Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 17

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 190A

BUK7J1R4-40HX
Nexperia
1: S/10.70
21,350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK7J1R4-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7J1R4-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 190A

Obtenga más información

Hoja de datos

21,350En existencias

Cinta cortada

S/10.70

S/6.85

S/4.67

S/3.88

Ver

Envase tipo carrete

S/3.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56E-4

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

740 uOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Trench 9

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 190A

BUK7Y1R4-40HX
Nexperia
1: S/11.05
6,467En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK7Y1R4-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y1R4-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 190A

Obtenga más información

Hoja de datos

6,467En existencias

Cinta cortada

S/11.05

S/7.08

S/4.90

S/4.16

S/3.51

Envase tipo carrete

S/3.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

190 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y2R0-40HX
Nexperia
1: S/8.99
2,980En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK7Y2R0-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y2R0-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,980En existencias

Cinta cortada

S/8.99

S/5.72

S/3.85

S/3.12

S/2.62

Envase tipo carrete

S/2.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.07 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

90.5 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Trench 9

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y3R5-40HX
Nexperia
1: S/5.92
5,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK7Y3R5-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y3R5-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

Obtenga más información

Hoja de datos

5,988En existencias

Cinta cortada

S/5.92

S/3.67

S/2.39

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.90

S/1.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 190A

BUK9Y1R3-40HX
Nexperia
1: S/11.33
1,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y1R3-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y1R3-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 190A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,278En existencias

Cinta cortada

S/11.33

S/7.28

S/4.94

S/4.20

S/3.37

Envase tipo carrete

S/3.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

190 A

1.3 mOhms

- 10 V, 16 V

2.05 V

99 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK9Y2R8-40HX
Nexperia
1,500: S/1.88
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y2R8-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y2R8-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,500En existencias

Envase tipo carrete

S/1.88

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.8 mOhms

- 10 V, 16 V

2.05 V

4.7 nC

- 55 C

+ 175 C

172 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y1R7-40HX
Nexperia
1: S/9.46
1,440En existencias
1,500Se espera el 29/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
BUK7Y1R7-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y1R7-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,440En existencias

1,500Se espera el 29/06/2026

Cinta cortada

S/9.46

S/6.03

S/4.16

S/3.33

S/2.92

Envase tipo carrete

S/2.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

950 uOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Trench 9

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 68A

BUK7Y7R0-40HX
Nexperia
1: S/4.90
2,201En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK7Y7R0-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y7R0-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 68A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,201En existencias

Cinta cortada

S/4.90

S/3.07

S/2.02

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56-4

N-Channel

1 Channel

40 V

68 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

64 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product.

BUK9K13-40HX
Nexperia
1: S/8.45
263En existencias
1,500Se espera el 28/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BUK9K13-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9K13-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product.

Obtenga más información

Hoja de datos

Comentarios de Producto

263En existencias

1,500Se espera el 28/09/2026

Cinta cortada

S/8.45

S/5.37

S/3.62

S/2.82

S/1.87

Envase tipo carrete

S/1.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56D-8

N-Channel

2 Channel

40 V

42 A

13.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 220A

BUK7J1R0-40HX
Nexperia
1: S/14.91
2,990Se espera el 5/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK7J1R0-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7J1R0-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 220A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,990Se espera el 5/02/2027

Cinta cortada

S/14.91

S/9.77

S/6.81

S/5.57

S/5.22

Envase tipo carrete

S/5.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56E-4

N-Channel

1 Channel

40 V

220 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y2R5-40HX
Nexperia
1: S/8.33
1,500Se espera el 4/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK7Y2R5-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y2R5-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,500Se espera el 4/01/2027

Cinta cortada

S/8.33

S/5.33

S/3.60

S/2.86

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

Trench 9

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y3R0-40HX
Nexperia
1: S/7.01
3,000Se espera el 28/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
BUK7Y3R0-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y3R0-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

Obtenga más información

Hoja de datos

3,000Se espera el 28/09/2026

Cinta cortada

S/7.01

S/4.48

S/2.99

S/2.35

Envase tipo carrete

S/1.89

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

172 W

Enhancement

Trench 9

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 70A

BUK9Y6R5-40HX
Nexperia
1: S/2.61
1,500Se espera el 8/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y6R5-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y6R5-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 70A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,500Se espera el 8/01/2027

Cinta cortada

S/2.61

S/1.67

S/1.36

S/1.30

Envase tipo carrete

S/1.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.15 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

64 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 220A

BUK9J0R9-40HX
Nexperia
1,500: S/5.80
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BUK9J0R9-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9J0R9-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 220A

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/5.80

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56E-4

N-Channel

1 Channel

40 V

220 A

940 uOhms

- 16 V, 16 V

1.35 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK9Y1R6-40HX
Nexperia
1,500: S/3.04
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y1R6-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y1R6-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.04

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

: 1,500

LFPAK-56-5

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK9Y1R9-40HX
Nexperia
1,500: S/2.52
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y1R9-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y1R9-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.52

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

: 1,500

LFPAK-56-5

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK9Y2R4-40HX
Nexperia
1,500: S/2.70
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y2R4-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y2R4-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.70

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

: 1,500

LFPAK-56-5

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte