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NCV51561BBDWR2G

Name: onsemi NCV51561BBDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV51561BBDWR2G
Price: 15.57 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NCV51561BBDWR2G

Fabricante N.º:

NCV51561BBDWR2G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Automotive Gate Driver Automotive

Hoja de datos:

NCV51561BBDWR2G Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/15.57	S/15.57
	S/11.79	S/117.90
	S/10.82	S/270.50
	S/9.77	S/977.00
	S/8.99	S/2,247.50
	S/8.87	S/4,435.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	S/8.29	S/8,290.00
	S/8.06	S/16,120.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Controladores de puerta con aislamiento galvánico
RoHS:
Serie:	NCV51561
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-16
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Retraso de propagación - Máx.:	58 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	2 Output
Producto:	MOSFET Gate Drivers
Tipo de producto:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Voltaje de alimentación - Máx.:	5 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Tecnología:	SiC
Tipo:	High-Side, Low-Side

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Hoja de datos

NCV51561BBDWR2G Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NCV51561 Isolated Dual Channel Gate Driver

onsemi NCV51561 Isolated Dual-Channel Gate Driver features a 4.5A source and 9A sink peak current with short and matched propagation delays. The NCV51561 is intended for fast switching to drive power MOSFETs and SiC MOSFET power switches.