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NDSH40120C-F155

Name: onsemi NDSH40120C-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH40120C-F155
Price: 58.85 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NDSH40120C-F155

Fabricante N.º:

NDSH40120C-F155

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

Hoja de datos:

NDSH40120C-F155 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/58.85	S/58.85
	S/40.17	S/401.70
	S/35.11	S/3,511.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	46 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.75 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	195 A
Ir - Corriente inversa:	9 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	NDSH40120C-F155
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Dp - Disipación de potencia :	366 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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Hoja de datos

NDSH40120C-F155 Hoja de datos

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

NDSH40120C-F155 Silicon Carbide Schottky Diode

onsemi NDSH40120C-F155 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. NDSH40120C-F155 features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. This EliteSiC diode offers a positive temperature coefficient and ease of paralleling. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. Applications include general purpose, SMPS, solar inverters, UPS, and power switching circuits.