MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTH4L022N120M3S

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTH4L022N120M3S de Onsemi son una familia de MOSFET SiC planar M3S de 1200 V. El NTH4L022N120M3S de onsemi está optimizado para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología planar funciona de manera confiable con controladores de voltaje de puerta negativo y apaga los picos en la puerta. Estos MOSFET cuentan con un rendimiento óptimo cuando se accionan con una unidad de puerta de 18 V, pero también funcionan bien con una unidad de puertas 15 V.