Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200V 640En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 39 mOhms - 10 V, 22 V 4.4 V 107 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3 738En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 39 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 107 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC