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NXH40B120MNQ0SNG

Name: onsemi NXH40B120MNQ0SNG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH40B120MNQ0SNG
Price: 331.95 PEN
Availability: InStock

Mouser N.º:

863-NXH40B120MNQ0SNG

Fabricante N.º:

NXH40B120MNQ0SNG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Módulos MOSFET 80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSFET

Hoja de datos:

NXH40B120MNQ0SNG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	S/331.95	S/331.95
	S/265.86	S/2,658.60
	S/265.82	S/31,898.40

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	118 W
Serie:	NXH40B120MNQ0
Empaquetado:	Tray
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	24
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EliteSiC

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Hoja de datos

NXH40B120MNQ0SNG Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Módulo MOSFET SiC completo NXH40B120MNQ0

El módulo MOSFET SiC completo NXH40B120MNQ0 de onsemi consta de dos MOSFET SiC de 40 mΩΩ/ 1200V y dos diodos SiC de 40 A/1200 V. Estos MOSFET SiC y diodos SiC integrados ofrecen menores pérdidas de conducción y conmutación, lo que permite que los diseñadores logren alta eficiencia y una confiabilidad superior. El módulo MOSFET SiC completo NXH40B120MNQ0 incluye dos rectificadores de derivación adicionales de 50 A/1200 V que se utilizan para el límite de corriente de arranque y un termistor incorporado. Este módulo MOSFET SiC completo cuenta con bajo nivel de recuperación inversa y diodos SiC de conmutación rápida, bajo diseño inductivo, pines de soldadura y un termistor. El módulo MOSFET SiC completo NXH40B120MNQ0 se utiliza preferentemente en inversores solares y fuentes de alimentación ininterrumpida.