Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench 9 Superjunction MOSFETs

Nexperia Trench 9 Superjunction MOSFETs combine low voltage superjunction technology with advanced packaging design to deliver high performance and ruggedness. Trench 9 MOSFETs are all qualified to AEC-Q101, and exceed the requirements of this international automotive standard by as much as two times on key reliability tests, including Temperature Cycling (TC), High-Temperature Gate Bias (HTGB), High-Temperature Reverse Bias (HTRB), and Intermittent Operating Life (IOL).

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Resultados: 17

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 190A

BUK7J1R4-40HX
Nexperia
1: S/15.41
21,657En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK7J1R4-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7J1R4-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 190A

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21,657En existencias

Cinta cortada

S/15.41

S/9.89

S/7.98

S/6.73

Envase tipo carrete

S/5.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56E-4

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

740 uOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Trench 9

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y3R5-40HX
Nexperia
1: S/6.34
6,467En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK7Y3R5-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y3R5-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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Hoja de datos

6,467En existencias

Cinta cortada

S/6.34

S/4.13

S/2.96

S/2.63

Envase tipo carrete

S/1.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 190A

BUK9Y1R3-40HX
Nexperia
1: S/12.53
1,404En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y1R3-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y1R3-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 190A

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1,404En existencias

Cinta cortada

S/12.53

S/8.17

S/6.23

S/5.57

Envase tipo carrete

S/3.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

190 A

1.3 mOhms

- 10 V, 16 V

2.05 V

99 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK9Y2R8-40HX
Nexperia
1,500: S/1.88
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y2R8-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y2R8-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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1,500En existencias

Envase tipo carrete

S/1.88

S/1.74

S/1.66

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Carrete: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.8 mOhms

- 10 V, 16 V

2.05 V

4.7 nC

- 55 C

+ 175 C

172 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 68A

BUK7Y7R0-40HX
Nexperia
1: S/4.55
2,203En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK7Y7R0-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y7R0-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 68A

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2,203En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/2.86

S/1.89

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56-4

N-Channel

1 Channel

40 V

68 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

64 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 190A

BUK7Y1R4-40HX
Nexperia
1: S/12.61
103En existencias
6,000En pedido

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BUK7Y1R4-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y1R4-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 190A

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103En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

S/12.61

S/8.06

S/6.11

S/5.49

Envase tipo carrete

S/3.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

190 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

395 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 42A

BUK9K13-40HX
Nexperia
1: S/6.66
176En existencias
1,500Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK9K13-40HX

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771-BUK9K13-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 42A

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Hoja de datos

176En existencias

1,500Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/6.66

S/4.16

S/3.11

S/2.77

Envase tipo carrete

S/1.47

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56D-8

N-Channel

2 Channel

40 V

42 A

13.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 220A

BUK7J1R0-40HX
Nexperia
1: S/17.32
2,990Se espera el 7/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
BUK7J1R0-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7J1R0-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 220A

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Hoja de datos

2,990Se espera el 7/12/2026

Cinta cortada

S/17.32

S/11.25

S/8.64

S/7.82

Envase tipo carrete

S/5.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56E-4

N-Channel

1 Channel

40 V

220 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y2R0-40HX
Nexperia
1: S/9.93
2,990Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK7Y2R0-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y2R0-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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Hoja de datos

2,990Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/9.93

S/6.31

S/4.75

S/4.24

Envase tipo carrete

S/2.97

S/2.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.07 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

90.5 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

Trench 9

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y1R7-40HX
Nexperia
1: S/11.25
1,496Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
BUK7Y1R7-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y1R7-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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Hoja de datos

1,496Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/11.25

S/7.16

S/5.41

S/4.83

Envase tipo carrete

S/3.37

S/3.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

950 uOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

Trench 9

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y2R5-40HX
Nexperia
1: S/7.59
1,500Se espera el 21/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
BUK7Y2R5-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y2R5-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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Hoja de datos

1,500Se espera el 21/12/2026

Cinta cortada

S/7.59

S/4.87

S/4.67

S/3.27

Envase tipo carrete

S/2.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

Trench 9

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK7Y3R0-40HX
Nexperia
1: S/6.38
2,998Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
BUK7Y3R0-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y3R0-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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Hoja de datos

2,998Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/6.38

S/4.05

S/3.81

S/2.71

Envase tipo carrete

S/1.85

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

172 W

Enhancement

Trench 9

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 70A

BUK9Y6R5-40HX
Nexperia
1: S/2.45
1,500Se espera el 30/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y6R5-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y6R5-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 70A

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Hoja de datos

1,500Se espera el 30/11/2026

Cinta cortada

S/2.45

S/1.55

S/1.35

S/1.26

Envase tipo carrete

S/1.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.15 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

64 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK9Y2R4-40HX
Nexperia
1,500: S/2.32
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y2R4-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y2R4-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.32

S/2.16

S/2.07

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Carrete: 1,500

LFPAK-56-5

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 220A

BUK9J0R9-40HX
Nexperia
1,500: S/4.63
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BUK9J0R9-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9J0R9-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 220A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/4.63

S/4.55

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Carrete: 1,500

SMD/SMT

LFPAK-56E-4

N-Channel

1 Channel

40 V

220 A

940 uOhms

- 16 V, 16 V

1.35 V

168 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK9Y1R6-40HX
Nexperia
1,500: S/2.82
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y1R6-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y1R6-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.82

S/2.63

S/2.56

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Carrete: 1,500

LFPAK-56-5

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

BUK9Y1R9-40HX
Nexperia
1,500: S/2.41
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y1R9-40HX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y1R9-40HX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.41

S/2.23

S/2.14

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Carrete: 1,500

LFPAK-56-5

Reel

Trench 9 Superjunction MOSFETs

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