and complex types to meet various needs. ROHM Medium Power MOSFETs come in high-power small mold packages, and typical applications are for DC/DC converters and load switches.

Resultados: 15
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 35A(Id), (4.5V Drive) 3,493En existencias
Cinta cortada
S/9.65
S/4.71
S/4.13
S/3.37
Envase tipo carrete
S/2.91
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 40 V 65 A 6.5 mOhms 20 V 2.5 V 18.2 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 2,121En existencias
Cinta cortada
S/6.34
S/3.01
S/2.68
S/2.30
Envase tipo carrete
S/1.71
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 2.6 mOhms 20 V 2.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 4,804En existencias
Cinta cortada
S/3.70
S/1.69
S/1.49
S/1.14
Envase tipo carrete
S/0.884
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 39 A 6.1 mOhms 20 V 2.5 V 15.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 4,912En existencias
Cinta cortada
S/3.39
S/1.55
S/1.37
S/1.05
Envase tipo carrete
S/0.806
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-2020-8 N-Channel 1 Channel 30 V 11 A 11.3 mOhms 20 V 2.5 V 7.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 2,472En existencias
Cinta cortada
S/5.64
S/2.65
S/2.35
S/1.84
Envase tipo carrete
S/1.49
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 72 A 3.3 mOhms 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 16,921En existencias
Cinta cortada
S/3.27
S/1.48
S/1.31
S/1.00
Envase tipo carrete
S/0.767
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 27 A 8.8 mOhms 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 1,439En existencias
Cinta cortada
S/2.92
S/1.81
S/1.17
S/0.887
Envase tipo carrete
S/0.634
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-2020-8 N-Channel 1 Channel 30 V 7 A 21.4 mOhms 20 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 2,306En existencias
Cinta cortada
S/4.67
S/2.16
S/1.92
S/1.49
Envase tipo carrete
S/1.16
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-2020-8 N-Channel 1 Channel 30 V 8 A 17.6 mOhms 20 V 2 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 1,861En existencias
Cinta cortada
S/3.04
S/1.39
S/1.22
S/0.93
Envase tipo carrete
S/0.806
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-2020-8 N-Channel 1 Channel 30 V 8 A 17.6 mOhms 20 V 2.5 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 2,418En existencias
Cinta cortada
S/2.69
S/1.21
S/1.07
S/0.81
Envase tipo carrete
S/0.615
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 18 A 16.7 mOhms 20 V 2.5 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 911En existencias
Cinta cortada
S/2.92
S/1.32
S/1.16
S/0.88
Envase tipo carrete
S/0.673
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 11.7 mOhms 20 V 2.5 V 7.9 nC - 55 C + 150 C 15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 1,042En existencias
Cinta cortada
S/4.55
S/2.10
S/1.86
S/1.44
Envase tipo carrete
S/1.13
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 18 A 4.3 mOhms 20 V 2.5 V 22.4 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET 991En existencias
2,500Se espera el 29/12/2026
Cinta cortada
S/3.74
S/1.70
S/1.50
S/1.16
Envase tipo carrete
S/0.915
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT HSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 13 A 11.7 mOhms 20 V 2.5 V 7.9 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 40A 1En existencias
2,500Se espera el 14/12/2026
Cinta cortada
S/10.00
S/5.02
S/4.40
S/3.59
S/3.37
Envase tipo carrete
S/2.92
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 11.3 mOhms 20 V 2.5 V 14 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.5V Drive Nch MOSFET Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Envase tipo carrete
S/1.09
S/1.04
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-2020-8 N-Channel 1 Channel 30 V 11 A 11.1 mOhms 20 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel