Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 23

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

IPB60R099CPA
Infineon Technologies
1: S/30.79
3,852En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099CPA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099CPA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

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3,852En existencias

Cinta cortada

S/30.79

S/21.72

S/18.10

S/16.15

Envase tipo carrete

S/14.36

S/14.32

MouseReel Disponible

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N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 40 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

IPB65R310CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.94
2,513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R310CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R310CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

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2,513En existencias

Cinta cortada

S/10.94

S/8.10

S/5.64

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

650 V

11.4 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

104.2 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

IPB60R099CPAATMA1
Infineon Technologies
1: S/30.75
506En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099CPAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099CPAATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

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506En existencias

Cinta cortada

S/30.75

S/20.98

S/16.15

S/16.11

Envase tipo carrete

S/13.16

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

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+ 150 C

255 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

IPW65R110CFDA
Infineon Technologies
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604En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R110CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R110CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

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604En existencias

S/28.03

S/20.71

S/16.74

S/14.87

Ver

Min.: 1
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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31.2 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

118 nC

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+ 150 C

277.8 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2

IPB65R660CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.65
918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R660CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R660CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2

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918En existencias

Cinta cortada

S/9.65

S/6.23

S/4.28

S/3.40

Envase tipo carrete

S/3.04

S/2.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

650 V

6 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

20 nC

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62.5 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

IPW65R048CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.49
205En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R048CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R048CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

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205En existencias

S/31.49

S/23.00

S/20.12

S/19.19

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

63.3 A

43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

270 nC

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+ 150 C

500 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

IPW65R048CFDA
Infineon Technologies
1: S/40.44
211En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R048CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R048CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3

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211En existencias

S/40.44

S/31.65

S/26.39

S/23.47

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Min.: 1
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TO-247-3

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1 Channel

650 V

63.3 A

43 mOhms

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3.5 V

270 nC

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500 W

Enhancement

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

IPB65R110CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.60
584En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R110CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R110CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

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584En existencias

Cinta cortada

S/24.60

S/16.85

S/12.30

Envase tipo carrete

S/10.00

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

650 V

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- 20 V, 20 V

3.5 V

118 nC

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+ 150 C

277.8 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

IPB65R190CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.88
1,025En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R190CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

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1,025En existencias

Cinta cortada

S/15.88

S/11.17

S/7.90

S/7.24

Envase tipo carrete

S/5.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

17.5 A

171 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

68 nC

- 40 C

+ 150 C

151 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

IPW60R045CPA
Infineon Technologies
1: S/62.94
421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R045CPA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045CPA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

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Hoja de datos

421En existencias

S/62.94

S/62.90

S/39.31

S/35.23

S/35.19

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

60 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

190 nC

- 40 C

+ 150 C

431 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

IPW65R080CFDA
Infineon Technologies
1: S/32.11
391En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R080CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R080CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

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Hoja de datos

391En existencias

S/32.11

S/23.36

S/19.46

S/17.32

S/15.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

43.3 A

72 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

161 nC

- 40 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

IPB65R190CFDA
Infineon Technologies
1: S/16.74
68En existencias
1,000Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R190CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

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Hoja de datos

68En existencias

1,000Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/16.74

S/11.21

S/8.60

S/7.67

Envase tipo carrete

S/6.50

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

17.5 A

171 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

68 nC

- 40 C

+ 150 C

151 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

IPB65R310CFDA
Infineon Technologies
1: S/12.38
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R310CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R310CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2

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Hoja de datos

30En existencias

Cinta cortada

S/12.38

S/8.06

S/6.19

S/5.22

Envase tipo carrete

S/4.40

S/4.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11.4 A

280 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

41 nC

- 40 C

+ 150 C

104.2 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW60R099CPA
Infineon Technologies
1: S/28.65
87En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099CPA

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099CPA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

87En existencias

S/28.65

S/24.33

S/20.28

S/17.91

S/16.11

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 40 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 22.4A TO247-3

IPW65R150CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.32
317En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R150CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R150CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 22.4A TO247-3

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Hoja de datos

317En existencias

S/17.32

S/10.24

S/9.23

S/9.15

S/7.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

22.4 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 40 C

+ 150 C

195.3 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW60R099CPAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.37
260En existencias
240Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099CPAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-PW60R099CPAFKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

260En existencias

240Se espera el 16/02/2026

S/31.37

S/19.00

S/16.89

S/16.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

90 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

80 nC

- 40 C

+ 150 C

255 W

Enhancement

AEC-Q101

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

IPD65R660CFDA
Infineon Technologies
1: S/8.80
1,679En existencias
2,500Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R660CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R660CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

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Hoja de datos

1,679En existencias

2,500Se espera el 5/03/2026

Cinta cortada

S/8.80

S/5.64

S/3.83

S/3.06

S/2.91

Envase tipo carrete

S/2.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

594 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

20 nC

- 40 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO220-3

IPP65R110CFDAAKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.78
435En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R110CFDAAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R110CFDAAKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO220-3

Obtenga más información

Hoja de datos

435En existencias

S/13.78

S/13.51

S/12.77

S/12.49

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31.2 A

110 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

118 nC

- 40 C

+ 150 C

277.8 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

IPW65R080CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.45
210En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R080CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R080CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

210En existencias

S/31.45

S/17.44

S/15.53

S/15.49

S/14.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

43.3 A

72 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

161 nC

- 40 C

+ 150 C

391 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

IPW65R110CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.17
201En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R110CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R110CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

Obtenga más información

Hoja de datos

201En existencias

S/27.17

S/19.35

S/16.35

S/11.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

31.2 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

118 nC

- 40 C

+ 150 C

277.8 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

IPB65R110CFDA
Infineon Technologies
1,000: S/11.05
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R110CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R110CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

S/11.05

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

31.2 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

118 nC

- 40 C

+ 150 C

277.8 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

SP000928260
Infineon Technologies
2,500: S/2.58
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SP000928260

N.º de artículo de Mouser
726-SP000928260

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.58

S/2.44

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

594 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

20 nC

- 40 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 8.7A DPAK-2

SP000928262
Infineon Technologies
2,500: S/3.26
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SP000928262

N.º de artículo de Mouser
726-SP000928262

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 8.7A DPAK-2

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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.26

S/3.15

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

8.7 A

420 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83.3 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel

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