Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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LFPAK4 Industrial N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Industrial N-channel Power MOSFETs are single MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These industrial-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide, -55°C to +175°C operating temperature range.

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Resultados: 8

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel

NTMYS2D4N04CTWG
onsemi
1: S/9.61
2,935En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS2D4N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS2D4N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel

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Hoja de datos

2,935En existencias

Cinta cortada

S/9.61

S/6.34

S/4.28

S/3.55

S/3.31

Envase tipo carrete

S/2.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

138 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

NTMYS014N06CLTWG
onsemi
1: S/7.71
2,855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS014N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS014N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

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2,855En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.90

S/3.30

S/2.61

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel

NTMYS7D3N04CLTWG
onsemi
1: S/9.54
4,003En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS7D3N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS7D3N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel

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4,003En existencias

Cinta cortada

S/9.54

S/6.07

S/4.13

S/3.32

Envase tipo carrete

S/2.41

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

52 A

7.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

7 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 49A 8.1Ohm Single N-Channel

NTMYS8D0N04CTWG
onsemi
1: S/8.17
3,020En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS8D0N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS8D0N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 49A 8.1Ohm Single N-Channel

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3,020En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/5.02

S/3.52

S/2.79

S/2.37

Envase tipo carrete

S/2.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

49 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel

NTMYS025N06CLTWG
onsemi
1: S/7.71
2,368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS025N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS025N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel

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2,368En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.90

S/3.30

S/2.61

S/2.48

Envase tipo carrete

S/2.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

27.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

2.7 nC

- 55 C

+ 175 C

24 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel

NTMYS011N04CTWG
onsemi
1: S/9.19
1,109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS011N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS011N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel

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1,109En existencias

Cinta cortada

S/9.19

S/5.76

S/3.79

S/3.01

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 26A 21Ohm

NTMYS021N06CLTWG
onsemi
1: S/7.51
826En existencias
3,000Se espera el 22/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS021N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS021N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 26A 21Ohm

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826En existencias

3,000Se espera el 22/06/2026

Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.21

S/2.54

S/2.20

Envase tipo carrete

S/2.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 mOhm 71A Single N-Channel

NTMYS5D3N04CTWG
onsemi
1: S/8.49
1,037En existencias

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NTMYS5D3N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS5D3N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 mOhm 71A Single N-Channel

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1,037En existencias

Cinta cortada

S/8.49

S/5.45

S/3.67

S/2.92

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

40 V

71 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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