Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 23

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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IPB60R099CPAATMA1
Infineon Technologies
1: S/33.94
465En existencias

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IPB60R099CPAATMA1

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726-IPB60R099CPAATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

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465En existencias

Cinta cortada

S/33.94

S/22.50

S/17.09

S/16.89

Envase tipo carrete

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31 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

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255 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

IPW65R110CFDA
Infineon Technologies
1: S/32.62
579En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R110CFDA

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726-IPW65R110CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

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579En existencias

S/32.62

S/21.84

S/17.56

S/15.57

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TO-247-3

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650 V

31.2 A

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118 nC

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

IPW65R080CFDA
Infineon Technologies
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354En existencias

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

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354En existencias

S/36.12

S/24.68

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2

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S/10.67

S/6.11

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Envase tipo carrete

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Ver

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/35.19

S/24.80

S/20.05

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Envase tipo carrete

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

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Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPB65R310CFDAATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

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Cinta cortada

S/13.82

S/9.03

S/6.27

S/5.10

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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3.5 V

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104.2 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

IPW60R045CPA
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045CPA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

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242En existencias

S/72.52

S/45.04

S/42.66

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60 A

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AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW60R099CPAFKSA1
Infineon Technologies
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756En existencias

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IPW60R099CPAFKSA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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S/37.25

S/21.84

S/18.45

S/18.10

S/17.67

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600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

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+ 150 C

255 W

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AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO220-3

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Infineon Technologies
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IPP65R110CFDAAKSA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO220-3

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S/30.17

S/18.72

S/16.23

S/14.40

S/12.77

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31.2 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

118 nC

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+ 150 C

277.8 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

IPB65R110CFDAATMA1
Infineon Technologies
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458En existencias

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IPB65R110CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

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S/27.79

S/18.72

S/13.58

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Envase tipo carrete

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650 V

31.2 A

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3.5 V

118 nC

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+ 150 C

277.8 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

IPB65R190CFDA
Infineon Technologies
1: S/19.93
723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R190CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

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723En existencias

Cinta cortada

S/19.93

S/13.08

S/9.73

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S/7.12

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17.5 A

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3.5 V

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151 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

IPB65R190CFDAATMA1
Infineon Technologies
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775En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R190CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

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Hoja de datos

775En existencias

Cinta cortada

S/18.72

S/12.38

S/8.76

S/7.59

Envase tipo carrete

S/7.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

17.5 A

171 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

68 nC

- 40 C

+ 150 C

151 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

IPB65R310CFDA
Infineon Technologies
1: S/14.09
10En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R310CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R310CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

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Hoja de datos

10En existencias

Cinta cortada

S/14.09

S/9.15

S/6.42

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.98

S/4.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11.4 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

104.2 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW60R099CPA
Infineon Technologies
1: S/36.04
277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099CPA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099CPA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

277En existencias

S/36.04

S/24.64

S/20.32

S/18.06

S/17.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 40 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

IPD65R660CFDA
Infineon Technologies
1: S/9.69
1,052En existencias
2,500Se espera el 28/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R660CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R660CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

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Hoja de datos

1,052En existencias

2,500Se espera el 28/01/2027

Cinta cortada

S/9.69

S/6.23

S/4.24

S/3.39

S/3.12

Envase tipo carrete

S/2.78

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

594 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

20 nC

- 40 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

IPW65R048CFDA
Infineon Technologies
1: S/44.80
218En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R048CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R048CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

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Hoja de datos

218En existencias

S/44.80

S/31.65

S/26.39

S/23.47

S/22.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

63.3 A

43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

270 nC

- 40 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

IPW65R048CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/45.43
238En existencias
240Se espera el 18/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R048CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R048CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

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Hoja de datos

238En existencias

240Se espera el 18/03/2027

S/45.43

S/27.09

S/23.08

S/22.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

63.3 A

43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

270 nC

- 40 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

IPW65R110CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.62
176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R110CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R110CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

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Hoja de datos

176En existencias

S/32.62

S/21.37

S/17.56

S/13.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31.2 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

118 nC

- 40 C

+ 150 C

277.8 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 22.4A TO247-3

IPW65R150CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.62
425En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R150CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R150CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 22.4A TO247-3

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Hoja de datos

425En existencias

S/22.62

S/12.73

S/11.60

S/9.19

Min.: 1
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22.4 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 40 C

+ 150 C

195.3 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

IPW65R080CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.04
1,680En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R080CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R080CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

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Hoja de datos

1,680En pedido

S/36.04

S/21.10

S/17.79

S/17.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

43.3 A

72 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

161 nC

- 40 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

IPB65R110CFDA
Infineon Technologies
1,000: S/11.99
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R110CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R110CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

S/11.99

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

31.2 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

118 nC

- 40 C

+ 150 C

277.8 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

SP000928260
Infineon Technologies
2,500: S/2.67
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SP000928260

N.º de artículo de Mouser
726-SP000928260

Infineon Technologies

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Envase tipo carrete

S/2.67

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

594 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

20 nC

- 40 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 8.7A DPAK-2

SP000928262
Infineon Technologies
2,500: S/3.75
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SP000928262

N.º de artículo de Mouser
726-SP000928262

Infineon Technologies

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.75

S/3.66

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

8.7 A

420 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83.3 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel

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