Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SUM & SUP ThunderFET / TrenchFET MOSFETs

Vishay SUM and SUP ThunderFET® / TrenchFET® MOSFETs feature N-channel polarity options to expand on the ThunderFET and TrenchFET IV series low- and mid-range V_DS voltage MOSFETs. The SUM and SUP series are offered in TO-220 and TO-263 packages with voltages of 60V_DS, 80V_DS, and 100V_Ds. Vishay SUM and SUP ThunderFET / TrenchFET MOSFETs have a maximum junction temperature of 175°C and are 100% R_g and UIS tested. Typical applications include power supplies, motor drive switches, DC/DC power inverters and converters, power tools, battery management, and more.

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Resultados: 27

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 110A 375W

SUM110P08-11L-E3
Vishay / Siliconix
1: S/21.45
73,649En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM110P08-11L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM110P08-11L-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 110A 375W

Hoja de datos

73,649En existencias

Cinta cortada

S/21.45

S/14.32

S/10.28

S/9.46

Envase tipo carrete

S/9.42

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

80 V

110 A

11.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-263-3

SUM50020E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/15.61
4,463En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM50020E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM50020E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-263-3

Hoja de datos

4,463En existencias

S/15.61

S/10.20

S/7.98

S/6.70

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-220AB

SUP50020E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.84
806En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP50020E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP50020E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds TrenchFET TO-220AB

Hoja de datos

806En existencias

S/15.84

S/10.32

S/8.10

S/6.77

S/5.92

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 P-CH 80V 150A

SUM60061EL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/31.68
11,308En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM60061EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM60061EL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 P-CH 80V 150A

Hoja de datos

11,308En existencias

S/31.68

S/16.39

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

80 V

150 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

218 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 150A N-CH MOSFET

SUM70042E-GE3
Vishay
1: S/16.58
1,341En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM70042E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70042E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 150A N-CH MOSFET

Hoja de datos

1,341En existencias

S/16.58

S/10.94

S/7.75

S/6.70

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

4 mOhms

- 10 V, 10 V

4 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs TO-263

SUM70101EL-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/20.01
5,253En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM70101EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70101EL-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V Vds 20V Vgs TO-263

Hoja de datos

5,253En existencias

Cinta cortada

S/20.01

S/13.31

S/9.54

S/8.49

Envase tipo carrete

S/8.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

120 A

10.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 150A N-CH MOSFET

SUM90100E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/19.23
1,026En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM90100E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM90100E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 150A N-CH MOSFET

Hoja de datos

1,026En existencias

S/19.23

S/12.77

S/9.11

S/8.17

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

150 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs TO-220

SUP50020EL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/15.73
1,074En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP50020EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP50020EL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs TO-220

Obtenga más información

Hoja de datos

1,074En existencias

S/15.73

S/10.35

S/8.45

S/7.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 65A 375W 30mohm @ 10V

SUM65N20-30-E3
Vishay Semiconductors
1: S/24.41
1,081En existencias
4,800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SUM65N20-30-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM65N20-30-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 65A 375W 30mohm @ 10V

Hoja de datos

1,081En existencias

4,800En pedido

Cinta cortada

S/24.41

S/11.21

Envase tipo carrete

S/11.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

65 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 90A 375W 19mohm @ 10V

SUM90P10-19L-E3
Vishay Semiconductors
1: S/20.01
5,818En existencias
10,400Se espera el 8/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUM90P10-19L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM90P10-19L-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 90A 375W 19mohm @ 10V

Hoja de datos

5,818En existencias

10,400Se espera el 8/05/2026

Cinta cortada

S/20.01

S/8.60

Envase tipo carrete

S/8.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

90 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

217 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V

SUM70042M-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/25.46
178En existencias
800Se espera el 15/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUM70042M-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70042M-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V

Hoja de datos

178En existencias

800Se espera el 15/07/2026

Cinta cortada

S/25.46

S/11.87

Envase tipo carrete

S/11.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.83 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L

SUM70040M-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/16.54
1,241En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM70040M-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70040M-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L

Obtenga más información

Hoja de datos

1,241En existencias

Cinta cortada

S/16.54

S/10.78

S/8.45

S/7.51

Envase tipo carrete

S/6.58

S/6.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 110A 375W

SUM110N10-09-E3
Vishay / Siliconix
1: S/21.72
1,027En existencias
6,400En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SUM110N10-09-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM110N10-09-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 110A 375W

Hoja de datos

1,027En existencias

6,400En pedido

Cinta cortada

S/21.72

S/13.86

S/10.47

S/8.87

Envase tipo carrete

S/8.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SUM1

SUM110P04-04L-E3
Vishay Semiconductors
1: S/21.88
525En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SUM110P04-04L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM110P04-04L-E3

NRND

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SUM1

Hoja de datos

525En existencias

Cinta cortada

S/21.88

S/14.64

S/10.51

S/10.08

Envase tipo carrete

S/9.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

110 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

235 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80V (D-S) TrenchFET

SUM60030E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/19.81
409En existencias
800Se espera el 7/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUM60030E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM60030E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80V (D-S) TrenchFET

Obtenga más información

Hoja de datos

409En existencias

800Se espera el 7/05/2026

Cinta cortada

S/19.81

S/8.49

Envase tipo carrete

S/8.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-4

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

141 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs TO-220

SUP60030E-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/18.33
384En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUP60030E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP60030E-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs TO-220

Obtenga más información

Hoja de datos

384En existencias

S/18.33

S/7.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

141 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 150A N-CH MOSFET

SUP70042E-GE3
Vishay
1: S/16.70
341En existencias
1,000Se espera el 23/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUP70042E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP70042E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 150A N-CH MOSFET

Hoja de datos

341En existencias

1,000Se espera el 23/04/2026

S/16.70

S/8.56

S/7.79

S/7.67

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-220AB

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

4 mOhms

- 10 V, 10 V

4 V

84 nC

- 55 C

+ 175 C

278 W

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 150A N-CH MOSFET

SUP90100E-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/17.87
422En existencias
500Se espera el 23/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUP90100E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP90100E-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 150A N-CH MOSFET

Hoja de datos

422En existencias

500Se espera el 23/04/2026

S/17.87

S/11.83

S/8.41

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

150 A

12.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 60A 150W

SUM60N10-17-E3
Vishay Semiconductors
1: S/19.31
1,600En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM60N10-17-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM60N10-17-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 60A 150W

Hoja de datos

1,600En existencias

Cinta cortada

S/19.31

S/11.56

S/9.50

S/7.51

Envase tipo carrete

S/7.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

16.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

SUM50020EL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/16.54
8En existencias
1,600Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUM50020EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM50020EL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

Obtenga más información

Hoja de datos

8En existencias

1,600Se espera el 16/11/2026

Cinta cortada

S/16.54

S/11.13

S/8.60

S/7.28

Envase tipo carrete

S/6.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

126 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 150A N-CH MOSFET

SUM70030M-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/23.55
50En existencias
1,600Se espera el 29/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUM70030M-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUM70030M-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 100V 150A N-CH MOSFET

Hoja de datos

50En existencias

1,600Se espera el 29/07/2026

Cinta cortada

S/23.55

S/15.45

S/11.37

S/10.12

Envase tipo carrete

S/9.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

142.4 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 P-CH 80V 150A

SUP60061EL-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/23.24
7En existencias
10,500Se espera el 30/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUP60061EL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SUP60061EL-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 P-CH 80V 150A

Hoja de datos

7En existencias

10,500Se espera el 30/11/2026

S/23.24

S/15.26

S/11.21

S/9.96

S/8.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

P-Channel

1 Channel

80 V

150 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

218 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V 45A 375W 58mohm @ 10V

SUM45N25-58-E3
Vishay / Siliconix
1: S/22.77
3,191Se espera el 3/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SUM45N25-58-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM45N25-58-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V 45A 375W 58mohm @ 10V

Hoja de datos

3,191Se espera el 3/07/2026

Cinta cortada

S/22.77

S/10.24

Envase tipo carrete

S/10.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

45 A

58 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 55A 125W

SUM55P06-19L-E3
Vishay / Siliconix
1: S/15.34
8,275En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SUM55P06-19L-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM55P06-19L-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 55A 125W

Hoja de datos

8,275En pedido

Cinta cortada

S/15.34

S/9.46

S/7.12

S/5.33

Envase tipo carrete

S/5.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

55 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 50A 83W w/Sense Terminal

SUM50N03-13LC-E3
Vishay / Siliconix
800: S/4.40
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SUM50N03-13LC-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SUM50N03-13LC-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 50A 83W w/Sense Terminal

No en existencias

Envase tipo carrete

S/4.40

S/4.13

Min.: 800
Mult.: 800

: 800

SMD/SMT

TO-263-5

TrenchFET

Reel

SUM & SUP ThunderFET / TrenchFET MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.8 mOhms
3.2 mOhms
3.5 mOhms
3.8 mOhms
3.83 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
8.1 mOhms
8.6 mOhms
9.5 mOhms
10.1 mOhms
11.2 mOhms
12.4 mOhms
12.9 mOhms
16.5 mOhms
19 mOhms
30 mOhms