Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 23

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

IPW65R110CFDA
Infineon Technologies
1: S/31.18
579En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R110CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R110CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

579En existencias

S/31.18

S/20.86

S/16.78

S/14.87

S/13.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31.2 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

118 nC

- 40 C

+ 150 C

277.8 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2

IPB65R660CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.32
918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R660CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R660CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

918En existencias

Cinta cortada

S/10.32

S/6.19

S/4.40

S/3.64

Envase tipo carrete

S/3.35

S/3.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

594 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

20 nC

- 40 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

IPB60R099CPA
Infineon Technologies
1: S/33.67
3,198En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099CPA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099CPA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

Obtenga más información

Hoja de datos

3,198En existencias

Cinta cortada

S/33.67

S/23.71

S/19.19

S/17.05

Envase tipo carrete

S/15.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 40 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

IPB60R099CPAATMA1
Infineon Technologies
1: S/33.01
465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099CPAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099CPAATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

Obtenga más información

Hoja de datos

465En existencias

Cinta cortada

S/33.01

S/22.46

S/16.47

S/16.15

Envase tipo carrete

S/15.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 40 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

IPB65R110CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.59
514En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R110CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R110CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

514En existencias

Cinta cortada

S/26.59

S/17.17

S/13.08

S/12.26

Envase tipo carrete

S/11.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

31.2 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

118 nC

- 40 C

+ 150 C

277.8 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

IPB65R310CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.39
2,513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R310CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R310CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

2,513En existencias

Cinta cortada

S/13.39

S/8.72

S/6.07

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.52

S/4.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11.4 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

104.2 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

IPW60R045CPA
Infineon Technologies
1: S/70.07
294En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045CPA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045CPA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

Obtenga más información

Hoja de datos

294En existencias

S/70.07

S/43.36

S/40.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

60 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

190 nC

- 40 C

+ 150 C

431 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW60R099CPAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.01
766En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099CPAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-PW60R099CPAFKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

766En existencias

S/36.01

S/21.06

S/17.79

S/16.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 40 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

IPD65R660CFDA
Infineon Technologies
1: S/9.42
3,556En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R660CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R660CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

3,556En existencias

Cinta cortada

S/9.42

S/6.03

S/4.13

S/3.27

Envase tipo carrete

S/2.72

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

594 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

20 nC

- 40 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO220-3

IPP65R110CFDAAKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.84
2,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R110CFDAAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R110CFDAAKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO220-3

Obtenga más información

Hoja de datos

2,490En existencias

S/28.84

S/18.06

S/15.53

S/13.78

S/12.26

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31.2 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

118 nC

- 40 C

+ 150 C

277.8 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

IPW65R080CFDA
Infineon Technologies
1: S/36.16
367En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R080CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R080CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

367En existencias

S/36.16

S/25.46

S/20.63

S/18.29

S/16.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

43.3 A

72 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

161 nC

- 40 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

IPW65R080CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/34.84
561En existencias
480Se espera el 9/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R080CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R080CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

561En existencias

480Se espera el 9/07/2026

S/34.84

S/20.32

S/17.13

S/16.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

43.3 A

72 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

161 nC

- 40 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

IPB65R190CFDA
Infineon Technologies
1: S/19.07
753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R190CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

753En existencias

Cinta cortada

S/19.07

S/12.49

S/9.34

S/8.14

Envase tipo carrete

S/6.85

S/6.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

17.5 A

171 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

68 nC

- 40 C

+ 150 C

151 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

IPB65R190CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.14
775En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R190CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

775En existencias

Cinta cortada

S/18.14

S/11.95

S/8.45

S/7.24

Envase tipo carrete

S/6.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

17.5 A

171 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

68 nC

- 40 C

+ 150 C

151 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

IPB65R310CFDA
Infineon Technologies
1: S/13.51
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R310CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R310CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

30En existencias

Cinta cortada

S/13.51

S/8.80

S/6.19

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.55

S/4.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11.4 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

104.2 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW60R099CPA
Infineon Technologies
1: S/36.04
277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099CPA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099CPA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

277En existencias

S/36.04

S/24.64

S/20.32

S/18.06

S/17.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 40 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

IPW65R048CFDA
Infineon Technologies
1: S/44.80
220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R048CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R048CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

220En existencias

S/44.80

S/31.65

S/26.39

S/23.47

S/22.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

63.3 A

43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

270 nC

- 40 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

IPW65R048CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/43.91
240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R048CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R048CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

240En existencias

S/43.91

S/26.12

S/22.23

S/21.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

63.3 A

43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

270 nC

- 40 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

IPW65R110CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.18
201En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R110CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R110CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

201En existencias

S/31.18

S/20.63

S/16.78

S/13.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31.2 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

118 nC

- 40 C

+ 150 C

277.8 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 22.4A TO247-3

IPW65R150CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.88
365En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R150CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R150CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 22.4A TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

365En existencias

S/21.88

S/12.30

S/11.09

S/8.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22.4 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 40 C

+ 150 C

195.3 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

IPB65R110CFDA
Infineon Technologies
1,000: S/11.52
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R110CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R110CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

S/11.52

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

31.2 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

118 nC

- 40 C

+ 150 C

277.8 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

SP000928260
Infineon Technologies
2,500: S/2.67
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SP000928260

N.º de artículo de Mouser
726-SP000928260

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.67

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

594 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

20 nC

- 40 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 8.7A DPAK-2

SP000928262
Infineon Technologies
2,500: S/3.49
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SP000928262

N.º de artículo de Mouser
726-SP000928262

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 8.7A DPAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.49

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

8.7 A

420 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83.3 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte