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FDMS86105

Name: onsemi FDMS86105
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86105
Price: 11.09 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

512-FDMS86105

Fabricante N.º:

FDMS86105

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Hoja de datos:

FDMS86105 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Plazo de entrega de fábrica:: 52

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Mínimo: 1 Múltiples: 1 Máxima: 530

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/11.09	S/11.09
	S/7.12	S/71.20
	S/4.90	S/490.00
	S/3.97	S/1,985.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/3.97	S/11,910.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Power-56-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	34 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	11 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	48 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Transconductancia hacia delante - Mín.:	15 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	FDMS86105
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	68.100 mg

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Hoja de datos

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PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

FDMS86105 N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDMS86105 N-Channel PowerTrench® MOSFETs are designed to minimize on-state resistance while maintaining superior switching performance. These 100V, 26A, 34mΩ onsemi MOSFETs feature MSL 1 robust package design. onsemi FDMS86105 PowerTrench MOSFETs are designed for use in primary DC-DC, secondary DC-DC, and load switch applications.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.