MOSFETs de SiC – Mouser Perú

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IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [R_DS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (I_D) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (V_DSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

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Resultados: 13

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH65N120L2KHV
IXYS
1: S/39.00
100En existencias
450Se espera el 2/06/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH65N120L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH65N120L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

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Hoja de datos

100En existencias

450Se espera el 2/06/2026

S/39.00

S/29.58

S/24.64

S/21.95

S/19.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

52 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

IXSA65N120L2-7TR
IXYS
1: S/38.96
78En existencias
800Se espera el 2/06/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA65N120L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA65N120L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

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Hoja de datos

78En existencias

800Se espera el 2/06/2026

Cinta cortada

S/38.96

S/28.80

S/21.41

S/17.48

Envase tipo carrete

S/17.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

53 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL

IXSG110N65L2K
IXYS
1: S/43.28
2,090En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSG110N65L2K

N.º de artículo de Mouser
747-IXSG110N65L2K

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL

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Hoja de datos

2,090En existencias

Cinta cortada

S/43.28

S/33.05

S/27.56

S/25.03

Envase tipo carrete

S/20.82

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

111 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA110N65L2-7TR
IXYS
1: S/43.28
900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA110N65L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA110N65L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L

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Hoja de datos

900En existencias

Cinta cortada

S/43.28

S/33.05

S/27.56

S/24.06

Envase tipo carrete

S/20.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

650 V

111 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA40N65L2-7TR
IXYS
1: S/28.65
900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA40N65L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA40N65L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L

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Hoja de datos

900En existencias

Cinta cortada

S/28.65

S/20.24

S/16.85

S/15.03

Envase tipo carrete

S/13.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA60N65L2-7TR
IXYS
1: S/35.73
900En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA60N65L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA60N65L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263-7L

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Hoja de datos

900En existencias

Cinta cortada

S/35.73

S/26.00

S/21.68

S/19.31

Envase tipo carrete

S/17.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH100N65L2KHV
IXYS
1: S/44.10
550En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH100N65L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH100N65L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

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Hoja de datos

550En existencias

S/44.10

S/33.86

S/24.64

S/24.60

S/20.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

650 V

99 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

454 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH20N120L2KHV
IXYS
1: S/22.93
550En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH20N120L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH20N120L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L

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Hoja de datos

550En existencias

S/22.93

S/17.32

S/14.01

S/12.42

S/10.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

208 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV

IXSH40N65L2KHV
IXYS
1: S/29.23
550En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH40N65L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH40N65L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV

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Hoja de datos

550En existencias

S/29.23

S/20.63

S/17.20

S/15.30

S/13.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263

IXSA20N120L2-7TR
IXYS
1: S/24.06
76En existencias
800Se espera el 16/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSA20N120L2-7TR

N.º de artículo de Mouser
747-IXSA20N120L2-7TR

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO263

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Hoja de datos

76En existencias

800Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/24.06

S/18.45

S/14.91

S/13.23

Envase tipo carrete

S/11.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

208 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL

IXSG40N65L2K
IXYS
1: S/28.88
76En existencias
2,000Se espera el 16/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSG40N65L2K

N.º de artículo de Mouser
747-IXSG40N65L2K

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL

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Hoja de datos

76En existencias

2,000Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/28.88

S/19.58

S/14.79

S/14.01

Envase tipo carrete

S/12.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL

IXSG60N65L2K
IXYS
1: S/35.15
80En existencias
2,000Se espera el 16/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSG60N65L2K

N.º de artículo de Mouser
747-IXSG60N65L2K

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TOLL

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Hoja de datos

80En existencias

2,000Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/35.15

S/25.57

S/21.29

S/19.00

S/16.89

Envase tipo carrete

S/16.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TTOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV

IXSH60N65L2KHV
IXYS
1: S/35.23
100En existencias
450Se espera el 23/03/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IXSH60N65L2KHV

N.º de artículo de Mouser
747-IXSH60N65L2KHV

Nuevo producto

IXYS

MOSFETs de SiC SiC MOSFET in TO247-4L HV

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100En existencias

450Se espera el 23/03/2026

S/35.23

S/26.20

S/21.84

S/19.46

S/17.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

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