Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) while maintaining superior switching performance. ESD protected to 2KV, these new generation MOSFETs feature low on-resistance, very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speeds, and low input/output leakage. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

DMN53D0L-13
Diodes Incorporated
1: S/1.32
641En existencias
10,000Se espera el 19/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0L-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0L-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

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641En existencias

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Cinta cortada

S/1.32

S/0.938

S/0.596

S/0.366

Envase tipo carrete

S/0.179

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

420 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

DMN53D0L-7
Diodes Incorporated
1: S/1.09
1,493En existencias
219,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0L-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0L-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

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Cinta cortada

S/1.09

S/0.662

S/0.413

S/0.304

Envase tipo carrete

S/0.202

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

DMN53D0LDW-13
Diodes Incorporated
1: S/1.17
579En existencias
20,000Se espera el 22/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0LDW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LDW-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

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Cinta cortada

S/1.17

S/0.716

S/0.448

S/0.331

Envase tipo carrete

S/0.167

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

50 V

360 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

310 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

DMN53D0LDW-7
Diodes Incorporated
1: S/1.13
3,664En existencias
78,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0LDW-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LDW-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

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Cinta cortada

S/1.13

S/0.685

S/0.428

S/0.315

Envase tipo carrete

S/0.222

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

50 V

360 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

310 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family

DMN53D0LQ-13
Diodes Incorporated
1: S/1.13
14,607En existencias
20,000Se espera el 5/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0LQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family

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Cinta cortada

S/1.13

S/0.701

S/0.44

S/0.323

Envase tipo carrete

S/0.195

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

540 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101

DMN53D0LQ-7
Diodes Incorporated
1: S/1.13
1,723En existencias
21,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0LQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LQ-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101

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S/1.13

S/0.701

S/0.44

S/0.323

Envase tipo carrete

S/0.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

500 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

540 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF

DMN53D0LW-13
Diodes Incorporated
1: S/1.09
9,884En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0LW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LW-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF

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Cinta cortada

S/1.09

S/0.743

S/0.471

S/0.292

Envase tipo carrete

S/0.132

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 10,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

50 V

360 mA

2 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

420 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs

DMN53D0U-7
Diodes Incorporated
1: S/0.506
5,131En existencias
6,000Se espera el 20/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0U-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0U-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs

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Cinta cortada

S/0.506

S/0.35

S/0.284

S/0.245

Envase tipo carrete

S/0.163

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

300 mA

2 Ohms

- 12 V, 12 V

400 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

520 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p

DMN53D0LW-7
Diodes Incorporated
1: S/0.506
38,072En pedido

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0LW-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LW-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p

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Cinta cortada

S/0.506

S/0.346

S/0.245

S/0.21

Envase tipo carrete

S/0.156

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

N-Channel

1 Channel

50 V

360 mA

2 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

1.2 nC

- 55 C

+ 150 C

420 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET

DMN53D0U-13
Diodes Incorporated
1: S/1.32
80,000Existencias en fábrica disponibles

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DMN53D0U-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0U-13

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80,000Existencias en fábrica disponibles

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S/1.32

S/0.895

S/0.564

S/0.35

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

50 V

300 mA

2 Ohms

- 12 V, 12 V

400 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

520 mW

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