+52 33 3612 7301

Parte de la familia de especialistas de TTI Contactar a Mouser (USA) +52 33 3612 7301 Comentarios

En existencias

RoHS

Iniciar sesión
¿Nuevo cliente? Comience aquí
Iniciar sesión
¿Nuevo cliente? Comience aquí

Historial de pedidos

Fabricante:	Fabricante N.º:	Cant.	Total otorgado:

Ver carrito

Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

TM3B0020120A

Name: Coherent TM3B0020120A
Brand: Coherent
SKU: 508-TM3B0020120
Price: 162.9 PEN
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

508-TM3B0020120

Fabricante N.º:

TM3B0020120A

Fabricante:

Coherent

Descripción:

MOSFETs de SiC 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101

Hoja de datos:

TM3B0020120A Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Coherent TM3B0020120A

En existencias: 139

Existencias:: 139 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

S/-.--

Precio ext.:

S/-.--

Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	S/162.90	S/162.90
	S/141.53	S/1,415.30
	S/123.78	S/14,853.60
1,020	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Coherent
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	115 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	24.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.8 V
Qg - Carga de puerta:	172 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Dp - Disipación de potencia :	660 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Coherent
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	30 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	39 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	38 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

TM3B0020120A Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TM3x00 1200V SIC MOSFETs

Coherent TM3x00 1200V SIC MOSFETs feature low R_DS(on), superior thermal performance, and industry-leading avalanche capability, ensuring exceptional efficiency and versatility for automotive, industrial, and aerospace systems. The TM3x00 devices are built on Coherent's advanced Gen3+ technology platform and implement fast switching via ultra-low gate resistance. The TM3x00 1200V MOSFETs also provide very low-temperature invariant switching losses in TO247-4L, TSPAK, and TO263-7L package options. These devices are AEC-Q101 qualified at +200°C junction temperature and are proven in AS9100-rated aerospace applications.