Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 19

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

SI8489EDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.50
8,882En existencias

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SI8489EDB-T2-E1

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78-SI8489EDB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

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S/3.50

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S/1.41

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S/0.662

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MicroFoot-4

P-Channel

1 Channel

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5.4 A

36 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

SI8483DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.15
31,394En existencias

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SI8483DB-T2-E1

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78-SI8483DB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

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Cinta cortada

S/3.15

S/2.09

S/1.56

S/1.34

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S/1.06

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16 A

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800 mV

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13 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

SI8819EDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.39
295En existencias
12,000Se espera el 1/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI8819EDB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8819EDB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

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295En existencias

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S/3.39

S/2.09

S/1.34

S/0.849

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S/0.646

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2.9 A

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- 8 V, 8 V

900 mV

7 nC

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900 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

SI8406DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.78
10,321En existencias

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SI8406DB-T2-E1

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78-SI8406DB-T2-E1

Vishay Semiconductors

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S/3.78

S/2.35

S/1.53

S/1.18

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S/0.911

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- 8 V, 8 V

400 mV

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13 W

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TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

SI8806DB-T2-E1
Vishay / Siliconix
1: S/3.27
23,922En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI8806DB-T2-E1

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78-SI8806DB-T2-E1

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

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S/3.27

S/2.04

S/1.32

S/1.01

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400 mV

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900 mW

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TrenchFET

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SI8808DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/2.92
17,020En existencias

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SI8808DB-T2-E1

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78-SI8808DB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

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S/2.92

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S/1.16

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S/0.673

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400 mV

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900 mW

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TrenchFET

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SI8823EDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
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12,818En existencias
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SI8823EDB-T2-E1

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78-SI8823EDB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT

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S/2.69

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S/1.07

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900 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

SI8800EDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.00
17,326En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI8800EDB-T2-E1

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781-SI8800EDB-T2-E1

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S/3.00

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S/0.646

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

SI8817DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.04
38,028En existencias

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SI8817DB-T2-E1

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78-SI8817DB-T2-E1

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S/1.87

S/1.21

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20 V

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900 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

SI8416DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
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3,222En existencias

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SI8416DB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8416DB-T2-E1

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S/4.24

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S/1.73

S/1.34

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MicroFoot-6

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1 Channel

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- 5 V, 5 V

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17 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

SI8466EDB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.11
3,484En existencias

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SI8466EDB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8466EDB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

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S/3.11

S/1.97

S/1.27

S/0.969

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S/0.825

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SMD/SMT

MicroFoot-4

N-Channel

1 Channel

8 V

5.4 A

43 mOhms

- 5 V, 5 V

350 mV

13 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

SI8487DB-T1-E1
Vishay Semiconductors
1: S/4.67
1,899En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SI8487DB-T1-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8487DB-T1-E1

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S/4.67

S/2.82

S/1.93

S/1.54

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S/1.21

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: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-4

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1 Channel

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7.7 A

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- 12 V, 12 V

1.2 V

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- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

SI8812DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.11
2,761En existencias
3,000Se espera el 24/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI8812DB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8812DB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

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2,761En existencias

3,000Se espera el 24/06/2026

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S/3.11

S/1.92

S/1.24

S/0.942

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S/0.724

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SMD/SMT

MicroFoot-4

N-Channel

1 Channel

20 V

3.2 A

60 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

17 nC

- 55 C

+ 150 C

900 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

SI8497DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.97
2,064En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI8497DB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8497DB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

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2,064En existencias

Cinta cortada

S/3.97

S/2.47

S/1.61

S/1.24

Envase tipo carrete

S/1.00

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-6

P-Channel

1 Channel

30 V

13 A

43 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

49 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

SI8499DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/5.14
58En existencias
9,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI8499DB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
781-SI8499DB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1

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58En existencias

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Cinta cortada

S/5.14

S/3.16

S/2.09

S/1.60

S/1.36

Envase tipo carrete

S/1.18

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-6

P-Channel

1 Channel

20 V

16 A

26 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

13 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

SI8472DB-T2-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.11
30,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI8472DB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8472DB-T2-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1

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30,000En pedido

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S/3.11

S/1.92

S/1.17

S/0.887

Envase tipo carrete

S/0.759

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-4

N-Channel

1 Channel

20 V

4.5 A

44 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

18 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

SI8424CDB-T1-E1
Vishay Semiconductors
1: S/3.70
4,210En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI8424CDB-T1-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8424CDB-T1-E1

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

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S/3.70

S/2.29

S/1.49

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.864

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-4

N-Channel

1 Channel

8 V

10 A

20 mOhms

- 5 V, 5 V

350 mV

40 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 10V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

SI8425DB-T1-E1
Vishay Semiconductors
1: S/4.83
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI8425DB-T1-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8425DB-T1-E1

Vishay Semiconductors

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5,000En pedido

Cinta cortada

S/4.83

S/2.75

S/1.88

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.14

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-4

P-Channel

1 Channel

20 V

9.3 A

40 mOhms

- 10 V, 10 V

900 mV

110 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

SI8802DB-T2-E1
Vishay / Siliconix
1: S/2.72
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SI8802DB-T2-E1

N.º de artículo de Mouser
781-SI8802DB-T2-E1

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

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S/2.72

S/1.68

S/1.07

S/0.814

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S/0.619

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: 3,000

SMD/SMT

MicroFoot-4

N-Channel

1 Channel

8 V

3.5 A

54 mOhms

- 5 V, 5 V

350 mV

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

900 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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