X-Class Power MOSFETs

IXYS X-Class Power MOSFETs are high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs. They are easy to mount and have a low RDS(ON) and QG with a low package inductance. Typical applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters and PFC circuits.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-3P (3)
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 26A TO-268HV Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-268-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 35 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-268AA
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
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Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
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No en existencias
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Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650v/32A Power MOSFET
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N/A

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3