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BSR316PH6327XTSA1

Name: Infineon BSR316PH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSR316PH6327XTSA
Price: 2.34 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-BSR316PH6327XTSA

Fabricante N.º:

BSR316PH6327XTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH

Hoja de datos:

BSR316PH6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/2.34	S/2.34
	S/1.40	S/14.00
	S/1.09	S/109.00
	S/0.852	S/426.00
	S/0.627	S/627.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.545	S/1,635.00
	S/0.529	S/3,174.00
	S/0.514	S/4,626.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SC-59-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	360 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.8 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	5.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	26 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	300 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	71 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5 ns
Alias de las piezas n.º:	BSR316P H6327 SP001101034
Peso de la unidad:	8 mg

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Models

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

SPICE Models

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia de pequeña señal

Infineon Small Signal Power MOSFETs are available in 7 industry-standard package types ranging from the largest SOT-223 down to the smallest SOT-363 measuring 2.1mm x 2mm x 0.9mm. These are offered in single, dual and complementary configurations. They are available in N-Channel, P-Channel or Complementary (both P-Channel and N-Channel within the same package) versions to meet a variety of design requirements. Typical applications for these devices include battery protection, LED lighting, low voltage drives, and DC/DC converters. Each of these Small Signal Power MOSFETs are also qualified to Automotive AEC Q101.
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BSR316P Small Signal Transistor

Infineon BSR316P Small Signal Transistor is a 20V to 250V P-channel power MOSFET. This transistor consistently meets the quality and performance requirements of power system design. The BSR316P is lead-free, AEC Q101 qualified, and features maximum 1.8Ω R_DS(on). These transistors are avalanche-rated and halogen-free. They include enhancement mode and footprint compatibility to SOT23. Applications include automotive, consumer, DC-DC, motor control, notebook, onboard charger, and eMobility.