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SIA436DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA436DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIA436DJ-T1-GE3
Price: 3.89 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIA436DJ-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIA436DJ-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

Hoja de datos:

SIA436DJ-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/3.89	S/3.89
	S/2.43	S/24.30
	S/1.58	S/158.00
	S/1.22	S/610.00
	S/1.11	S/1,110.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	S/0.973	S/2,919.00
	S/0.899	S/5,394.00
	S/0.876	S/7,884.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SC-70-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	8 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, 5 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	350 mV
Qg - Carga de puerta:	15 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	19 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET, PowerPAK
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	70 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Serie:	SIA
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Alias de las piezas n.º:	SIA436DJ-GE3
Peso de la unidad:	1 g

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SIA436DJ-T1-GE3 Hoja de datos

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PCN

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REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET

Vishay / Siliconix SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET is offered in a compact PowerPAK SC-70 package to save PCB space in portable electronics. This MOSFET comes with on-resistance values that are 18% lower than previous generation solutions and up to 64% lower than the closest competing N-channel device in a 2mm x 2mm footprint area. This ultra-low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption, in addition to a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted undervoltage lockout. Vishay / Siliconix SiA436DJ on-resistance ratings are down to 1.2V, which simplifies circuit design by allowing the MOSFET to work with the low voltage power rails common in handheld devices, providing longer battery operation between charges.