Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Torex Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET 100V, 9.4mohm, 59A
Hoja de datos
2,990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 59.2 A 14.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Torex Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET 100V, 4.4mohm, 122A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 51 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 122 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 40.5 nC + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape