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NTMTS0D7N04CTXG

Name: onsemi NTMTS0D7N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS0D7N04CTXG
Price: 14.48 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMTS0D7N04CTXG

Fabricante N.º:

NTMTS0D7N04CTXG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH

Hoja de datos:

NTMTS0D7N04CTXG Hoja de datos

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	S/14.48	S/14.48
	S/9.50	S/95.00
	S/6.62	S/662.00
	S/5.84	S/2,920.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/4.75	S/14,250.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFNW-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	420 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	670 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	140 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	205 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	20.4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	200 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18.1 ns
Serie:	NTMTS0D7N04C
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	61 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	28.9 ns
Peso de la unidad:	319.280 mg

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NTMTS0D7N04CTXG Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

NTMTS0D7N04C 40V N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMTS0D7N04C 40V N-Channel Power MOSFET is produced using onsemi’s advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process minimizes on-state resistance while maintaining superior switching performance with a leading soft body diode. The onsemi NTMTS0D7N04C offers 420A continuous drain current (I_D) and a low drain-to-source on-resistance (R_DS(on) of 0.67mΩ (max.).