Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS2D3N04XMT1G
onsemi
1: S/6.85
4,183En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS2D3N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS2D3N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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Hoja de datos

4,183En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.36

S/2.90

S/2.28

S/2.10

Envase tipo carrete

S/2.10

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

111 A

2.35 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

22.1 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D5N04XMT1G
onsemi
1: S/14.71
113En existencias
16,500Se espera el 5/01/2028

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D5N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D5N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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113En existencias

16,500Se espera el 5/01/2028

Cinta cortada

S/14.71

S/9.58

S/6.70

S/5.57

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

414 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

97.5 nC

- 55 C

+ 175 C

163 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D6N04XMT1G
onsemi
1: S/13.51
125En existencias
4,500Se espera el 18/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D6N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D6N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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125En existencias

4,500Se espera el 18/06/2027

Cinta cortada

S/13.51

S/8.80

S/6.15

S/5.14

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86.4 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS0D7N04XMT1G
onsemi
1: S/10.90
171En existencias
19,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D7N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D7N04XMT1G

onsemi

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171En existencias

19,500En pedido

Cinta cortada

S/10.90

S/7.01

S/4.87

S/3.97

S/3.31

Envase tipo carrete

S/3.31

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

323 A

700 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

72.1 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D1N04XMT1G
onsemi
1: S/9.89
17En existencias
3,000Se espera el 6/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS1D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS1D1N04XMT1G

onsemi

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Hoja de datos

17En existencias

3,000Se espera el 6/10/2026

Cinta cortada

S/9.89

S/6.34

S/4.32

S/3.57

S/2.92

Envase tipo carrete

S/2.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

49.1 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS1D3N04XMT1G
onsemi
1: S/8.91
62En existencias
6,000Se espera el 4/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS1D3N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS1D3N04XMT1G

onsemi

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62En existencias

6,000Se espera el 4/06/2027

Cinta cortada

S/8.91

S/5.68

S/3.81

S/3.09

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.77

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

195 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

38.5 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS3D1N04XMT1G
onsemi
1: S/7.40
26En existencias
1,500Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D1N04XMT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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26En existencias

1,500Se espera el 16/10/2026

Cinta cortada

S/7.40

S/4.63

S/2.64

S/2.15

S/1.64

Envase tipo carrete

S/1.64

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

15.6 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

NTMFS0D4N04XMT1G
onsemi
1: S/16.23
5,907En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D4N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D4N04XMT1G

onsemi

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5,907En pedido

Cinta cortada

S/16.23

S/10.63

S/7.94

Envase tipo carrete

S/7.94

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 340

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

509 A

420 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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