Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 20

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R099CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.30
795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R099CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R099CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

795En existencias

Cinta cortada

S/25.30

S/16.97

S/12.22

Envase tipo carrete

S/10.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

38 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

127 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.15
826En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R115CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

826En existencias

Cinta cortada

S/25.15

S/16.47

S/12.14

S/10.78

Envase tipo carrete

S/9.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R075CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/33.48
1,270En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R075CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R075CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

1,270En existencias

S/33.48

S/19.46

S/16.39

S/15.73

S/15.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

32 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPP65R115CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.84
335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R115CFD7AAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R115CFD7AAK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

335En existencias

S/21.84

S/13.20

S/10.74

S/8.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/50.56
180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R035CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R035CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

180En existencias

S/50.56

S/30.44

S/26.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

63 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPWS65R050CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.77
151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPWS65R050CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R050CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

151En existencias

S/41.77

S/24.72

S/22.07

S/20.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

- 40 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R075CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.86
815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R075CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R075CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

815En existencias

Cinta cortada

S/29.86

S/20.20

S/14.71

S/14.13

Envase tipo carrete

S/13.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7-11

N-Channel

1 Channel

650 V

32 A

139 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/38.77
568En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R050CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R050CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

568En existencias

Cinta cortada

S/38.77

S/26.47

S/21.84

S/19.46

Envase tipo carrete

S/18.22

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 40 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R050CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/44.76
1,126En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R050CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R050CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

1,126En existencias

S/44.76

S/32.35

S/26.98

S/24.02

S/22.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPP65R099CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.60
228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R099CFD7AAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R099CFD7AAK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

228En existencias

S/27.60

S/18.45

S/14.83

S/13.20

S/11.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R230CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.04
164En existencias
1,000Se espera el 2/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R230CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R230CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

164En existencias

1,000Se espera el 2/07/2026

Cinta cortada

S/16.04

S/10.51

S/7.82

S/6.58

Envase tipo carrete

S/6.07

S/5.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

230 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R099CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.71
781En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R099CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R099CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

781En existencias

Cinta cortada

S/27.71

S/18.57

S/14.91

S/13.23

Envase tipo carrete

S/11.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7-11

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

183 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.94
503En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R115CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

503En existencias

Cinta cortada

S/26.94

S/17.63

S/12.96

S/11.52

Envase tipo carrete

S/10.24

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R230CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.91
664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R230CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R230CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

664En existencias

Cinta cortada

S/17.91

S/11.72

S/8.76

S/7.32

Envase tipo carrete

S/6.77

S/6.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7-11

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

439 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R099CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.31
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R099CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R099CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

60En existencias

S/32.31

S/21.60

S/17.36

S/15.45

S/13.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

127 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/40.91
3,004En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R050CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R050CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

3,004En pedido

Cinta cortada

S/40.91

S/27.95

S/23.04

S/20.55

Envase tipo carrete

S/19.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7-11

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

92 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPP65R050CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
500: S/19.58
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R050CFD7AAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R050CFD7AAK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

S/19.58

S/18.29

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

45 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R115CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.36
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R115CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R115CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/27.36

S/18.29

S/14.71

S/13.08

S/11.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

115 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

114 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPWS65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
240: S/34.57
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPWS65R035CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R035CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

S/34.57

S/30.83

S/28.80

Min.: 240
Mult.: 240

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

63 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

145 nC

- 40 C

+ 150 C

305 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPWS65R075CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
240: S/20.20
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPWS65R075CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R075CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

S/20.20

S/18.02

S/16.85

Min.: 240
Mult.: 240

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

32 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

68 nC

- 40 C

+ 150 C

171 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte