Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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IXT 200V X4 Ultra Junction Power MOSFETs

IXYS IXT 200V X4 Ultra Junction Power MOSFETs are N-channel enhancement-mode devices with either 10.6mΩ, 13mΩ, or 21mΩ R_DS(on) and a 200V maximum drain-source voltage. The IXT MOSFETs are available in TO-220, TO-247, TO-263, or TO-268 standard package style that is avalanche-rated with high-power density. The IXYS IXT 200V X4 Ultra Junction Power MOSFETs are ideal for use in switch-mode and resonant-mode power supplies.

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Resultados: 9

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET IXTH60N20X4 IXYS 1: S/60.57 354En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTH60N20X4 N.º de artículo de Mouser 747-IXTH60N20X4	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET Obtenga más información sobre IXYS ixt x4 mosfets	Hoja de datos	354En existencias	S/60.57 S/34.22 S/33.86	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	200 V	60 A	21 mOhms	20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	X4-Class	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 94A N-CH X4CLASS IXTP94N20X4 IXYS 1: S/65.82 719En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTP94N20X4 N.º de artículo de Mouser 747-IXTP94N20X4	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 94A N-CH X4CLASS Obtenga más información sobre IXYS ix4 ultra junction mosfets	Hoja de datos	719En existencias	S/65.82 S/38.26 S/38.22 S/37.68	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	94 A	10.6 mOhms	20 V	4.5 V	77 nC	- 55 C	+ 175 C	360 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET IXTA60N20X4 IXYS 1: S/55.08 499En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTA60N20X4 N.º de artículo de Mouser 747-IXTA60N20X4	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET Obtenga más información sobre IXYS ixt x4 mosfets	Hoja de datos	499En existencias	S/55.08 S/31.45 S/29.93	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	200 V	60 A	21 mOhms	20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	X4-Class	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET IXTP60N20X4 IXYS 1: S/52.16 268En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTP60N20X4 N.º de artículo de Mouser 747-IXTP60N20X4	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET Obtenga más información sobre IXYS ixt x4 mosfets	Hoja de datos	268En existencias	S/52.16 S/29.62 S/27.87	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	60 A	21 mOhms	20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	X4-Class	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS IXTA86N20X4 IXYS 1: S/61.85 2,004En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTA86N20X4 N.º de artículo de Mouser 747-IXTA86N20X4	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS Obtenga más información sobre IXYS ix4 ultra junction mosfets	Hoja de datos	2,004En existencias	S/61.85 S/35.73 S/34.80	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	200 V	86 A	13 mOhms	20 V	4.5 V	70 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 220A N-CH X4CLASS IXTH220N20X4 IXYS 1: S/95.21 1,208En existencias	N.º de artículo del Fabricante IXTH220N20X4 N.º de artículo de Mouser 747-IXTH220N20X4	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 220A N-CH X4CLASS Obtenga más información sobre IXYS x4 100v 150v hiperfet mosfets	Hoja de datos	1,208En existencias	S/95.21 S/56.09 S/55.43	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	200 V	220 A	5.5 mOhms	20 V	4.5 V	157 nC	- 55 C	+ 175 C	800 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 94A N-CH X4CLASS IXTA94N20X4 IXYS 1: S/69.09 620En pedido	N.º de artículo del Fabricante IXTA94N20X4 N.º de artículo de Mouser 747-IXTA94N20X4	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 94A N-CH X4CLASS Obtenga más información sobre IXYS ix4 ultra junction mosfets	Hoja de datos	620En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IXTA94N20X4 Existencias: 0 En pedido: 220 Se espera el 22/03/2027 400 Se espera el 23/03/2027 Plazo de entrega de fábrica: 30 Semanas	S/69.09 S/45.78 S/37.68	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	TO-263-3	N-Channel	1 Channel	200 V	94 A	10.6 mOhms	20 V	4.5 V	77 nC	- 55 C	+ 175 C	360 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 86A N-CH X4CLASS IXTP86N20X4 IXYS 300: S/35.23 450Existencias en fábrica disponibles	N.º de artículo del Fabricante IXTP86N20X4 N.º de artículo de Mouser 747-IXTP86N20X4	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 86A N-CH X4CLASS Obtenga más información sobre IXYS ix4 ultra junction mosfets	Hoja de datos	450Existencias en fábrica disponibles Más información disponible	S/35.23	Min.: 300 Mult.: 50	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	86 A	13 mOhms	20 V	4.5 V	70 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 94A N-CH X4CLASS IXTH94N20X4 IXYS 1: S/67.22 Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IXTH94N20X4 N.º de artículo de Mouser 747-IXTH94N20X4	IXYS	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 94A N-CH X4CLASS Obtenga más información sobre IXYS x4 100v 150v hiperfet mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas	S/67.22 S/51.19 S/42.62 S/36.01	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	200 V	94 A	10.6 mOhms	20 V	4.5 V	77 nC	- 55 C	+ 175 C	360 W	Enhancement		Tube

IXT 200V X4 Ultra Junction Power MOSFETs

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