Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 17

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Paquete / Cubierta

Número de canales

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Id - Corriente de drenaje continua

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE008N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 11.09 2,082En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE008N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE008N03LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2,082En existencias	Cinta cortada S/ 11.09 S/ 5.49 S/ 4.94 S/ 3.97 Ver Envase tipo carrete S/ 3.46 S/ 3.81 S/ 3.74 S/ 3.46	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	30 V	253 A	850 uOhms	16 V	2 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	89 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance IQE012N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 10.24 4,000En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE012N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE012N03LM5CGAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,000En existencias	Cinta cortada S/ 10.24 S/ 5.02 S/ 4.52 S/ 3.60 Ver Envase tipo carrete S/ 3.14 S/ 3.52 S/ 3.42 S/ 3.14	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	30 V	224 A	1.15 mOhms	16 V	2 V	40 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE006NE2LM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 11.02 6,109En existencias 12,000Se espera el 12/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IQE006NE2LM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE006NE2LM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6,109En existencias 12,000Se espera el 12/11/2026	Cinta cortada S/ 11.02 S/ 7.12 S/ 4.90 S/ 3.93 Envase tipo carrete S/ 3.93 Presupuesto Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	47 A	580 uOhms	16 V	2 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V BSC0504NSIATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 4.67 18,605En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC0504NSIATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC0504NSIATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon usb power delivery solution	Hoja de datos	18,605En existencias	Cinta cortada S/ 4.67 S/ 2.17 S/ 1.93 S/ 1.49 Envase tipo carrete S/ 1.10 Ver S/ 1.46 S/ 1.31 S/ 1.06 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	72 A	3.7 mOhms	20 V	1.2 V	11.1 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC0901NSATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 7.79 6,779En existencias 10,000Se espera el 28/01/2027	N.º de artículo del Fabricante BSC0901NSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC0901NSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6,779En existencias 10,000Se espera el 28/01/2027	Cinta cortada S/ 7.79 S/ 3.71 S/ 3.03 S/ 2.44 Ver Envase tipo carrete S/ 1.99 S/ 2.32 S/ 2.12 S/ 1.99 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	100 A	1.6 mOhms	20 V	1.2 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ0904NSIATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 5.57 13,991En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSZ0904NSIATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ0904NSIATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	13,991En existencias	Cinta cortada S/ 5.57 S/ 2.62 S/ 2.33 S/ 1.82 Ver Envase tipo carrete S/ 1.36 S/ 1.79 S/ 1.71 S/ 1.36 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	40 A	4.6 mOhms	20 V	2 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE008N03LM5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 14.17 3,913En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE008N03LM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE008N03LM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3,913En existencias	Cinta cortada S/ 14.17 S/ 7.12 S/ 6.46 S/ 5.25 Ver Envase tipo carrete S/ 4.90 S/ 5.22 S/ 5.02 S/ 4.90	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	30 V	253 A	850 uOhms	16 V	2 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	89 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V BSZ009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 12.26 110En existencias 10,000Se espera el 29/07/2027	N.º de artículo del Fabricante BSZ009NE2LS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ009NE2LS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	110En existencias 10,000Se espera el 29/07/2027	Cinta cortada S/ 12.26 S/ 7.28 S/ 5.49 S/ 4.55 S/ 4.44 Envase tipo carrete S/ 4.01	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	40 A	960 uOhms	16 V	2 V	92 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ065N03LSATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 4.24 4,170En existencias 5,000Se espera el 19/11/2026	N.º de artículo del Fabricante BSZ065N03LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ065N03LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon wireless charging	Hoja de datos	4,170En existencias 5,000Se espera el 19/11/2026	Cinta cortada S/ 4.24 S/ 2.03 S/ 1.79 S/ 1.44 Envase tipo carrete S/ 1.09 Ver S/ 1.39 S/ 1.35 S/ 1.07 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	49 A	6.5 mOhms	20 V	2 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	26 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 8.87 59,350En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC011N03LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC011N03LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	59,350En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC011N03LSATMA1 Existencias: 0 En pedido: 9,350 Se espera el 7/01/2027 10,000 Se espera el 28/01/2027 15,000 Se espera el 6/05/2027 25,000 Se espera el 12/08/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/ 8.87 S/ 4.36 S/ 3.81 S/ 3.06 Ver Envase tipo carrete S/ 2.44 S/ 2.79 S/ 2.61 S/ 2.44 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	230 A	1.1 mOhms	20 V	2 V	72 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS BSZ019N03LSATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 8.41 29,503En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ019N03LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ019N03LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	29,503En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSZ019N03LSATMA1 Existencias: 0 En pedido: 9,503 Se espera el 6/05/2027 20,000 Se espera el 30/09/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/ 8.41 S/ 4.63 S/ 3.65 S/ 2.95 Ver Envase tipo carrete S/ 2.38 S/ 2.81 S/ 2.59 S/ 2.38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	149 A	2 mOhms	20 V	2 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V BSZ0506NSATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 6.27 47,193En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSZ0506NSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ0506NSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon wireless charging	Hoja de datos	47,193En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSZ0506NSATMA1 Existencias: 0 En pedido: 7,193 Se espera el 1/04/2027 20,000 Se espera el 22/04/2027 20,000 Se espera el 2/09/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/ 6.27 S/ 2.69 S/ 2.25 S/ 1.83 Ver Envase tipo carrete S/ 1.38 S/ 1.76 S/ 1.75 S/ 1.38 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	30 V	40 A	4.4 mOhms	20 V	2 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	27 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQDH29NE2LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 18.10 9,928En pedido	N.º de artículo del Fabricante IQDH29NE2LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQDH29NE2LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	9,928En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IQDH29NE2LM5CGATMA1 Existencias: 0 En pedido: 4,928 Se espera el 23/09/2027 5,000 Se espera el 30/09/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/ 18.10 S/ 9.38 S/ 8.45 S/ 7.36 Ver Envase tipo carrete S/ 6.73 S/ 7.32 S/ 7.24 S/ 6.73	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	25 V	789 A	290 uOhms	16 V	2 V	88 nC	- 55 C	+ 150 C	333 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQDH35N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 19.27 19,834Se espera el 2/09/2027	N.º de artículo del Fabricante IQDH35N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQDH35N03LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	19,834Se espera el 2/09/2027	Cinta cortada S/ 19.27 S/ 10.08 S/ 9.11 S/ 7.86 Ver Envase tipo carrete S/ 6.97 S/ 7.79 S/ 7.75 S/ 6.97 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	30 V	700 A	350 uOhms	20 V	2 V	91 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 25 V Power Block in 5x6 mm BSG0812NDATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 12.61 4,997Se espera el 12/08/2027	N.º de artículo del Fabricante BSG0812NDATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSG0812NDATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 25 V Power Block in 5x6 mm Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4,997Se espera el 12/08/2027	Cinta cortada S/ 12.61 S/ 7.24 S/ 5.68 S/ 4.71 S/ 4.59 Envase tipo carrete S/ 4.16	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TISON-8	N-Channel	2 Channel	25 V	50 A	900 mOhms, 3.5 mOhms	16 V	2 V	5.6 nC	- 55 C	+ 150 C	6.25 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 15.03 5,841Se espera el 28/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IQE006NE2LM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE006NE2LM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5,841Se espera el 28/01/2027	Cinta cortada S/ 15.03 S/ 7.67 S/ 6.85 S/ 5.72 S/ 5.64 Envase tipo carrete S/ 4.98 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	25 V	47 A	580 uOhms	16 V	2 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance IQE012N03LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: S/ 12.07 6,000Se espera el 28/01/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE012N03LM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE012N03LM5CGSC Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6,000Se espera el 28/01/2027	Cinta cortada S/ 12.07 S/ 6.11 S/ 5.37 S/ 4.36 Ver Envase tipo carrete S/ 3.23 S/ 4.16 S/ 4.09 S/ 3.23	Min.: 1 Mult.: 1 : 6,000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	30 V	224 A	1.15 mOhms	16 V	2 V	40 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape

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