GaN FETs – Mouser Perú

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CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.

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Resultados: 14

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Polaridad del transistor

Número de canales

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration

IGI65D1414A3MSXUMA1
Infineon Technologies
1: S/27.60
2,678En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGI65D1414A3MSXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGI65D1414A3MSXU

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration

Hoja de datos

2,678En existencias

Cinta cortada

S/27.60

S/18.65

S/13.90

S/13.20

Envase tipo carrete

S/11.33

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

QFN-32

N-Channel

2 Channel

650 V

170 mOhms

1.6 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGL65R055D2XUMA1
Infineon Technologies
1: S/26.00
1,939En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGL65R055D2XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGL65R055D2XUMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

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Hoja de datos

1,939En existencias

Cinta cortada

S/26.00

S/18.76

S/13.78

S/12.65

Envase tipo carrete

S/10.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

22 A

70 mOhms

- 10 V

1.6 V

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

111 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGL65R080D2XUMA1
Infineon Technologies
1: S/22.97
2,520En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGL65R080D2XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGL65R080D2XUMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

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2,520En existencias

Cinta cortada

S/22.97

S/15.34

S/11.02

S/9.96

S/9.61

Envase tipo carrete

S/8.10

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

18 A

100 mOhms

- 10 V

1.6 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGL65R110D2XUMA1
Infineon Technologies
1: S/18.10
2,577En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGL65R110D2XUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGL65R110D2XUMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/18.10

S/11.95

S/8.45

S/7.24

Envase tipo carrete

S/5.88

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

16 A

140 mOhms

- 10 V

1.6 V

2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

59 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGL65R140D2XUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.53
2,407En existencias
Nuevo producto

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IGL65R140D2XUMA1

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726-IGL65R140D2XUMA1

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Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/15.53

S/10.20

S/7.12

S/5.88

Envase tipo carrete

S/4.87

S/4.79

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

13 A

170 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

47 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGLD65R055D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/28.22
2,307En existencias
Nuevo producto

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IGLD65R055D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLD65R055D2AUMA

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Cinta cortada

S/28.22

S/18.41

S/13.86

S/13.16

S/12.07

Envase tipo carrete

S/10.70

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PG-LSON-8

HEMT

1 Channel

650 V

20 A

70 mOhms

- 10 V

1.2 V

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

91 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGLD65R080D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/23.67
2,692En existencias
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IGLD65R080D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLD65R080D2AUMA

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Cinta cortada

S/23.67

S/15.22

S/11.37

S/10.35

S/10.00

Envase tipo carrete

S/8.45

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PG-LSON-8

HEMT

1 Channel

650 V

18 A

100 mOhms

- 10 V

1.2 V

3.3 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGLD65R110D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/18.65
2,664En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLD65R110D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLD65R110D2AUMA

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Cinta cortada

S/18.65

S/11.91

S/8.72

S/7.55

S/7.51

Envase tipo carrete

S/6.11

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PG-LSON-8

HEMT

1 Channel

650 V

20 A

140 mOhms

- 10 V

1.2 V

2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

51 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGLD65R140D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.47
2,717En existencias
Nuevo producto

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IGLD65R140D2AUMA1

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Infineon Technologies

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S/16.47

S/10.43

S/7.59

S/6.19

Envase tipo carrete

S/5.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PG-LSON-8

HEMT

1 Channel

650 V

12 A

170 mOhms

- 10 V

1.2 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGT65R025D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/50.91
267En existencias
6,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGT65R025D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGT65R025D2ATMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

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267En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

S/50.91

S/34.92

S/30.01

S/27.64

S/25.26

Envase tipo carrete

S/22.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

HEMT

1 Channel

650 V

70 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

236 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGT65R035D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/41.81
28En existencias
8,000Se espera el 17/09/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGT65R035D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGT65R035D2ATMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

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28En existencias

8,000Se espera el 17/09/2026

Cinta cortada

S/41.81

S/29.54

S/24.64

S/22.38

S/19.11

Envase tipo carrete

S/17.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

HEMT

1 Channel

650 V

49 A

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGT65R045D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/30.71
1,736En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGT65R045D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGT65R045D2ATMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

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1,736En existencias

Cinta cortada

S/30.71

S/20.55

S/16.62

S/15.57

S/15.38

Envase tipo carrete

S/13.35

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

HEMT

1 Channel

650 V

38 A

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

131 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGT65R140D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.75
1,544En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGT65R140D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGT65R140D2ATMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

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Hoja de datos

1,544En existencias

Cinta cortada

S/14.75

S/9.26

S/6.89

S/5.92

Envase tipo carrete

S/5.10

S/4.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

HEMT

1 Channel

650 V

13 A

170 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

47 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGT65R055D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.04
140En existencias
2,000Se espera el 23/07/2026
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N.º de artículo del Fabricante
IGT65R055D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGT65R055D2ATMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

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140En existencias

2,000Se espera el 23/07/2026

Cinta cortada

S/26.04

S/17.36

S/13.62

S/12.73

S/11.79

Envase tipo carrete

S/10.51

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

HEMT

1 Channel

650 V

31 A

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

CoolGaN

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