Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

UF3N120007K4S

Name: onsemi UF3N120007K4S
Brand: onsemi
SKU: 772-UF3N120007K4S
Price: 264.34 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

772-UF3N120007K4S

Fabricante N.º:

UF3N120007K4S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

UF3N120007K4S Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi UF3N120007K4S

En existencias: 1,433

Existencias:: 1,433 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 31 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/264.34	S/264.34
	S/219.15	S/2,191.50
	S/195.48	S/23,457.60
1,020	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Configuración:	Single
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 30 V to 30 V
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0:	20 uA
Id - Corriente de drenaje continua:	120 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.1 mOhms
Dp - Disipación de potencia :	789 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	UF3N
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

UF3N120007K4S Hoja de datos

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UF3N120007K4S 1200V JFET N-Channel Transistor

onsemi UF3N120007K4S 1200V EliteSic JFET N-Channel Transistor is a 1200V, 7.1mΩ high-performance Gen 3 normally-on SiC JFET transistor. This device exhibits ultra-low on-resistance [R_DS(ON)] in a TO247-4 package, making it ideal for addressing the challenging thermal constraints of solid-state circuit breakers and relay applications. The onsemi UF3N120007K4SJFET is a robust technology capable of the high-energy switching required in circuit protection applications.