Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/27.71
1,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R080G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R080G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,700En existencias

Cinta cortada

S/27.71

S/18.53

S/14.91

S/13.27

S/10.67

Envase tipo carrete

S/10.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

29 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/20.82
665En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R125G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R125G7XTM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

665En existencias

Cinta cortada

S/20.82

S/13.08

S/9.89

S/8.52

Envase tipo carrete

S/7.36

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R080G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/32.27
1,199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R080G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R080G7XTM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,199En existencias

Cinta cortada

S/32.27

S/21.72

S/15.14

S/13.20

S/11.76

Envase tipo carrete

S/11.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R102G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/25.07
1,098En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R102G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R102G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

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Hoja de datos

1,098En existencias

Cinta cortada

S/25.07

S/16.58

S/12.07

S/10.59

Envase tipo carrete

S/9.58

S/9.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

23 A

88 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

141 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/49.67
25En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R050G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R050G7XTM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

25En existencias

Cinta cortada

S/49.67

S/34.25

S/25.53

S/22.69

S/19.85

Envase tipo carrete

S/19.85

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

47 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R050G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/48.81
30En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R050G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R050G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

30En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

S/48.81

S/33.63

S/22.58

S/20.09

S/19.23

Envase tipo carrete

S/19.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

44 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

68 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R150G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.26
148En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R150G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R150G7XTM1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Hoja de datos

148En existencias

Cinta cortada

S/18.26

S/11.95

S/8.91

S/7.47

Envase tipo carrete

S/6.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R028G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/74.54
1,950Se espera el 15/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R028G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R028G7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

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Hoja de datos

1,950Se espera el 15/07/2026

Cinta cortada

S/74.54

S/56.13

S/45.81

S/43.75

S/40.17

Envase tipo carrete

S/36.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

75 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

123 nC

- 55 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDD60R190G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/14.29
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R190G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R190G7XTM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Cinta cortada

S/14.29

S/9.07

S/6.38

S/5.33

S/5.25

Envase tipo carrete

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,700

SMD/SMT

HDSOP-10

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

76 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

IPT60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/20.05
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R125G7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R125G7XTMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

Cinta cortada

S/20.05

S/12.96

S/9.69

S/8.10

Envase tipo carrete

S/7.12

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

108 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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