NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST Module

onsemi NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST Module offers three channels, higher output power, and easy module mounting. Each channel contains two 1000V, 100A IGBTs, two 1200V, 30A SiC diodes, and two 1600V, 30A bypass diodes. The Q2BOOST Module provides excellent efficiency and thermal losses, with the flexibility to support different manufacturing processes.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
onsemi NXH300B100H4Q2F2S1G
onsemi Módulos IGBT PIM 1500V 250KW Q2BOOST 36En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2SG
onsemi Módulos IGBT MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
Hoja de datos
36En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2PG
onsemi Módulos IGBT MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
Hoja de datos
72Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 36
Mult.: 36

SiC IGBT Modules Dual Common Source 1 kV 1.8 V 73 A 400 nA 194 W - 40 C + 150 C Tray