Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DFN0606 Trench MOSFETs

Nexperia DFN0606 Trench MOSFETs are designed to utilize Trench MOSFET technology to provide low threshold voltage and very fast switching. These Nexperia MOSFETs feature electrostatic discharge (ESD) protection and are available in a leadless ultra-small DFN0606-3 (SOT8001) surface-mount (SMD) plastic package. Typical applications include mobile phones, wearable and portable devices, mobile phone accessories, headsets, earphones, and hearing aids.

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Resultados: 11

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 50V .38A

NX5008NBKHH
Nexperia
1: S/0.545
190En existencias
20,000Se espera el 26/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NX5008NBKHH

N.º de artículo de Mouser
771-NX5008NBKHH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 50V .38A

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190En existencias

20,000Se espera el 26/10/2026

Cinta cortada

S/0.545

S/0.30

S/0.249

S/0.191

Ver

Envase tipo carrete

S/0.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

N-Channel

1 Channel

50 V

350 mA

2.8 Ohms

- 8 V, 8 V

900 mV

470 pC

- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 P-CH 30V .52A

PMH1200UPEH
Nexperia
1: S/0.506
664En existencias
40,000Se espera el 4/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
PMH1200UPEH

N.º de artículo de Mouser
771-PMH1200UPEH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 P-CH 30V .52A

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Hoja de datos

664En existencias

40,000Se espera el 4/05/2026

Cinta cortada

S/0.506

S/0.292

S/0.245

S/0.226

Ver

Envase tipo carrete

S/0.191

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

P-Channel

1 Channel

30 V

520 mA

1.6 Ohms

- 10 V, 10 V

950 mV

400 pC

- 55 C

+ 150 C

710 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 P-CH 30V .6A

PMH850UPEH
Nexperia
1: S/1.28
6,575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PMH850UPEH

N.º de artículo de Mouser
771-PMH850UPEH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 P-CH 30V .6A

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6,575En existencias

Cinta cortada

S/1.28

S/0.775

S/0.689

S/0.487

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Envase tipo carrete

S/0.265

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

P-Channel

1 Channel

30 V

600 mA

1 Ohms

- 8 V, 8 V

950 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

660 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 60V .38A

NX138BKHH
Nexperia
1: S/0.428
29,624Se espera el 26/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NX138BKHH

N.º de artículo de Mouser
771-NX138BKHH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 60V .38A

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29,624Se espera el 26/10/2026

Cinta cortada

S/0.428

S/0.234

S/0.23

S/0.214

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Envase tipo carrete

S/0.144

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

N-Channel

1 Channel

60 V

380 mA

2.3 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

500 pC

- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 60V .35A

NX7002BKHH
Nexperia
1: S/1.13
39,527Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
NX7002BKHH

N.º de artículo de Mouser
771-NX7002BKHH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 60V .35A

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39,527Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/1.13

S/0.697

S/0.494

S/0.428

Ver

Envase tipo carrete

S/0.202

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

DFN-1006-3

N-Channel

1 Channel

60 V

350 mA

2.8 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

710 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 20V 1.2A

PMH260UNEH
Nexperia
1: S/1.48
9,692Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
PMH260UNEH

N.º de artículo de Mouser
771-PMH260UNEH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 20V 1.2A

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9,692Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/1.48

S/1.02

S/0.65

S/0.646

Ver

Envase tipo carrete

S/0.272

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.2 A

310 mOhms

- 8 V, 8 V

950 mV

630 pC

- 55 C

+ 150 C

660 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 30V .77A

PMH550UNEH
Nexperia
1: S/1.36
9,900Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMH550UNEH

N.º de artículo de Mouser
771-PMH550UNEH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 30V .77A

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9,900Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/1.36

S/0.946

S/0.603

S/0.599

Ver

Envase tipo carrete

S/0.253

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

N-Channel

1 Channel

30 V

770 mA

670 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV

400 pC

- 55 C

+ 150 C

710 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 P-CH 20V .8A

PMH550UPEH
Nexperia
1: S/1.17
29,929En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PMH550UPEH

N.º de artículo de Mouser
771-PMH550UPEH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 P-CH 20V .8A

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29,929En pedido

Cinta cortada

S/1.17

S/0.708

S/0.681

S/0.444

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Envase tipo carrete

S/0.222

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

P-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

640 mOhms

- 8 V, 8 V

950 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

660 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 20V .8A

PMH600UNEH
Nexperia
1: S/1.17
30,000Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
PMH600UNEH

N.º de artículo de Mouser
771-PMH600UNEH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 20V .8A

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30,000Se espera el 8/02/2027

Cinta cortada

S/1.17

S/0.755

S/0.51

S/0.479

Ver

Envase tipo carrete

S/0.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

620 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV

310 pC

- 55 C

+ 150 C

625 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 P-CH 20V .53A

PMH950UPEH
Nexperia
1: S/1.36
19,805En pedido

N.º de artículo del Fabricante
PMH950UPEH

N.º de artículo de Mouser
771-PMH950UPEH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 P-CH 20V .53A

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19,805En pedido

Cinta cortada

S/1.36

S/0.934

S/0.596

S/0.592

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Envase tipo carrete

S/0.249

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

P-Channel

1 Channel

20 V

530 mA

1.4 Ohms

- 8 V, 8 V

950 mV

290 pC

- 55 C

+ 150 C

625 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 30V .9A

PMH400UNEH
Nexperia
1: S/1.36
20,000Se espera el 4/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
PMH400UNEH

N.º de artículo de Mouser
771-PMH400UNEH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 30V .9A

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20,000Se espera el 4/05/2026

Cinta cortada

S/1.36

S/0.814

S/0.693

S/0.51

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Envase tipo carrete

S/0.206

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

N-Channel

1 Channel

30 V

900 mA

460 mOhms

- 8 V, 8 V

950 mV

620 pC

- 55 C

+ 150 C

660 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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