NVBG030N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NVBG030N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a 1200V M3S planar EliteSiC MOSFET optimized for fast switching applications. This MOSFET features a 107nC ultra-low gate charge, 106pF high-speed switching with low capacitance, and 29mΩ typical drain-to-source ON resistance at VGS=18V. The NVBG030N120M3S SiC MOSFET offers optimum performance when driven with an 18V gate drive; however, it also works well with a 15V gate drive. This MOSFET is 100% Avalanche tested, AEC-Q101 qualified, and PPAP capable. The NVBG030N120M3S MOSFET comes in a D2PAK-7L package for low common source inductance and is lead-free 2LI (on second-level interconnection) and RoHS compliant (with exemption 7a). Typical applications include automotive on-board chargers and DC/DC converters for EV/HEV.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200V
Hoja de datos
560En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 39 mOhms - 10 V, 22 V 4.4 V 107 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
Hoja de datos
761En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 39 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 107 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC