Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 11

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R190G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/12.34
1,483En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R190G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R190G7XTM1

Infineon Technologies

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1,483En existencias

Cinta cortada

S/12.34

S/8.02

S/5.57

S/4.83

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.84

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

76 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/35.07
2,682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R050G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

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2,682En existencias

Cinta cortada

S/35.07

S/23.98

S/19.15

S/19.11

S/17.01

Envase tipo carrete

S/15.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

44 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPT60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/19.73
1,783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R102G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

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1,783En existencias

Cinta cortada

S/19.73

S/13.12

S/9.42

S/8.95

Ver

Envase tipo carrete

S/7.28

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

141 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IPDD60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/24.41
1,354En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R080G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R080G7XTM1

Infineon Technologies

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1,354En existencias

Cinta cortada

S/24.41

S/17.36

S/12.73

S/11.48

Envase tipo carrete

S/10.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/21.99
2,005En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R080G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

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2,005En existencias

Cinta cortada

S/21.99

S/16.58

S/11.99

S/11.95

Ver

Envase tipo carrete

S/9.77

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/54.73
2,122En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R028G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R028G7XTMA1

Infineon Technologies

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2,122En existencias

Cinta cortada

S/54.73

S/38.42

S/34.22

S/31.61

Envase tipo carrete

S/27.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

75 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

123 nC

- 55 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPDD60R150G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/15.18
1,136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R150G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R150G7XTM1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

1,136En existencias

Cinta cortada

S/15.18

S/10.00

S/7.32

S/6.58

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.33

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/8.29
665En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R125G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R125G7XTM1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

665En existencias

Cinta cortada

S/8.29

S/7.75

S/7.63

S/7.59

S/6.27

Envase tipo carrete

S/6.23

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/35.58
21En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R050G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R050G7XTM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

21En existencias

Cinta cortada

S/35.58

S/25.42

S/20.79

S/19.46

S/16.97

Envase tipo carrete

S/16.97

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

47 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/16.78
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R125G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R125G7XTMA1

NRND

Infineon Technologies

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Cinta cortada

S/16.78

S/11.09

S/7.82

S/7.16

S/6.66

Envase tipo carrete

S/5.80

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

108 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
1,700: S/8.45
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R102G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R102G7XTM1

Infineon Technologies

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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

Envase tipo carrete

S/8.45

Min.: 1,700
Mult.: 1,700

Carrete: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

102 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

Reel

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