XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs

Torex Semiconductor XPJ101N04N8R and XPJ102N09N8R N-channel MOSFETs feature low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency. Due to their excellent figure of merit (FOM), these MOSFETs are ideal for applications that require high-speed switching characteristics. The XPJ101N04N8R offers on-resistance of 4.4mΩ, while the XPJ102N09N8R offers 9.4mΩ, and both are packaged in a DFN5060-8L package that measures 6mm x 4.9mm x 1.1mm. Torex Semiconductor XPJ101N04N8R and XPJ102N09N8R MOSFETs are suitable for various applications, including DC motors and switching circuits.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Torex Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET 100V, 9.4mohm, 59A
Hoja de datos
3,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 59.2 A 14.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC + 150 C 62.5 W Enhancement Reel
Torex Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET 100V, 4.4mohm, 122A
Hoja de datos
3,000Se espera el 21/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DFN5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 122 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 40.5 nC + 150 C 125 W Enhancement Reel