Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NVTFWS003N04XMTAG

Name: onsemi NVTFWS003N04XMTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-VTFWS003N04XMTAG
Price: 6.11 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-VTFWS003N04XMTAG

Fabricante N.º:

NVTFWS003N04XMTAG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

NVTFWS003N04XMTAG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NVTFWS003N04XMTAG

En existencias: 4,490

Existencias:: 4,490 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 42 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/6.11	S/6.11
	S/3.83	S/38.30
	S/2.55	S/255.00
	S/2.01	S/1,005.00
	S/1.81	S/1,810.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	S/1.66	S/2,490.00
	S/1.49	S/4,470.00
	S/1.45	S/13,050.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WDFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	98 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.85 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	16 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	52 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	44 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9 ns
Serie:	NVTFWS003N04XM
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	9 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NVTFWS003N04XMTAG Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVTFWS003N04XM MOSFETs

onsemi NVTFWS003N04XM MOSFET provides a low R_DS(on) and capacitance in an AEC-Q101 qualified package. The MOSFET has a 40V drain-to-source voltage, 98A continuous drain current, and 2.85mΩ at 10V drain-to-source resistance. The onsemi NVTFWS003N04XM MOSFET is offered in a µ8FL 3.3mm x 3.3mm small footprint package and is ideal for motor drive, battery protection, and synchronous rectification applications.