Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

TP65H050G4YS

Name: Renesas Electronics TP65H050G4YS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050G4YS
Price: 38.03 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

227-TP65H050G4YS

Fabricante N.º:

TP65H050G4YS

Fabricante:

Renesas Electronics

Descripción:

GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L

Hoja de datos:

TP65H050G4YS Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Renesas Electronics TP65H050G4YS

En existencias: 611

Existencias:: 611 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/38.03	S/38.03
	S/26.16	S/261.60
	S/17.40	S/1,740.00
	S/17.36	S/20,832.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	35 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	60 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	16 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	132 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
Configuración:	Cascode
Tiempo de caída:	8 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	5 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Cantidad de empaque de fábrica:	1200
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	40 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

TP65H050G4YS Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET

Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN^® FET is a 50mΩ Gallium Nitride (GaN) normally-off device available in 4 Lead TO-247 package. This Gen IV SuperGaN FET uses Gen IV platform, which supports advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability. The TP65H050G4YS 650V FET combines a state-of-the-art high-voltage GaN HEMT with a low-voltage silicon MOSFET for superior reliability and performance. This SuperGaN FET improves efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Typical applications include datacom broad industrial, PV inverter, and servo motor.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.