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SIJK140E-T1-GE3

Name: Vishay SIJK140E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJK140E-T1-GE3
Price: 28.65 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIJK140E-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIJK140E-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

Ciclo de vida:

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	S/20.24	S/202.40
	S/17.48	S/1,748.00
	S/16.50	S/24,750.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK 10x12
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	795 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	470 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	312 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	536 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	45 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	45 ns
Serie:	SiJK140E
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	85 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	40 ns

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de 40 V de canal N (D-S) SiJK140E

Vishay / Siliconix SiJK140E N-Channel 40V (D-S) MOSFET features TrenchFET^® Gen V power technology. This MOSFET optimizes power efficiency, and the R_DS(on) minimizes power loss during conduction, ensuring efficient operation. The SiJK140E MOSFET is 100% R_g and UIS tested. This power MOSFET enhances power dissipation and lowers thermal resistance (R_thJC). Typical applications include synchronous rectification, automation, OR-ing and hot-swap switches, power supplies, motor drive control, and battery management.

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Vishay / Siliconix Superjunction MOSFETs in PowerPAK^® 10 x 12 packaging feature power technology. These power MOSFETs optimize power efficiency, while the R_DS(on) minimizes power loss during conduction, ensuring efficient operation. These components are 100% Rg and UIS tested. Vishay / Siliconix Superjunction MOSFETs enhance power dissipation and lower thermal resistance (R_thJC). Typical applications include synchronous rectification, automation, and power supplies.