Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 20

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Infineon Technologies
1: S/26.90
783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R099CFD7AATMA1

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726-IPB65R099CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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783En existencias

Cinta cortada

S/26.90

S/14.44

S/13.23

S/12.42

Envase tipo carrete

S/10.35

S/10.12

MouseReel Disponible

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: 1,000

SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

650 V

38 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

127 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R050CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/44.02
1,126En existencias

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IPW65R050CFD7AXKSA1

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726-IPW65R050CFD7AXK

Infineon Technologies

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S/44.02

S/24.41

S/22.62

S/21.84

Ver

Min.: 1
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

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- 20 V, 20 V

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227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.19
826En existencias

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726-IPB65R115CFD7AAT

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/19.19

S/12.30

S/10.86

S/10.04

Envase tipo carrete

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S/8.33

MouseReel Disponible

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114 W

Enhancement

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CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPBE65R099CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.33
771En existencias

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726-IPBE65R099CFD7AA

Infineon Technologies

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771En existencias

Cinta cortada

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S/13.35

S/12.57

Envase tipo carrete

S/10.43

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MouseReel Disponible

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24 A

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPP65R115CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.39
319En existencias

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IPP65R115CFD7AAKSA1

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726-IPP65R115CFD7AAK

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S/23.39

S/14.40

S/11.68

S/9.30

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Min.: 1
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+ 150 C

114 W

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AEC-Q101

CoolMOS

Tube

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IPWS65R050CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
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151En existencias

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IPWS65R050CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R050CFD7AX

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151En existencias

S/44.84

S/24.56

S/23.43

S/19.77

Min.: 1
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650 V

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102 nC

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+ 150 C

227 W

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AEC-Q101

CoolMOS

Tube

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IPBE65R075CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/32.00
815En existencias

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IPBE65R075CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R075CFD7AA

Infineon Technologies

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815En existencias

Cinta cortada

S/32.00

S/17.32

S/15.92

S/15.49

Envase tipo carrete

S/12.65

MouseReel Disponible

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+ 150 C

171 W

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AEC-Q101

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/53.64
180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R035CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R035CFD7AXK

Infineon Technologies

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180En existencias

S/53.64

S/30.32

S/28.18

S/25.34

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CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R230CFD7AATMA1
Infineon Technologies
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1,152En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R230CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R230CFD7AAT

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/15.96

S/8.10

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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23 nC

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+ 150 C

63 W

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AEC-Q101

CoolMOS

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IPB65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/38.03
495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R050CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R050CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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495En existencias

Cinta cortada

S/38.03

S/20.90

S/19.46

Envase tipo carrete

S/18.41

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

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+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R075CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.93
1,030En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R075CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R075CFD7AXK

Infineon Technologies

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1,030En existencias

S/35.93

S/19.23

S/17.75

S/17.71

S/17.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

32 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.60
503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R115CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

503En existencias

Cinta cortada

S/24.60

S/13.00

S/11.87

S/10.94

Envase tipo carrete

S/10.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R230CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.28
564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R230CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R230CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

564En existencias

Cinta cortada

S/17.28

S/11.41

S/8.02

S/6.81

Envase tipo carrete

S/6.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7-11

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

439 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPP65R099CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.21
218En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R099CFD7AAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R099CFD7AAK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

218En existencias

S/27.21

S/17.40

S/14.87

S/11.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R099CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.63
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R099CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R099CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

60En existencias

S/30.63

S/16.11

S/14.83

S/13.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/39.59
3,004En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R050CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R050CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

3,004En pedido

Cinta cortada

S/39.59

S/27.21

S/20.55

Envase tipo carrete

S/19.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7-11

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

92 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPP65R050CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
500: S/18.49
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R050CFD7AAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R050CFD7AAK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

S/18.49

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R115CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.91
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R115CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R115CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas

S/27.91

S/14.91

S/13.66

S/11.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPWS65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
240: S/29.12
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPWS65R035CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R035CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

S/29.12

Min.: 240
Mult.: 240

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

63 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 40 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPWS65R075CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
240: S/17.67
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPWS65R075CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R075CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

S/17.67

S/17.01

Min.: 240
Mult.: 240

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

32 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

68 nC

- 40 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

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