Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 40

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 1.5KV 3A N-CH HIVOLT

IXTQ3N150M
IXYS
1: S/45.58
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ3N150M

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ3N150M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 1.5KV 3A N-CH HIVOLT

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/45.58

S/25.38

S/23.59

S/22.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

1.5 kV

1.83 A

7.3 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

- 55 C

+ 150 C

73 W

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 1.5KV 4A N-CH HIVOLT

IXTT4N150HV
IXYS
300: S/127.52
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTT4N150HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT4N150HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 1.5KV 4A N-CH HIVOLT

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/127.52

Min.: 300
Mult.: 30

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

375 nC

- 55 C

+ 150 C

280 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.5 Amps 1000V

IXTU05N100
IXYS
1: S/14.52
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTU05N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTU05N100

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.5 Amps 1000V

Hoja de datos

No en existencias

Cinta cortada

S/14.52

S/9.50

Envase tipo carrete

S/9.50

S/6.89

S/5.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 75

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

750 mA

17 Ohms

- 30 V, 30 V

- 55 C

+ 150 C

40 W

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 1000V

IXTX24N100
IXYS
300: S/102.88
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTX24N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX24N100

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 1000V

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

S/102.88

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

24 A

400 mOhms

- 20 V, 20 V

5.5 V

267 nC

- 55 C

+ 150 C

568 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 1000V 7 Rds

IXTA2N100
IXYS
300: S/16.19
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXTA2N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA2N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 1000V 7 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/16.19

S/14.40

S/12.77

Min.: 300
Mult.: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

2 A

7 Ohms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V

IXTH13N80
IXYS
300: S/31.18
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXTH13N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH13N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V

Hoja de datos

No en existencias

S/31.18

S/27.75

S/25.96

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

800 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.7 Rds

IXTH14N80
IXYS
30: S/48.77
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXTH14N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH14N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.7 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/48.77

S/40.60

S/36.20

S/33.83

Min.: 30
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

14 A

700 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 600V 0.35 Rds

IXTH20N60
IXYS
300: S/32.93
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXTH20N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH20N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 600V 0.35 Rds

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

S/32.93

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

350 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 300V 0.085 Rds

IXTH40N30
IXYS
300: S/32.50
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXTH40N30

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH40N30

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 300V 0.085 Rds

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

S/32.50

S/30.36

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

40 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 5 Amps 1000V 2 Rds

IXTH5N100A
IXYS
300: S/32.54
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXTH5N100A

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH5N100A

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 5 Amps 1000V 2 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/32.54

S/29.00

S/27.09

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

5 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

180 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 67 Amps 100V 0.025 Rds

IXTH67N10
IXYS
30: S/40.05
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXTH67N10

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH67N10

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 67 Amps 100V 0.025 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/40.05

S/33.32

S/29.70

S/27.75

Min.: 30
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

67 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STD N-CHNL PWR MOSFE 100V, 75A

IXTH75N10
IXYS
300: S/116.11
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXTH75N10

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH75N10

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STD N-CHNL PWR MOSFE 100V, 75A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/116.11

Presupuesto

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 33 Amps 500V 0.17 Rds

IXTK33N50
IXYS
300: S/53.13
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXTK33N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK33N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 33 Amps 500V 0.17 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/53.13

S/50.29

Presupuesto

Min.: 300
Mult.: 300

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

33 A

170 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.5 Amps 1000V 11 Rds

IXTP1N100
IXYS
300: S/11.25
Plazo de entrega no en existencias 38 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXTP1N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP1N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.5 Amps 1000V 11 Rds

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 38 Semanas

S/11.25

S/8.17

Min.: 300
Mult.: 50

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

1.5 A

11 Ohms

- 30 V, 30 V

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.02 Rds

IXTT75N10
IXYS
30: S/106.07
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXTT75N10

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT75N10

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.02 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/106.07

S/91.67

S/86.80

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

SMD/SMT

TO-268-3

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

100 mA
700 mA
750 mA
1.5 A
1.83 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
5 A
6 A
12 A
13 A
14 A
16 A
20 A
24 A
33 A
40 A
67 A

20 mOhms
25 mOhms
85 mOhms
170 mOhms
350 mOhms
400 mOhms
700 mOhms
800 mOhms
950 mOhms
1 Ohms
2 Ohms
2.2 Ohms
2.4 Ohms
2.6 Ohms
3.5 Ohms
3.85 Ohms
4.5 Ohms
6 Ohms
6.2 Ohms
7 Ohms