Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET

SI5515CDC-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/5.06
2,421En existencias

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SI5515CDC-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI5515CDC-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET

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S/5.06

S/3.17

S/2.09

S/1.62

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S/1.28

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: 3,000

SMD/SMT

ChipFET-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

36 mOhms, 100 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

11.3 nC, 11 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR

SI1553CDL-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.76
47,822En existencias

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SI1553CDL-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1553CDL-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR

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S/2.76

S/1.72

S/1.10

S/0.837

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S/0.638

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

700 mA

390 mOhms, 850 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

340 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR

SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
37,258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3585CDV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3585CDV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR

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S/3.39

S/2.10

S/1.36

S/1.04

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S/0.802

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

2.1 A, 3.9 A

58 mOhms, 195 mOhms

- 8 V, 8 V

600 mV

3.2 nC, 6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W, 1.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

SI4554DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/4.87
6,599En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4554DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4554DY-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

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S/4.87

S/3.06

S/2.00

S/1.54

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S/1.25

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

8 A

24 mOhms, 27 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V, 1.2 V

13.3 nC, 41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W, 3.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SC-70 N&P PAIR

SIA527DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
14,583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA527DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA527DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/3.39

S/2.10

S/1.36

S/1.04

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S/0.802

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SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

12 V

4.5 A

29 mOhms, 41 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

15 nC, 26 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

SI4599DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/5.41
5,431En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4599DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4599DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

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S/3.39

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S/1.46

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: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

40 V

5.8 A, 6.8 A

35.5 mOhms, 45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V, 1.4 V

11.7 nC, 25 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W, 3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA517DJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.78
15,197En existencias
24,000Se espera el 4/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
SIA517DJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA517DJ-GE3

Vishay Semiconductors

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S/3.78

S/2.35

S/1.53

S/1.18

Envase tipo carrete

S/1.05

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Mult.: 1

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SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

12 V

4.5 A

29 mOhms, 61 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

15 nC, 20 nC

- 55 C

+ 150 C

6.5 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- & P- Channel 20V MOSFET

SIA519EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
36,554En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA519EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA519EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N- & P- Channel 20V MOSFET

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S/3.70

S/2.29

S/1.49

S/1.14

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S/0.884

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: 3,000

SMD/SMT

PowerPAK-SC70-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

40 mOhms, 90 mOhms

- 8 V, 8 V

600 mV, 500 mV

3.7 nC, 5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA533EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
73,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA533EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIA533EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/2.29

S/1.49

S/1.14

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S/0.88

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: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

12 V

4.5 A

34 mOhms, 59 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

10 nC, 13 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SC70-6 N&P PAIR

SI1539CDL-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.30
2,926En existencias
12,000Se espera el 21/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI1539CDL-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1539CDL-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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S/0.907

S/0.681

Envase tipo carrete

S/0.514

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

700 mA

388 mOhms, 890 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

340 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

SI4532CDY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.44
3,413En existencias
27,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI4532CDY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4532CDY-GE3

Vishay Semiconductors

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S/2.77

S/1.81

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.17

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

4.3 A, 6 A

47 mOhms, 89 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

6 nC, 7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.78 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET

SI5513CDC-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
3,106En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI5513CDC-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI5513CDC-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET

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S/3.70

S/2.29

S/1.49

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.907

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

ChipFET-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

3.7 A, 4 A

55 mOhms, 150 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

4.2 nC, 5.6 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR

SI1016CX-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.45
32,619Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI1016CX-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1016CX-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR

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32,619Se espera el 15/10/2026

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S/2.45

S/1.52

S/0.973

S/0.736

Envase tipo carrete

S/0.557

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-89-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

350 mA, 500 mA

396 mOhms, 756 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

1.3 nC, 1.65 nC

- 55 C

+ 150 C

220 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

SIA537EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.85
3,000Existencias disponibles

N.º de artículo del Fabricante
SIA537EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA537EDJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70

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3,000Existencias disponibles

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Cinta cortada

S/3.85

S/2.41

S/1.57

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.934

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-70-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

12 V, 20 V

4.5 A

23 mOhms, 44 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

16 nC, 25 nC

- 55 C

+ 150 C

7.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V

SQUN702E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
2,000: S/7.40
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQUN702E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQUN702E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V

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S/7.40

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

Triple die

N-Channel, P-Channel

3 Channel

40 V, 200 V

20 A, 30 A

9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms

- 25 V, 25 V

1.5 V, 2.5 V

14 nC, 23 nC, 30.2 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W, 60 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

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