Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 8

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE NTMFS0D6N04XMT1G onsemi 1: S/13.55 125En existencias 9,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS0D6N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS0D6N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	125En existencias 9,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS0D6N04XMT1G Existencias: 125 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 4,500 Se espera el 28/06/2027 4,500 Se espera el 10/09/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/13.55 S/8.06 S/6.19 S/4.94 S/4.52 Envase tipo carrete S/4.52 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	380 A	570 uOhms	20 V	3.5 V	86.4 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE NTMFS0D5N04XMT1G onsemi 1: S/14.95 113En existencias 27,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS0D5N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS0D5N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	113En existencias 27,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS0D5N04XMT1G Existencias: 113 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 16,500 Se espera el 29/09/2027 10,500 Se espera el 3/11/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/14.95 S/8.72 S/6.81 S/5.33 S/4.98 Envase tipo carrete S/4.98	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 4,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	414 A	520 uOhms	20 V	3.5 V	97.5 nC	- 55 C	+ 175 C	163 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS0D7N04XMT1G onsemi 1: S/10.90 1,488En existencias 19,500En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS0D7N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS0D7N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi ntmfs0d7n04xm mosfet	Hoja de datos	1,488En existencias 19,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS0D7N04XMT1G Existencias: 1,488 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 12,000 Se espera el 24/11/2026 7,500 Se espera el 13/10/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/10.90 S/7.01 S/4.87 S/3.97 S/3.31 Envase tipo carrete S/3.31	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	323 A	700 uOhms	20 V	3.5 V	72.1 nC	- 55 C	+ 175 C	134 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS1D1N04XMT1G onsemi 1: S/10.04 9En existencias 3,000Se espera el 2/11/2026	N.º de artículo del Fabricante NTMFS1D1N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS1D1N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	9En existencias 3,000Se espera el 2/11/2026	Cinta cortada S/10.04 S/5.49 S/4.32 S/3.44 S/2.96 Envase tipo carrete S/2.96	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	233 A	1.05 mOhms	20 V	3.5 V	49.1 nC	- 55 C	+ 175 C	104 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS1D3N04XMT1G onsemi 1: S/8.91 6,123En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMFS1D3N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS1D3N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	6,123En existencias	Cinta cortada S/8.91 S/5.68 S/3.81 S/3.09 S/2.77 Envase tipo carrete S/2.77	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	195 A	1.3 mOhms	20 V	3.5 V	38.5 nC	- 55 C	+ 175 C	90 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS2D3N04XMT1G onsemi 1: S/7.24 62En existencias 4,500En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS2D3N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS2D3N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	62En existencias 4,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS2D3N04XMT1G Existencias: 62 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 3,000 Se espera el 2/07/2027 1,500 Se espera el 15/11/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/7.24 S/3.93 S/2.90 S/2.28 S/1.80 Envase tipo carrete S/1.80	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	111 A	2.35 mOhms	20 V	3.5 V	22.1 nC	- 55 C	+ 175 C	53 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS3D1N04XMT1G onsemi 1: S/7.47 190En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMFS3D1N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS3D1N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	190En existencias	Cinta cortada S/7.47 S/4.63 S/2.37 S/1.99 S/1.65 Envase tipo carrete S/1.65	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	83 A	3.1 mOhms	20 V	3.5 V	15.6 nC	- 55 C	+ 175 C	39 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE NTMFS0D4N04XMT1G onsemi 1: S/16.23 5,907En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS0D4N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS0D4N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi 40v power mosfets	Hoja de datos	5,907En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS0D4N04XMT1G Existencias: 0 En pedido: 4,407 Se espera el 5/04/2027 1,500 Se espera el 12/04/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/16.23 S/8.49 S/7.43 S/6.19 S/5.84 Envase tipo carrete S/5.84	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	509 A	420 uOhms	20 V	3.5 V	133 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement	Reel, Cut Tape

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