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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA3N120 TRR

IXFA3N120-TRR
IXYS
800: S/20.67
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFA3N120-TRR

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA3N120-TRR

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA3N120 TRR

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

Envase tipo carrete

S/20.67

Min.: 800
Mult.: 800

Carrete: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 50A N-CH X3CLASS

IXFA50N20X3
IXYS
300: S/13.55
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFA50N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA50N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 50A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/13.55

S/11.95

Min.: 300
Mult.: 50

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2

IXFA72N20X3
IXYS
300: S/19.27
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFA72N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA72N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/19.27

S/19.00

Min.: 300
Mult.: 50

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA72N30X3 TRL

IXFA72N30X3-TRL
IXYS
800: S/20.71
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFA72N30X3-TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA72N30X3-TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFA72N30X3 TRL

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

Envase tipo carrete

S/20.71

Min.: 800
Mult.: 800

Carrete: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 90A N-CH X3CLASS

IXFA90N20X3
IXYS
300: S/24.99
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFA90N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA90N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 90A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/24.99

S/22.30

Min.: 300
Mult.: 50

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2

IXFA90N20X3TRL
IXYS
800: S/19.89
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA90N20X3TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA90N20X3TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/19.89

Presupuesto

Min.: 800
Mult.: 800

Carrete: 800

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A

IXFH6N100F
IXYS
300: S/28.26
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFH6N100F

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH6N100F

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/28.26

S/25.18

Min.: 300
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 70V 0.006 Rds

IXFK180N07
IXYS
25: S/70.84
Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFK180N07

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK180N07

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 70V 0.006 Rds

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Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas

S/70.84

S/61.23

Min.: 25
Mult.: 25

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27 Amps 800V 0.32 Rds

IXFK27N80Q
IXYS
300: S/77.15
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFK27N80Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK27N80Q

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27 Amps 800V 0.32 Rds

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/77.15

Min.: 300
Mult.: 25

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 36A

IXFK36N60P
IXYS
300: S/31.37
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFK36N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK36N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 36A

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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/31.37

S/29.54

Min.: 300
Mult.: 25

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 1KV 5A N-CH POLAR

IXFP5N100PM
IXYS
300: S/16.85
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFP5N100PM

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP5N100PM

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 1KV 5A N-CH POLAR

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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/16.85

S/15.69

Min.: 300
Mult.: 50

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 72A N-CH X3CLASS

IXFQ72N20X3
IXYS
300: S/20.24
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFQ72N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ72N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 72A N-CH X3CLASS

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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/20.24

S/19.42

Min.: 300
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 70V 0.006 Rds

IXFR180N07
IXYS
1: S/74.27
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFR180N07

N.º de artículo de Mouser
747-IXFR180N07

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 70V 0.006 Rds

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Hoja de datos

No en existencias

S/74.27

S/61.11

S/52.82

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 38A

IXFR44N60
IXYS
300: S/88.75
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFR44N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFR44N60

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 38A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

S/88.75

Min.: 300
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 34A

IXFX34N80
IXYS
300: S/71.39
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFX34N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX34N80

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 34A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/71.39

Min.: 300
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 44A

IXFX44N60
IXYS
300: S/77.34
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFX44N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX44N60

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 44A

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/77.34

Min.: 300
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 10A

IXFH10N100
IXYS
1: S/59.91
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH10N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH10N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 10A

Hoja de datos

No en existencias

S/59.91

S/46.36

S/40.05

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.05 Rds

IXFH10N100Q
IXYS
30: S/46.36
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH10N100Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH10N100Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.05 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/46.36

S/40.05

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V

IXFH11N80
IXYS
30: S/38.50
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH11N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH11N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V

Hoja de datos

No en existencias

S/38.50

S/32.07

S/28.57

S/24.25

Min.: 30
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A

IXFH12N100
IXYS
300: S/44.37
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A

Hoja de datos

No en existencias

S/44.37

Presupuesto

Min.: 300
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A

IXFH12N90
IXYS
60: S/48.81
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A

Hoja de datos

No en existencias

S/48.81

S/42.19

Presupuesto

Min.: 60
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

IXFH13N100
IXYS
30: S/52.59
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/52.59

S/45.46

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

IXFH13N80
IXYS
300: S/31.61
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

Hoja de datos

No en existencias

S/31.61

S/29.93

S/25.42

Min.: 300
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

IXFH13N80Q
IXYS
30: S/36.59
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/36.59

S/31.61

S/29.93

S/25.42

Min.: 30
Mult.: 30

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

IXFH13N90
IXYS
30: S/42.19
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

S/42.19

S/36.47

S/34.53

S/29.31

Min.: 30
Mult.: 30

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