Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
3,847En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ009NE2LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ009NE2LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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40 A

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69 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ065N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.13
6,017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ065N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ065N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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S/4.13

S/1.71

S/1.25

S/1.05

Envase tipo carrete

S/0.884

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TSDSON-8

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1 Channel

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49 A

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- 20 V, 20 V

2 V

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26 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE008N03LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.98
4,732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE008N03LM5CGATMA1

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726-IQE008N03LM5CGAT

Infineon Technologies

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S/10.98

S/7.12

S/4.90

S/4.05

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Envase tipo carrete

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253 A

850 uOhms

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64 nC

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89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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IQDH29NE2LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.87
4,913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQDH29NE2LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH29NE2LM5CGAT

Infineon Technologies

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S/6.70

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQDH35N03LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.70
2,450En existencias
5,000Se espera el 6/08/2026

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IQDH35N03LM5CGATMA1

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726-IQDH35N03LM5CGAT

Infineon Technologies

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5,000Se espera el 6/08/2026

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S/16.70

S/10.98

S/8.21

S/7.28

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Envase tipo carrete

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.20
9,164En existencias

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IQE006NE2LM5CGSCATMA1

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726-IQE006NE2LM5CGSC

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S/7.12

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Envase tipo carrete

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2 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE006NE2LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.37
2,648En existencias

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726-IQE006NE2LM5SCAT

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S/5.10

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Envase tipo carrete

S/3.44

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

47 A

580 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

82 nC

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+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.06
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BSC011N03LSATMA1

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726-BSC011N03LSATMA1

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S/3.48

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S/2.14

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TDSON-8

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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BSC0504NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/1.87
14,297En existencias

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BSC0504NSIATMA1

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726-BSC0504NSIATMA1

Infineon Technologies

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S/1.87

S/1.76

S/1.39

S/1.38

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S/1.23

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

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30 V

72 A

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1.2 V

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+ 150 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.59
7,552En existencias
2,200Se espera el 26/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC0901NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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7,552En existencias

2,200Se espera el 26/02/2026

Cinta cortada

S/4.59

S/1.78

S/1.46

S/1.35

S/1.29

Envase tipo carrete

S/1.12

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Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

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- 20 V, 20 V

1.2 V

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- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ019N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.59
7,893En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ019N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ019N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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7,893En existencias

Cinta cortada

S/7.59

S/4.83

S/3.28

S/2.60

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Envase tipo carrete

S/1.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

149 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.97
13,719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0506NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

13,719En existencias

Cinta cortada

S/3.97

S/2.55

S/1.72

S/1.55

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

BSZ0904NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.24
29,880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0904NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0904NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

29,880En existencias

Cinta cortada

S/4.24

S/2.22

S/1.71

S/1.34

Envase tipo carrete

S/0.965

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE008N03LM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.25
5,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE008N03LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE008N03LM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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5,133En existencias

Cinta cortada

S/11.25

S/7.28

S/5.18

S/4.36

Envase tipo carrete

S/3.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

30 V

253 A

850 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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