GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

Resultados: 7
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Frecuencia de trabajo máxima Frecuencia de trabajo mínima Tecnología
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13" 2,460En existencias
Cinta cortada
S/ 45.31
S/ 25.38
S/ 24.48
S/ 22.46
Envase tipo carrete
S/ 19.97
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C Depletion GaN
Central Semiconductor GaN FETs 100V, 60A, N-Channel Chip Scale GaNFET 1,359En existencias
Cinta cortada
S/ 26.59
S/ 14.13
S/ 12.92
S/ 12.11
S/ 9.89
Envase tipo carrete
S/ 9.85
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500
SMD/SMT CSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 5.5 mOhms - 4 V, + 6 V 2.5 V 9.2 nC - 40 C + 150 C 1.1 W GaN
Central Semiconductor GaN FETs 100A,150V Surface mount N-Channel GaN MOSFET 2,490En existencias
Cinta cortada
S/ 42.23
S/ 23.51
S/ 22.34
S/ 20.47
Envase tipo carrete
S/ 18.96
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 3.9 mOhms - 4 V, + 6 V 2.1 V 20 nC - 40 C + 150 C 200 mW Enhancement GaN
Central Semiconductor GaN FETs 150V, 60A, N-Channel Chip, GaN FET, CSP4X6 Package, 7" 2,463En existencias
Cinta cortada
S/ 33.20
S/ 18.06
S/ 16.58
S/ 16.27
S/ 14.25
Envase tipo carrete
S/ 13.27
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 60 A 7 mOhms - 4 V, + 6 V 13 nC - 40 C + 150 C 200 mW GaN
Central Semiconductor GaN FETs 700V, 18A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13" 2,458En existencias
Cinta cortada
S/ 28.26
S/ 15.14
S/ 13.86
S/ 13.16
S/ 12.07
Envase tipo carrete
S/ 10.70
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 18 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 155 C 113 W Depletion GaN
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 11A, N-Channel GaN FET 2,080En existencias
Cinta cortada
S/ 23.78
S/ 12.53
S/ 11.44
S/ 10.43
S/ 10.04
Envase tipo carrete
S/ 8.49
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Depletion 100 kHz 0 Hz GaN
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 17A, N-Channel GaN FET 2,428En existencias
Cinta cortada
S/ 26.98
S/ 14.36
S/ 13.16
S/ 12.34
S/ 11.33
Envase tipo carrete
S/ 10.04
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Depletion 100 kHz 0 Hz GaN