Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS 600W ASYM DO214AA AEQ101 Stand of Voltage 30V
TPSMB3018CA
Littelfuse
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS 600W ASYM DO214AA AEQ101 Stand of Voltage 30V
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS 600W ASYM DO214AA AEQ101 Stand off Voltage 28V
TPSMB2818CA
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS 600W ASYM DO214AA AEQ101 Stand off Voltage 28V
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS SURF MT 600W 219V DO214AA AEQ101 T&R
TPSMB219A
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS SURF MT 600W 219V DO214AA AEQ101 T&R
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MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET
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LSIC1MO120E0080
IXYS
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MOSFETs de SiC 1200V 80mOhm SiC MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
IXFP72N20X3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TPSMB - CA 24V
TPSMB2412CA
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TPSMB - CA 24V
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 550V AEC-Q101 5% Uni-Directional
TPSMB550A-A
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 550V AEC-Q101 5% Uni-Directional
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 30A N-CH HIPER
IXFA30N25X3
IXYS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 30A N-CH HIPER
537 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
IXFY30N25X3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
660 En existencias
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MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
LSIC1MO170E0750
IXYS
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MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
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IXFX24N100Q3
IXYS
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N.º de artículo de Mouser 747-IXFX24N100Q3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
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MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
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LSIC1MO120E0160
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MOSFETs de SiC 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet
548 En existencias
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 100V AEC-Q101 5% Bi-Directional
TPSMB100CA
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 100V AEC-Q101 5% Bi-Directional
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 300V AEC-Q101 5% Bi-Directional
TPSMB300CA-A
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Littelfuse
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 300V AEC-Q101 5% Bi-Directional
5,392 En existencias
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S/5.64
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S/1.28
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 110V AEC-Q101 5% Uni-Directional
TPSMB110A
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5,609 En existencias
N.º de artículo de Mouser 576-TPSMB110A
Littelfuse
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 110V AEC-Q101 5% Uni-Directional
5,609 En existencias
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S/4.32
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 510V AEC-Q101 5% Uni-Directional
TPSMB510A-A
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5,162 En existencias
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 510V AEC-Q101 5% Uni-Directional
5,162 En existencias
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S/4.63
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S/2.43
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S/1.18
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.05 Rds
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IXFH12N100F
IXYS
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N.º de artículo de Mouser 747-IXFH12N100F
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.05 Rds
220 En existencias
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S/62.63
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S/38.42
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S/35.38
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHT HiperFET 100v, 170A
IXFK170N10P
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N.º de artículo de Mouser 747-IXFK170N10P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHT HiperFET 100v, 170A
1,245 En existencias
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S/71.35
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S/42.12
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S/39.70
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 530V AEC-Q101 5% Bi-Directional
TPSMB530CA-A
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S/5.64
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N.º de artículo de Mouser 576-TPSMB530CA-A
Littelfuse
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 530V AEC-Q101 5% Bi-Directional
4,500 En existencias
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S/5.64
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S/2.59
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S/1.94
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S/1.65
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S/1.34
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S/1.56
6,000
S/1.28
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
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IXFH6N120P
IXYS
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S/56.91
187 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-IXFH6N120P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
187 En existencias
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S/56.91
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S/34.60
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S/31.22
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.50 Rds
IXFP3N120
IXYS
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S/44.30
440 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-IXFP3N120
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.50 Rds
440 En existencias
1
S/44.30
10
S/24.76
100
S/22.81
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S/22.54
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TPSMB - CA 52.78V
TPSMB58CA
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1:
S/3.31
2,172 En existencias
N.º de artículo de Mouser 576-TPSMB58CA
Littelfuse
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TPSMB - CA 52.78V
2,172 En existencias
1
S/3.31
10
S/2.03
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S/1.31
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S/0.755
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S/0.989
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9,000
S/0.716
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S/0.693
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 11V AEC-Q101 5% Bi-Directional
TPSMB11CA
Littelfuse
1:
S/3.31
2,033 En existencias
N.º de artículo de Mouser 576-TPSMB11CA
Littelfuse
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 11V AEC-Q101 5% Bi-Directional
2,033 En existencias
1
S/3.31
10
S/2.03
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S/1.31
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S/0.996
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S/0.755
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S/0.989
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S/0.724
9,000
S/0.716
24,000
S/0.693
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 7A N-CH POLAR
IXFH7N100P
IXYS
1:
S/56.44
34 En existencias
N.º de artículo de Mouser 747-IXFH7N100P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 7A N-CH POLAR
34 En existencias
1
S/56.44
10
S/42.97
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S/32.04
510
S/30.52
1,020
S/30.24
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 16V AEC-Q101 5% Bi-Directional
TPSMB16CA
Littelfuse
1:
S/1.79
5,315 En existencias
N.º de artículo de Mouser 576-TPSMB16CA
Littelfuse
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 16V AEC-Q101 5% Bi-Directional
5,315 En existencias
1
S/1.79
10
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S/0.588
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