Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 10

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/72.01
1,972En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R028G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R028G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

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Hoja de datos

1,972En existencias

Cinta cortada

S/72.01

S/51.15

S/44.69

S/41.73

Envase tipo carrete

S/41.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

75 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

123 nC

- 55 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.15
1,174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R080G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R080G7XTM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,174En existencias

Cinta cortada

S/29.15

S/16.54

S/15.18

S/14.64

S/13.82

Envase tipo carrete

S/13.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.23
1,575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R080G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,575En existencias

Cinta cortada

S/29.23

S/18.45

S/14.40

S/13.74

S/11.72

Envase tipo carrete

S/11.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/23.55
1,098En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R102G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

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Hoja de datos

1,098En existencias

Cinta cortada

S/23.55

S/12.38

S/11.33

S/10.32

S/9.73

Envase tipo carrete

S/9.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

141 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/21.95
143En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R125G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R125G7XTM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

143En existencias

Cinta cortada

S/21.95

S/11.44

S/10.39

S/8.68

S/8.17

Envase tipo carrete

S/8.17

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/44.30
28En existencias
2,000Se espera el 1/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R050G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

28En existencias

2,000Se espera el 1/04/2027

Cinta cortada

S/44.30

S/27.44

S/23.55

S/22.03

S/20.59

Envase tipo carrete

S/20.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

44 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R150G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/17.56
108En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R150G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R150G7XTM1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Hoja de datos

108En existencias

Cinta cortada

S/17.56

S/11.60

S/8.21

S/7.67

Envase tipo carrete

S/7.28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R190G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/15.06
3,400Se espera el 3/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R190G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R190G7XTM1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

3,400Se espera el 3/11/2026

Cinta cortada

S/15.06

S/7.82

S/7.05

S/5.45

S/5.10

Envase tipo carrete

S/5.10

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

76 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/42.55
1,475Se espera el 1/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R050G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R050G7XTM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,475Se espera el 1/04/2027

Cinta cortada

S/42.55

S/29.31

S/22.54

Envase tipo carrete

S/21.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

47 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
2,000: S/7.79
Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R125G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R125G7XTMA1

NRND

Infineon Technologies

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Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas

Envase tipo carrete

S/7.79

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

108 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

Reel

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