Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DFN0606 Trench MOSFETs

Nexperia DFN0606 Trench MOSFETs are designed to utilize Trench MOSFET technology to provide low threshold voltage and very fast switching. These Nexperia MOSFETs feature electrostatic discharge (ESD) protection and are available in a leadless ultra-small DFN0606-3 (SOT8001) surface-mount (SMD) plastic package. Typical applications include mobile phones, wearable and portable devices, mobile phone accessories, headsets, earphones, and hearing aids.

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Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 60V .35A

NX7002BKHH
Nexperia
1: S/1.21
98,027En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NX7002BKHH

N.º de artículo de Mouser
771-NX7002BKHH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 60V .35A

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Cinta cortada

S/1.21

S/0.705

S/0.428

S/0.308

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Envase tipo carrete

S/0.179

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

DFN-1006-3

N-Channel

1 Channel

60 V

350 mA

2.8 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

710 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 60V .38A

NX138BKHH
Nexperia
1: S/1.28
29,624Se espera el 20/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
NX138BKHH

N.º de artículo de Mouser
771-NX138BKHH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 60V .38A

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29,624Se espera el 20/11/2026

Cinta cortada

S/1.28

S/0.74

S/0.452

S/0.327

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Envase tipo carrete

S/0.187

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

N-Channel

1 Channel

60 V

380 mA

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- 20 V, 20 V

1.5 V

500 pC

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+ 150 C

2.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 50V .38A

NX5008NBKHH
Nexperia
1: S/1.36
20,000Se espera el 27/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
NX5008NBKHH

N.º de artículo de Mouser
771-NX5008NBKHH

Nexperia

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20,000Se espera el 27/11/2026

Cinta cortada

S/1.36

S/0.934

S/0.592

S/0.374

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Envase tipo carrete

S/0.218

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DFN-0606-3

N-Channel

1 Channel

50 V

350 mA

2.8 Ohms

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- 55 C

+ 150 C

2.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 P-CH 30V .52A

PMH1200UPEH
Nexperia
1: S/1.56
39,664Se espera el 20/11/2026

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PMH1200UPEH

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771-PMH1200UPEH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 P-CH 30V .52A

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Cinta cortada

S/1.56

S/0.907

S/0.557

S/0.401

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Envase tipo carrete

S/0.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DFN-0606-3

P-Channel

1 Channel

30 V

520 mA

1.6 Ohms

- 10 V, 10 V

950 mV

400 pC

- 55 C

+ 150 C

710 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 20V 1.2A

PMH260UNEH
Nexperia
1: S/1.67
10,000Se espera el 7/06/2027

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PMH260UNEH

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771-PMH260UNEH

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S/1.67

S/1.02

S/0.67

S/0.471

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Envase tipo carrete

S/0.237

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

N-Channel

1 Channel

20 V

1.2 A

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- 8 V, 8 V

950 mV

630 pC

- 55 C

+ 150 C

660 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 30V .9A

PMH400UNEH
Nexperia
1: S/1.44
20,000Se espera el 7/06/2027

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PMH400UNEH

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771-PMH400UNEH

Nexperia

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S/1.44

S/0.973

S/0.619

S/0.389

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Envase tipo carrete

S/0.226

MouseReel Disponible

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: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

N-Channel

1 Channel

30 V

900 mA

460 mOhms

- 8 V, 8 V

950 mV

620 pC

- 55 C

+ 150 C

660 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 30V .77A

PMH550UNEH
Nexperia
1: S/1.40
10,000Se espera el 27/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
PMH550UNEH

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771-PMH550UNEH

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 30V .77A

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S/1.40

S/0.95

S/0.67

S/0.436

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Envase tipo carrete

S/0.222

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

N-Channel

1 Channel

30 V

770 mA

670 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV

400 pC

- 55 C

+ 150 C

710 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 P-CH 20V .8A

PMH550UPEH
Nexperia
1: S/1.52
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PMH550UPEH

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771-PMH550UPEH

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S/1.52

S/1.04

S/0.658

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S/0.241

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

P-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

640 mOhms

- 8 V, 8 V

950 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

660 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 N-CH 20V .8A

PMH600UNEH
Nexperia
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19,970En pedido

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PMH600UNEH

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771-PMH600UNEH

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S/1.36

S/0.786

S/0.483

S/0.346

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S/0.199

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Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

N-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

620 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV

310 pC

- 55 C

+ 150 C

625 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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PMH850UPEH
Nexperia
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8,280Se espera el 7/06/2027

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PMH850UPEH

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771-PMH850UPEH

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S/1.25

S/0.771

S/0.487

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S/0.487

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

P-Channel

1 Channel

30 V

600 mA

1 Ohms

- 8 V, 8 V

950 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

660 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8001 P-CH 20V .53A

PMH950UPEH
Nexperia
1: S/1.36
20,000Se espera el 22/01/2027

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PMH950UPEH

N.º de artículo de Mouser
771-PMH950UPEH

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S/1.36

S/0.938

S/0.596

S/0.374

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S/0.218

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

DFN-0606-3

P-Channel

1 Channel

20 V

530 mA

1.4 Ohms

- 8 V, 8 V

950 mV

290 pC

- 55 C

+ 150 C

625 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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