HN1C03FU-A(TE85L,F

Toshiba
757-HN1C03FU-ATE85LF
HN1C03FU-A(TE85L,F

Fabricante:

Descripción:
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
Si
SMD/SMT
SMT-6
NPN
Single
300 mA
20 V
50 V
20 V
42 mV
200 mW
30 MHz
- 55 C
+ 150 C
HN1C03
Reel
Cut Tape
Marca: Toshiba
Corriente continua del colector: 300 mA
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima: 200
Máx. ganancia de CC hFE: 1200
Tipo de producto: BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541210095
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Japón
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/2.30 S/2.30
S/1.45 S/14.50
S/0.926 S/92.60
S/0.654 S/327.00
S/0.576 S/576.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
S/0.494 S/1,482.00
S/0.436 S/2,616.00
S/0.354 S/3,186.00
S/0.323 S/7,752.00

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