Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance

IQE012N03LM5CGATMA1
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1: S/10.90
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S/10.90

S/7.05

S/4.83

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IQDH29NE2LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.03
1,114En existencias
5,000Se espera el 28/01/2027

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S/19.03

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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S/4.98

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

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BSC0504NSIATMA1

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BSZ019N03LSATMA1
Infineon Technologies
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BSZ019N03LSATMA1

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726-BSZ019N03LSATMA1

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237En existencias

40,000En pedido

Cinta cortada

S/8.52

S/5.41

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S/2.95

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Envase tipo carrete

S/2.38

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IQDH35N03LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.58
10En existencias
15,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQDH35N03LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQDH35N03LM5CGAT

Infineon Technologies

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10En existencias

15,000En pedido

Cinta cortada

S/19.58

S/12.85

S/9.58

S/8.02

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Envase tipo carrete

S/7.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
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TTFN-9

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278 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.78
6En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQE006NE2LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE006NE2LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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6En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

S/16.78

S/10.08

S/7.05

S/5.72

S/5.33

Envase tipo carrete

S/5.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

25 V

47 A

580 uOhms

- 16 V, 16 V

2 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.77
55,900En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC011N03LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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55,900En pedido

Cinta cortada

S/9.77

S/6.19

S/4.16

S/3.39

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Envase tipo carrete

S/2.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

230 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.27
47,341En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0506NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Cinta cortada

S/6.27

S/3.86

S/2.55

S/2.00

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Envase tipo carrete

S/1.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

IQE012N03LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.79
6,000Se espera el 17/12/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE012N03LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE012N03LM5CGSC

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance

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6,000Se espera el 17/12/2026

Cinta cortada

S/11.79

S/7.63

S/5.22

S/4.24

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Envase tipo carrete

S/3.35

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

SMD/SMT

WHTFN-9

N-Channel

1 Channel

30 V

224 A

1.15 mOhms

16 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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