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SQ4946CEY-T1_GE3

Name: Vishay SQ4946CEY-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQ4946CEY-T1_GE3
Price: 5.96 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SQ4946CEY-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQ4946CEY-T1_GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE

Hoja de datos:

SQ4946CEY-T1_GE3 Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/5.96	S/5.96
	S/3.76	S/37.60
	S/2.51	S/251.00
	S/1.97	S/985.00
	S/1.79	S/1,790.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/1.60	S/4,000.00
	S/1.51	S/7,550.00
	S/1.41	S/35,250.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	82.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	14.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	4 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	15 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4 ns
Serie:	SQ
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	17 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns
Peso de la unidad:	750 mg

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

48V DC/DC Converters

Vishay 48V DC/DC Converters are used in the products that need to remain 12V battery load while 48V battery is used in the vehicles. These converters can bring down 48V-12V, so the converter is a significant application for future cars. Different topologies are made possible with these devices like multiphase coupled and non-coupled inductors. Vishay offers a broad portfolio of solutions with standard devices like MOSFETs, diodes, resistors, capacitors, inductors, and customized magnetic solutions.

SQ4946CEY Auto Dual N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SQ4946CEY Auto Dual N-Channel MOSFET offers 60V_DS drain-source voltage, ±100nA gate-source leakage, and 865pF maximum input capacitance. This MOSFET features TrenchFET® power and is ideal for automotive applications. Vishay / Siliconix SQ4946CEY Auto Dual N-Channel MOSFET is AEC-Q101 qualified, 100% R_g and UIS tested, RoHS-compliant, and halogen-free.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.