Wireless Driver Amplifiers

Infineon Technologies Wireless Driver Amplifiers can be used as pre-drivers or drivers in RF applications from massive MIMO 5G base stations to small cells and access points. The tiny but mighty amplifiers typically sit between transceiver IC and power amplifier but can also be used as power amplifiers for low-power applications. The Infineon Technologies Driver Amplifiers boast high linearity and an excellent wide-band gain flatness for optimum linearization results of the driven PA.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Frecuencia de trabajo Voltaje de alimentación operativo Ganancia NF - Figura de ruido Tipo Estilo de montaje Paquete / Cubierta Tecnología P1dB: punto de compresión OIP3: punto de intersección de tercer orden Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Empaquetado
Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE 5,907En existencias
Cinta cortada
S/19.97
S/16.15
S/15.06
S/13.78
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Envase tipo carrete
S/11.72
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000
3.1 GHz to 4.2 GHz 4.75 V to 5.25 V 38.5 dB 3.3 dB Driver Amplifiers SMD/SMT VQFN-24 31 dBm 41.1 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE 870En existencias
Cinta cortada
S/22.34
S/18.14
S/16.93
S/15.45
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Envase tipo carrete
S/13.43
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
3.3 GHz to 4.2 GHz 4.75 V to 5.25 V 35 dB 3.2 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 Si 28.5 dBm 34.1 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE 1,995En existencias
Cinta cortada
S/22.50
S/17.17
S/15.80
S/14.32
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Envase tipo carrete
S/13.04
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
2.3 GHz to 2.7 GHz 4.75 V to 5.25 V 35.1 dB 3.4 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 Si 28.9 dBm 34.3 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE 1,995En existencias
Cinta cortada
S/22.50
S/17.17
S/15.80
S/14.32
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Envase tipo carrete
S/13.23
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
3.3 GHz to 4.2 GHz 4.75 V to 5.25 V 35.2 dB 3.1 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 Si 28.5 dBm 34.5 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE 1,873En existencias
Cinta cortada
S/22.34
S/18.14
S/16.93
S/15.45
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Envase tipo carrete
S/12.92
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
2.3 GHz to 2.7 GHz 4.75 V to 5.25 V 34.8 dB 3.8 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 Si 28.9 dBm 34.2 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape