Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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ASFETs for Hotswap & Soft Start

Nexperia ASFETs for Hotswap and Soft Start offer strong SOA and low R_DS(on) capabilities in a single device optimized for a non-stop world. Nexperia ASFETs protect always-on rack-based computers, communications, and storage systems from power disruption and component failure. When inserted into a live system, these components on replacement boards depend on a carefully controlled in-rush current.

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Resultados: 9

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 30V 365A

PSMNR67-30YLEX
Nexperia
1: S/14.87
1,489En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMNR67-30YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMNR67-30YLEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 30V 365A

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1,489En existencias

Cinta cortada

S/14.87

S/9.77

S/9.46

S/6.85

Envase tipo carrete

S/4.98

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

Power SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

365 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 275A

PSMN1R0-30YLEX
Nexperia
1: S/11.44
1,764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN1R0-30YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN1R0-30YLEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 275A

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Hoja de datos

1,764En existencias

Cinta cortada

S/11.44

S/7.43

S/7.12

S/5.14

Envase tipo carrete

S/3.65

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

275 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

224 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 255A

PSMNR98-25YLEX
Nexperia
1: S/10.32
1,985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMNR98-25YLEX

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771-PSMNR98-25YLEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 255A

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Hoja de datos

1,985En existencias

Cinta cortada

S/10.32

S/6.66

S/6.34

S/4.59

Envase tipo carrete

S/3.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

25 V

255 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

198 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 25V 320A

PSMNR56-25YLEX
Nexperia
1: S/18.68
399En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMNR56-25YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMNR56-25YLEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 25V 320A

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399En existencias

Cinta cortada

S/18.68

S/12.26

S/9.50

S/8.60

Envase tipo carrete

S/4.98

S/4.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56E-4

N-Channel

1 Channel

25 V

320 A

630 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

333 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 265A

PSMN1R1-30YLEX
Nexperia
1: S/12.38
216En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN1R1-30YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN1R1-30YLEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 265A

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216En existencias

Cinta cortada

S/12.38

S/7.98

S/6.81

S/5.49

Envase tipo carrete

S/3.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

265 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

192 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 160A

PSMN2R1-30YLEX
Nexperia
1: S/7.90
1,494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN2R1-30YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN2R1-30YLEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 160A

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Hoja de datos

1,494En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/5.18

S/4.87

S/3.48

Envase tipo carrete

S/2.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

30 V

160 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

124 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 185A

PSMN1R6-25YLEX
Nexperia
1: S/7.90
1,637En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN1R6-25YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN1R6-25YLEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 185A

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Hoja de datos

1,637En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/5.25

S/4.87

S/3.54

Envase tipo carrete

S/2.45

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

25 V

185 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

124 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 330A

PSMNR82-30YLEX
Nexperia
1: S/15.53
625En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMNR82-30YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMNR82-30YLEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 30V 330A

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Hoja de datos

625En existencias

Cinta cortada

S/15.53

S/10.20

S/9.23

S/7.20

Envase tipo carrete

S/4.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

Power SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

330 A

870 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

268 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 270A

PSMNR89-25YLEX
Nexperia
1: S/13.62
487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMNR89-25YLEX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMNR89-25YLEX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 25V 270A

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487En existencias

Cinta cortada

S/13.62

S/8.80

S/7.47

S/6.07

Envase tipo carrete

S/3.61

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

Power SO-8

N-Channel

1 Channel

25 V

270 A

980 uOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

224 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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